公开(公告)号：CN104412163B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201380035136.X

申请日：2013-06-21

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 染谷安信 ,  武田谕 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供一种使用能够形成良好图案而不发生分辨极限恶化的下层膜材料的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成有机下层膜的工序中，在该有机下层膜上形成无机硬掩模的工序中，在该无机硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序中，在通过进行光或电子射线的照射和溶剂显影而形成抗蚀剂图案的工序中，在利用抗蚀剂图案对该无机硬掩模进行蚀刻的工序中，在利用图案化了的无机硬掩模对有机下层膜进行蚀刻的工序中，以及在利用图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序中，该有机下层膜是通过用于形成有机下层膜的组合物的涂布和加热而获得的有机下层膜，所述组合物含有包含有机基团的化合物和有机溶剂，所述有机基团具有选自环氧基、异氰酸酯基、封闭异氰酸酯基和苯并环丁烯环基中的官能团。

公开(公告)号：CN104737076B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201380055105.0

申请日：2013-10-24

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 菅野裕太 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供一种用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合，且该式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合基于全部硅烷低于50摩尔％。式(1)[式中，R1为含有式(1‑1)、式(1‑2)、式(1‑3)、式(1‑4)或式(1‑5)的有机基团，a表示整数1，b表示整数0或1，a+b表示整数1或2。]，式(2)[式中，R4为含有式(2‑1)、式(2‑2)或式(2‑3)的有机基团，a1表示整数1，b1表示整数0或1，a1+b1表示整数1或2。]。

公开(公告)号：CN107615168B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201680033392.9

申请日：2016-06-07

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 中岛诚 ,  高濑显司 ,  武田谕 ,  柴山亘

IPC分类号： G03F7/075 ,  C07F7/18 ,  C08G77/14 ,  C08G77/50 ,  G03F7/038

摘要： 本发明的课题是提供下述感放射线性组合物，其将显示酚醛塑料交联反应性的硅氧烷聚合物作为基础树脂，其分辨率优异，且能够高精度地形成所期望形状的图案。本发明的解决方法是一种感放射线性组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物、以及光产酸剂，该水解性硅烷包含式(1)和式(2)所示的水解1 2 3 1性硅烷。RaRbSi(R)4‑(a+b) 式(1)〔,式(1)中，R是式(1‑2)所示的有机基团，且R1通过Si‑C键或Si‑O键与硅原子结合。R2表示有机基团。R3表示水解性基团。〕R7cR8dSi(R9)4‑(c+d) 式(2)〔,式(2)7 7中，R是式(2‑1)所示的有机基团，且R通过Si‑C键与硅原子结合。R8是有机基团，且R8通过Si‑C

公开(公告)号：CN104081282B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201380007256.9

申请日：2013-01-23

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 武田谕 ,  中岛诚 ,  菅野裕太 ,  若山浩之

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L21/0274 ,  C08G77/80 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/3081

摘要： 本发明的课题是提供在将抗蚀剂曝光后，用有机溶剂显影来形成抗蚀剂图案方面良好的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：工序(A)，将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在基板上，进行烘烤来形成抗蚀剂下层膜，所述形成抗蚀剂下层膜的组合物包含水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷为下述式(1)所示的硅烷、式(2)所示的硅烷和式(3)所示的硅烷，在全部硅烷中以摩尔％计下述式(1)所示的硅烷:下述式(2)所示的硅烷:下述式(3)所示的硅烷为45～90:6～20:0～35的比例含有各硅烷；工序(B)，在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜；工序(C)，将上述抗蚀剂膜进行曝光；工序(D)，曝光后将抗蚀剂膜用有机溶剂显影，获得被图案化了的抗蚀剂膜；和工序(E)，利用被图案化了的抗蚀剂膜对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻，利用被图案化了的抗蚀剂下层膜对基板进行加工。Si(R1)4式(1)R2[Si(R3)3]a式(2)R4[Si(R5)3]b式(3)。

公开(公告)号：CN104395328B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201380032731.8

申请日：2013-06-19

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 菅野裕太 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

IPC分类号： C07F7/18 ,  C08G77/28 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133 ,  C08K5/09

摘要： 本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1‑a)或式(1‑b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN106575090A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043291.5

申请日：2015-08-11

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 谷口博昭 ,  中岛诚 ,  柴山亘 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

摘要： 本发明的课题是提供对于被加工基板上所形成的高低差基板，可以良好地填埋于其图案间，并且形成平坦的膜的图案反转用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。

公开(公告)号：CN106462075A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580031938.2

申请日：2015-06-16

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 中岛诚 ,  柴山亘 ,  武田谕 ,  高濑显司

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/28 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

摘要： 本发明提供使用对KrF光也具有吸收的水解性硅烷的水解缩合物、用于形成能够作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)所示的水解性硅烷，该硅烷全体中硫原子相对于硅原子的比例为7摩尔％以上，本发明还是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上并烧成而得到的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示式(2)所示的有机基团，并且R1通过Si-C键与硅原子结合，R3表示烷氧基、酰氧基或卤素基，a表示整数1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。

公开(公告)号：CN104395328A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032731.8

申请日：2013-06-19

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 菅野裕太 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

IPC分类号： C07F7/18 ,  C08G77/28 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133 ,  C08K5/09

摘要： 本发明提供光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物。解决手段是采用下述式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。该光刻用抗蚀剂下层膜形成组合物包含作为硅烷的水解性有机硅烷、其水解物及其水解缩合物中的至少1种，且该硅烷包含式(1-a)或式(1-b)表示的硅烷化合物。还提供半导体装置的制造方法，其包含通过将抗蚀剂下层膜形成组合物涂布在半导体基板上并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜的工序、在上述下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜的工序、对上述抗蚀剂膜进行曝光的工序、曝光后对抗蚀剂膜进行显影而得到图案化的抗蚀剂膜的工序、按照图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序、以及按照图案化抗蚀剂膜及抗蚀剂下层膜加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN106662820B

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201580037039.3

申请日：2015-07-09

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 柴山亘 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/24

摘要： 本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，(式(2)中，R4表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示磺酰基或磺酰胺基，R6表示含卤的有机基团。]。上述式(2)中的R6为含氟的有机基团。上述式(2)中的R6为三氟甲基。通过将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成而得到的抗蚀剂下层膜。还包含作为水解催化剂的酸。还含有水。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1) ‑R4‑R5‑R6 (2)。

公开(公告)号：CN112558410A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011433145.2

申请日：2015-07-10

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/16

摘要： 本发明的课题是提供，在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。