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公开(公告)号：CN113130664B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110357101.4
申请日：2021-04-01
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/40
摘要： 本发明公开了一种新型的PIN管微观结构，其特征在于，包括Metal 1层、Metal 2层、阳极引出层AC、阴极引出层CC和PIN管；阳极引出层AC、阴极引出层CC设置在PIN管的两极上，且Metal 1层在阳极引出层AC、阴极引出层CC上方，Metal 2层在Metal 1层上方；其中，Metal 1层与阳极引出层AC或阴极引出层CC之间设置过孔Via 1，Metal 1层与Metal 2层之间设置过孔Via2；本发明提供结构简单合理、增强PIN管的击穿电压与过流能力的一种新型的PIN管微观结构。
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公开(公告)号：CN113077514B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110620462.3
申请日：2021-06-03
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种SAR图像船只弱尾迹增强与检测方法，包括：对原始SAR图像进行预处理，抑制图像相干斑噪声，将图像中的强点目标替换为海洋背景，增强尾迹边缘特征；对预处理后图像进行Gabor滤波变换，通过多角度多尺度滤波器进行滤波处理，增强纹理特征，获取一簇滤波后图像，在滤波后图像的相位域进行二值化处理；对二值化图像进行形态学处理筛选潜在尾迹特征，剔除非尾迹连通区域；对形态学处理后的二值化图像进行Hough变换，在Hough变换域中检测直线尾迹特征，剔除海浪纹理，并提取尾迹参数及将尾迹检测结果标注到原始SAR图像上。本发明通过对SAR图像进行Gabor滤波，利用Gabor滤波器对直线纹理敏感的特性，增强了船只的弱尾迹特征，从而提高了尾迹的检测概率。
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公开(公告)号：CN113053842A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110170455.8
申请日：2021-02-08
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L23/473 , H01L21/48
摘要： 本发明提供一种GaN器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体基底，进行碳化形成碳化硅层，形成外延结构，形成器件电极，形成窗口，在半导体基底背面制备背孔，形成散热腔，液冷自背孔通入并基于散热腔实现散热。本发明通过基底中的氧化层定义液冷的沟道位置，通过氧化层的刻蚀形成液冷散热通道，通过液冷散热流经器件有效区，大大增强了散热效果，无需传统的衬底背部减薄工艺，金属热沉键合工艺；本发明可以基于背孔及其布置进一步优化散热效果，并且，背孔还可以同时作为形成散热腔的开口；另外，可以通过正面开窗形成散热腔并实现器件的有效隔离，同时还可以进一步增强散热，提高工艺效率。
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公开(公告)号：CN110658443B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201911000693.3
申请日：2019-10-21
申请人： 浙江大学
IPC分类号： G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种针对射频前端器件的老练系统，包括：与直流电源连接并检测电流的电源转接板；与电源转接板连接的被测件；为被测件提供高温环境进行耐久测试的高温箱；与被测件连接的负载及功率监测模块；激励源模块，激励源模块的输入端与信号源连接，激励源模块的输出端与被测件连接，激励源模块接受直流电源供电；单片机控制程序及上位机显示控制程序一同负责对整个系统进行梳理控制。本发明具有自动化测试，测试校准，数据实时传输及紧急关断等功能，可以切实减少人工工作量，提高测试准确性及测试效率，提高应对突发情况的反应能力，增加系统安全性。
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公开(公告)号：CN109818613B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910083226.5
申请日：2019-01-28
申请人： 浙江大学
摘要： 本发明公开了一种基于数控延时占空比校准的参考时钟倍频器电路及方法。外供时钟信号分别进入缓冲器、数字状态机模块、占空比检测模块，缓冲器输出信号进入占空比调节模块，占空比调节模块的第一输出信号分两路分别进入延时模块和异或门，延时模块的输出信号也进入异或门，异或门输出二倍频信号，占空比调节模块的第二输出信号受到占空比检测模块监控，占空比检测模块比较当前占空比与50%的大小关系，输出占空比指示信号Duty_data到数字状态机模块，数字状态机模块根据Duty_data输入信号执行占空比校准方法，并将该方法的输出控制字调节控制字和抖动控制字输出至占空比调节模块形成环路。该电路相较于传统模拟占空比调节电路具有面积小、功耗低、对应用需求适配性好的特点。
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公开(公告)号：CN112019217A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011106318.X
申请日：2020-10-16
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H03M1/38
摘要： 本发明提供一种流水线型逐次逼近模数转换器及转换方法，包括：第一级逐次逼近模数转换模块，第二级逐次逼近模数转换模块及数字码误差修正逻辑模块；其中，第一级逐次逼近模数转换模块包括第一电容阵列单元、放大单元、锁存比较单元、第一寄存逻辑控制单元及控制开关，放大单元复用为残差放大器及第一级逐次逼近模数转换器中比较器的预放大器。本发明通过复用残差放大器预放大器，完全消除了在两者之间存在的输入失调电压失配，稳定了残差放大器的输入摆幅，提高了残差放大器的线性度，节省了芯片面积；且通过复用第二级逐次逼近型模数转换模块来获得增益误差，降低了残差放大器的增益误差，提高了整个流水线型逐次逼近模数转换器的转换精确度。
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公开(公告)号：CN111446289B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010274353.6
申请日：2020-04-09
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/373
摘要： 本发明提供一种基于石墨烯覆盖层的氮化镓器件结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成包括氮化镓层及铟铝氮势垒层的外延结构，覆盖石墨烯薄膜，形成源极电极、漏极电极、介质钝化层及栅极结构。本发明采用石墨烯薄膜覆盖铟铝氮势垒层表面，有利于解决器件表面缺陷导致隧穿漏电及电流崩塌效应的问题，石墨烯薄膜作为器件的散热层，基于简便的方式提高散热效果，直接形成在铟铝氮势垒层上，从而直接在石墨烯薄膜上制备电极，欧姆接触电阻得到有效降低。铟铝氮势垒层/氮化镓层器件在工作时，工作发热导致的温度升高会时铟铝氮材料中缺陷增多，导致栅极至铟铝氮势垒层的缺陷辅助隧穿漏电增大，通过覆盖石墨烯薄膜减弱了栅极隧穿电流。
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公开(公告)号：CN110655111B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201911065724.3
申请日：2019-11-04
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C01G39/06 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；MOCVD腔内通入N2气体；升温到达恒温生长温度，腔内初始压强为90Torr；通入H2S作为硫气源；通入MO(CO)6作为钼气源，形核；分步降低腔内压强，促使形核晶粒横向生长，得到生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、材料厚度可控、质量高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度可调，可用于柔性芯片应用的MoS2二维材料。
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公开(公告)号：CN111564492A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010683676.0
申请日：2020-07-16
申请人： 浙江大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L29/20
摘要： 本发明提供一种耗尽型GaN基HFET器件及其制备方法，该方法包括：提供耗尽型GaN基HFET器件薄膜结构；于薄膜结构上分别形成欧姆接触的源电极及漏电极、和过渡金属二卤化物半导体栅电极；于2DEG沟道外的过渡金属二卤化物半导体栅电极上形成金属栅电极；沉积钝化层以保护器件结构。本发明形成的HFET器件通过过渡金属二卤化物半导体栅电极自身集成了过压保护功能，无需后续通过电路设计额外增加过压保护功能；硫化钼半导体栅电极制备工艺简单，在室温条件一步完成图形化处理，免去了高温制备硫化钼的成本，工艺可重复性高，成本较低。
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