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公开(公告)号：CN116600378A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310517740.1
申请日：2023-05-09
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H04W56/00 , H04B1/7087 , H04B1/69
Abstract: 本发明公开了一种基于LoRa调制的频偏估计方法、装置及介质、频偏估计设备，所述方法包括：基于接收到的啁啾信号中的上啁啾信号估计小数倍频偏，并基于小数倍频偏对接收到的啁啾信号进行补偿，得到补偿后的啁啾信号；从补偿后的啁啾信号中确定第一上啁啾信号和第一下啁啾信号，小数倍频偏是基于啁啾信号中的上啁啾信号进行估计得到的；分别确定第一上啁啾信号和参考上啁啾信号的相关峰最大的第一位置，以及第一下啁啾信号和参考下啁啾信号的相关峰最大的第二位置；基于第一位置、第二位置以及小数倍频偏估计目标频偏，能够提高频偏估计的精确度，降低定时偏差对频偏估计精度的影响，提高定时同步的精度和准确度，进而提升LoRa接收信号解调性能。
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公开(公告)号：CN116450722A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310389509.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F16/25
Abstract: 本发明公开了一种试验设备及其数据采集方法、装置和存储介质。方法包括：解析协议模型以生成协议关键结点元素PNE，其中，协议模型由协议文档构建得到，且协议模型与对应的试验设备绑定；根据PNE和预设的协议文档规范生成试验设备的协议文件；接收试验设备发送的试验数据；根据协议文件将试验数据转换为目标格式。由此，根据与试验设备相对应的协议模型的PNE和预设的协议文档生成的协议文件，将不同厂家、不同接口类型的试验设备发送的试验数据自动地进行格式的统一，实现了不同厂家、不同接口类型的试验设备的数据采集，且无需额外开发上位机软件，也无需对实验人员进行培训，节省成本，提高了试验效率。
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公开(公告)号：CN116384593A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310645072.0
申请日：2023-06-01
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: G06Q10/04 , G06Q50/06 , G06N3/0464 , G06N3/0455
Abstract: 本发明公开了一种分布式光伏出力预测方法、装置、电子设备和介质。所述方法包括：将第一输入张量输入至检测模型中的编码器，通过编码器中的十字交叉注意力网络基于时间维度和数据维度对特征进行处理，和将第二输入张量输入至检测模型中的解码器，通过解码器中的十字交叉注意力网络基于时间维度和数据维度对特征进行处理，使得预测模型可以从时间维度和数据维度进行光伏出力预测。采用本方法能够通过十字交叉注意力模块同时从时间维度和数据维度对特征进行学习和融合，提高了预测模型的预测精度。
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公开(公告)号：CN116344589A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310577197.4
申请日：2023-05-22
Applicant: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/778
Abstract: 本申请公开了一种GaN器件及其制备方法。GaN器件包括由下到上依次层叠设置的衬底、AlGaN/GaN异质结外延层、栅电极、介质层和钝化层，GaN器件还包括栅场板和连接栅场板的金属层，栅电极和栅场板穿设在介质层中，金属层贯穿钝化层，栅场板包括第一栅场板、第二栅场板、第三栅场板和第四栅场板。这样降低了漏极附近的电场峰值，提高GaN器件的击穿电压，避免GaN器件在高功率和高频条件下的失效，既提高了器件的耐压同时对器件的高频特性影响不大，工艺简单，重复性好。
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公开(公告)号：CN116232045A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310232664.X
申请日：2023-02-28
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种PFC电路、供电电路及电子设备，PFC电路包括：第一电容和第一二极管，第一电容第一端与PFC电路第一输入端相连，第一电容第二端与第一二极管阴极相连且具有第一连接点，第一二极管阳极与PFC电路第二输入端相连；第二二极管和第二电容，第二二极管阴极与第一电容第一端和PFC电路第一输出端相连，第二二极管阳极与第二电容第一端相连且具有第二连接点，第二电容第二端与第一二极管阳极和PFC电路第二输出端相连；第三二极管，第三二极管阳极与第一连接点相连，第三二极管阴极与第二连接点相连；电流通路，电流通路与第一二极管和/或第二二极管并联，用于抑制PFC电路输入端的浪涌电流和输出端的纹波电流。该电路的功率因数和安全性更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119789220A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411761450.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H04W72/0453 , H04W4/06 , H04B1/7136 , H04W72/1263
