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公开(公告)号：CN1411008A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02153785.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电感材料制备技术领域中的一种低温烧结甚高频叠层片式电感、片式磁珠材料及其制备方法。以Fe2O3、BaCO3、SrCO3、PbO、Co3O4、ZnO、CuO为主原料制备的BaSrPbZnCoCu平面六角铁氧体与以辅料Bi2O3+Al2O3+PbO+B2O3+SiO2+CaF2+LiF为复合低烧助烧剂，按一定重量百分比混合低温烧结成甚高频片式电感及片式磁珠材料。本发明实现了低温烧结，材料烧结性能好，致密度高、晶粒尺寸均匀。材料的磁导率在2－40，截止频率800MHz至1.8GHz以上，比温度变化率不大于10－6/℃，电阻率大于109Ω·cm，完全满足甚高频片式电感及磁珠材料的要求。本发明提出的材料配方及其制备工艺，低温烧结性能稳定，再现性好，具有广泛的应用前景和巨大的经济效益。
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公开(公告)号：CN1405800A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02146687.4
申请日：2002-11-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于电感器材料制备技术范围的一种高磁导率低温烧结中高频叠层电感器材料及其制备方法。它是以Ag为内电极，与软磁性铁氧体(Ni0.2－xCu0.2Zn0.6+xO)(Fe2－yMnyO3+0.5y)1－z及助烧剂Bi2O3，在860□～950□温度范围内进行烧结。获得高磁导率中高频片式电感MLCI材料，材料的室温初始磁导率可控制在600～1000之间，陶瓷晶粒尺寸≤2μm。同现有技术相比，本发明可以使低温烧结电感材料磁导率提高到1000，适用于生产大容量，小尺寸的片式电感元件。其配方及工艺简单，性能稳定，适于工业化生产。具有广泛的应用前景和巨大的经济价值。
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公开(公告)号：CN1397961A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN01120531.8
申请日：2001-07-19
Applicant: 清华同方股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: C04B35/2633 , C04B35/265 , C04B35/6261 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/327 , C04B2235/3277 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/445 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/767 , H01F1/348 , H01F1/37
Abstract: 本发明涉及一种甚高频片感材料的配方和制备方法。现有技术中尚无高性能低烧铁氧体材料，只能用低介陶瓷作为介质制作低电感量的多层片式电感代替。该材料的主料为平面六角软磁铁氧体，配料为低温助烧剂。制备方法为固相反应合成法，助烧剂采用二次掺杂，通过球磨、烘干、预烧、球磨、烘干、造粒、成型、烧结等工艺获得性能优异的甚高频电感器材料，实现900℃以下低温烧结。本发明成本低、性能高、适用于300M～800MHz的甚高频段使用的片感器材料的要求。
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公开(公告)号：CN1067361C
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN98124799.7
申请日：1998-11-20
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/468 , H01L41/16
Abstract: 本发明属于电容器材料技术领域。该材料的主料成份为BaTiO3，改性添加剂为氧化钴和氧化铌及稀土氧化物和氧化锰。制备工艺为固相合成法及化学合成法。利用本发明的配方和工艺可以获得性能优良的X7R型MLCC材料，无需加入助烧剂，可以显著降低合成及烧成温度。材料的室温介电常数高达4400，容温变化率≤±15%。电阻率高＞1012-13Ω·CM，击穿电压＞11KV/mm。烧结温度≤1240℃。
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公开(公告)号：CN1170705A
公开(公告)日：1998-01-21
申请号：CN97103840.6
申请日：1997-04-04
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/465 , H01L41/16
