公开(公告)号：CN103180267A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051175.X

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤畅之 ,  渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种加热装置（11A），其包括具有加热半导体的加热面（12a）的基座（12A）。基座（12A）包括板状主体部（13）和面向加热面的表面耐腐蚀层（14）。表面耐腐蚀层（14）由以镁、铝、氧以及氮为主成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

公开(公告)号：CN102639464A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201180004702.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。