Abstract: 本申请公开了一种信道选择方法、LPWAN网关以及无线通信系统，涉及通信技术领域。LPWAN网关能够获取跳频序列，以及对广播信标帧的信标周期进行计数的计数值，继而基于该跳频序列中索引为该计数值的目标元素，从多个子信道中选择目标子信道。由于能够基于跳频序列从多个子信道中选择目标子信道，因此一方面可以提高LPWAN网关所在的无线通信系统的抗干扰特性；另一方面，可以避免终端在多个子信道上进行检测，从而降低终端的接收复杂度，以及漏掉广播信标帧的概率。
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公开(公告)号：CN119180777A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411002340.8
申请日：2024-07-24
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种锡膏状态检测方法、装置、设备及可读存储介质，方法包括：获取待检测锡膏区域图像和相应的模板锡膏区域图像；待检测锡膏区域图像和模板锡膏区域图像为伪深度图像；将待检测锡膏区域图像和模板锡膏区域图像转换到Lab色彩空间中，确定转换后的待检测锡膏区域图像的第一色彩纹理特征与转换后的模板锡膏区域图像的第二色彩纹理特征间的相似度；根据相似度确定待检测锡膏区域图像对应的待检测锡膏的状态。本申请公开的上述方案，基于伪深度图像中色彩变化确定锡膏状态，实现在二维图像基础上将高度信息参与到锡膏状态检测中，以提高锡膏状态检测的准确性，且无需依赖深度相机，因此可降低锡膏状态检测成本。
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公开(公告)号：CN118694649A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410874233.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种信号译码方法及装置、信号接收设备、通信系统，涉及通信技术领域。信号接收设备能够获取调制信号对应的码字序列中各个码字对应的软信息向量，每个码字对应的软信息向量包括该码字包括的各个比特的软信息。且信号接收设备能够获取解码矩阵，该解码矩阵的每个行向量基于码字的多个备选译码结果中一个备选译码结果的编码结果确定。然后，该信号接收设备能够基于解码矩阵与码字对应的软信息向量相乘所得到的列向量，从多个备选译码结果中确定码字的目标译码结果。由于该方法能够利用软信息来评估所有可能的译码结果的准确性，因此有效提高了信号接收设备的译码准确性。
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公开(公告)号：CN117849570B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410256663.3
申请日：2024-03-06
Applicant: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请公开了一种功率半导体器件测试温度确定方法及系统，方法包括：为试验箱内的器件设置0偏压，并设置试验箱为预设温度和预设相对湿度，待运行第一预设时长后测试器件结温并作为标定结温；将器件的偏压升高到预设比例的阻断电压，并从预设温度调整试验箱的温度，待运行第二预设时长后测量器件的当前结温；根据器件的当前结温与标定结温调整试验箱的温度，将器件的当前结温等于标定结温时的试验箱的温度确定为测试温度。本申请公开的技术方案，通过不断调整试验箱的温度以及测试器件的当前结温使得当前结温与标定结温一致，将当前结温等于标定结温时的试验箱的温度作为器件的测试温度，以减少器件表面相对湿度的下降，从而提高器件测试准确性。
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公开(公告)号：CN117614260A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410089923.2
申请日：2024-01-22
Applicant: 深圳市国电科技通信有限公司 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H02M1/44 , H03K17/687 , H03K17/567
Abstract: 本发明涉及开关电源领域，具体公开了一种自适应电源开关频率的频率抖动电路、电源及其管理芯片，其中频率抖动电路包括：分频电路，用于基于时钟信号产生多个脉冲信号；反馈电路，用于生成与电源的输出电压对应的反馈电压；振荡电路，用于产生频率抖动信号；频率抖动控制电路，频率抖动控制电路分别与分频电路、反馈电路和振荡电路相连，用于基于多个脉冲信号生成充电电流，并基于反馈电压调整充电电流，以便振荡电路基于调整后的充电电流产生频率抖动信号。该频率抖动电路能够根据电源输出电压自适应调节频率抖动信号的抖动频率，降低电磁干扰的性能较强。
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