Abstract: 一种钙钛矿型氧化物铁电体-金纳米微粒复合材料,属功能材料领域。该材料是在钙钛矿型氧化物铁电体中含有弥散相的金纳米微粒。其制备方法是首先分别将组成铁电体基体的材料制成前驱体溶液和金溶液,再将两种溶液按一定的配比混合,两种溶液充分混合后产生水解反应形成溶胶,然后按得到薄膜铁电体－金纳米微粒复合材料或粉末状铁电体－金纳米微粒复合材料或块状铁电体－金纳米微粒复合材料而采用相应的工艺。本复合材料其热释电性质和二次非线性光学性质与相应的单纯铁电体材料相比有显著改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120091495A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202411448689.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及磁共振技术领域，提供一种拓扑超材料构件，用于提高成像质量。该构件包括：多个拓扑电路片，拓扑电路片依次旋转排列，围成一中空结构；其中，每一拓扑电路片包括：基板、多个第一导电片、多个第二导电片、多个第一电容及多个第二电容，多个第一导电片、多个第二导电片、多个第一电容及多个第二电容均设置在基板上，多个第一导电片、多个第二导电片、多个第一电容及多个第二电容形成多个闭合回路；其中，第一电容依次串联连接，第二电容依次串联连接；每一闭合回路包括一个第一导电片、一个第二导电片、一个第一电容及一个第二电容，相邻的闭合回路共用第一导电片或第二导电片，第一导电片比第二导电片多一个。
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公开(公告)号：CN120087300A
公开(公告)日：2025-06-03
申请号：CN202411448141.X
申请日：2024-10-16
Applicant: 清华大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本申请提供一种电路参数的确定方法、装置、设备、存储介质及程序产品，涉及电路设计领域，用于使得拓扑绝缘体电路中的电流呈现特定分布或增强。该方法包括：获取预先构建的拓扑绝缘体电路的电路模型，拓扑绝缘体电路包括多个第一闭合回路及第二闭合回路；根据电路模型、第一闭合回路的耦合强度及第二闭合回路的耦合强度确定第一闭合回路的在位能及第二闭合回路的在位能；基于第一闭合回路的在位能及第二闭合回路的在位能确定拓扑绝缘体电路的电路参数。
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公开(公告)号：CN114910839B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202110183916.5
申请日：2021-02-10
Abstract: 本发明涉及一种双核磁场增强装置及磁共振系统。第一筒形支架具有第一外表面与第一内表面。第一外表面环绕第一内表面，并且与第一内表面间隔相对设置，第一内表面包围形成第一容纳空间。第一磁场增强组件的延伸方向与第一筒形支架的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕第一中心轴线间隔设置于第一外表面。第一环形导电片和第二环形导电片分别设置于第一筒形支架相对的两端，并环绕第一中心轴线设置，第一环形导电片的两端的连接处具有第一相位调控缺口，第二环形导电片的两端的连接处具有第二相位调控缺口。每个第一磁场增强组件的两端分别与第一环形导电片和第二环形导电片连接。第二筒形磁场增强器设置于第一容纳空间内。
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公开(公告)号：CN114910850B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110183943.2
申请日：2021-02-10
Abstract: 本申请涉及一种双核MRI的图像增强超构表面器件，具体为双核磁场增强装置及磁共振系统，所述双核磁场增强装置包括第一筒形磁场增强器与第二筒形磁场增强器。所述第一筒形磁场增强器包围形成第一容纳空间。所述第一筒形磁场增强器用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器设置于所述第一容纳空间内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号。所述第二筒形磁场增强器包围形成第二容纳空间，用于容纳检测部位。所述双核磁场增强装置实现了对氢质子核和非氢质子核的双核MRI两个信号场的同时增强。相对传统技术，所述双核磁场增强装置可以具有更高的磁场增强效果。在应用于MRI设备成像时，所述双核磁场增强装置可以辅助MRI设备获得更高质量的图像。
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公开(公告)号：CN116599468A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310528201.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 清华大学
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的太赫兹二倍频器件及方法，包括设置有太赫兹二倍频器件；基频太赫兹波垂直入射太赫兹二倍频器件，超表面结构单元在超表面谐振频率处产生谐振；介质环结构由于谐振引起局域电场的增强，在基频太赫兹波电场的激发下，中心介质结构位置处电场强度增强，中心介质结构通过碰撞电离产生动态载流子；介质环结构通过谐振在环内获得局域磁场的增强，动态载流子在磁场力的驱动下做非对称加速运动，产生二阶极化进而辐射太赫兹二倍频。本发明具有超高的设计自由度，能够根据实际需要设计超表面结构，实现基频在0.1THz‑10THz范围内的高效太赫兹二次谐波产生。
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