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公开(公告)号：CN101405440A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780010241.2
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明使用了一种生长装置，它包括用于容纳溶液的多个坩埚(10)，用于加热坩埚(10)的发热体，用于容纳至少多个坩埚以及上述发热体并填充有至少包含氮气的气氛气体的压力容器(1)。分别在每个坩埚(10)内设置一个种晶，由该种晶生长氮化物单晶。
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公开(公告)号：CN107002284B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580064055.1
申请日：2015-11-25
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/0079 , C23C16/01 , C23C16/303 , C23C16/4418 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B33/04 , C30B33/06 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L33/007
Abstract: 准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。
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公开(公告)号：CN108138361A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680052907.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/20 , H01L21/208
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的基底基板(14)在蓝宝石基板(15)上具备第13族氮化物的晶种层(16)。在晶种层(16)的主面以条纹状重复出现凸部(16a)和凹部(16b)，凸部(16a)的阶差(ha)为0.3～40μm，凸部(16a)的宽度(wa)为5～100μm，凹部(16b)的厚度(tb)为2μm以上，凹部(16b)的宽度(wb)为50～500μm。
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公开(公告)号：CN105793476A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480064895.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L33/02 , H01L33/20
Abstract: 在氮化镓基板的表面3a对与氮化镓基板的带隙相对应的波长的阴极发光峰强度进行测定时，0.1mm×0.1mm的测定视野中的阴极发光峰强度的最大值为阴极发光峰强度的平均值的140％以上。
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公开(公告)号：CN104246027A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020111.2
申请日：2013-08-02
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , H01L2933/0083
Abstract: 在由氮化镓单晶构成的晶种(1)的培养面(1a)上规则地排列有锥状或截顶锥状的突起(2)。在晶种的培养面(1a)上通过助熔剂法直接形成有厚度为100μm以下的氮化镓晶体层(4)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471920B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201080030599.3
申请日：2010-07-06
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B9/10 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: H01L21/02639 , C30B9/10 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0265
Abstract: 在基板上形成多个III族金属氮化物单晶的晶种膜(3C)，此时在基板上形成没有被所述晶种膜(3C)覆盖的非育成面(1b)的晶种膜。通过助熔剂法在所述晶种膜上育成III族金属氮化物单晶。多个晶种膜(3C)由所述非育成面(1b)相互分开，且至少在两个方向上排列。晶种膜(3C)的最大内切圆直径(A)为50μm以上、6mm以下，晶种膜(3C)的外接圆直径为50μm以上、10mm以下，非育成面(1b)的最大内切圆直径为100μm以上、1mm以下。
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公开(公告)号：CN103814160A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201380001900.1
申请日：2013-07-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/208
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/22
Abstract: 一种复合基板10，包含蓝宝石基板1A、设置于蓝宝石基板表面的氮化镓晶体构成的晶种膜4、以及在该晶种膜4上结晶生长的厚度200μm以下的氮化镓晶体层7。蓝宝石基板1A与晶种膜4的界面设置有空隙3，该空隙比率为4.5～12.5%。
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公开(公告)号：CN103237931A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003037.9
申请日：2012-08-09
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , C30B19/02 , C30B29/38 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02625 , H01L33/007
Abstract: 在晶种基板（11）上，通过助熔剂法由含有助熔剂及13族元素的熔液，于含氮氛围下育成13族元素氮化物（3）。13族元素氮化物膜（3）含有夹杂物分布层（3a）和夹杂物缺乏层（3b），所述夹杂物分布层（3a）被设置于自晶种基板（11）侧的界面起50μm以下的区域，且分布有源自熔液的构成成分的夹杂物，所述夹杂物缺乏层（3b）被设置于该夹杂物分布层（3a）上。
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公开(公告)号：CN101851785B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010139890.6
申请日：2010-03-30
Applicant: 丰田合成株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社
CPC classification number: C30B9/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02625
Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。
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公开(公告)号：CN102492993A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201210003531.7
申请日：2007-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社 , 国立大学法人大阪大学
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置，本发明提供一种氮化物单晶的制造方法，其为使用含有助熔剂和原料的溶液来制造氮化物单晶的方法，其特征在于，使用的生长装置包括：用于容纳所述溶液的多个坩埚、用于加热所述坩埚的发热体、容纳所述多个坩埚并由热传导性材料制成的组件以及用于至少容纳所述组件和所述发热体并填充至少包含氮气的气氛气体的压力容器；分别在所述每个坩埚内设置一个种晶，通过移动所述组件来同时搅拌所述各坩埚内的所述溶液，在所述各坩埚内由各个种晶生长成所述氮化物单晶。
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