一种氧化锆陶瓷
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112573918A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011644299.6

    申请日:2020-12-30

    发明人: 邱基华 郑镇宏

    摘要: 本发明公开了一种氧化锆陶瓷。本发明的氧化锆陶瓷包含增韧剂和稳定剂,所述增韧剂为过渡族金属氧化物,所述氧化锆陶瓷中增韧剂的含量为0.05‑20wt%,所述稳定剂为Y2O3,且所述氧化锆陶瓷中Y2O3的含量为3.1‑7wt%;所述氧化锆陶瓷中存在具有核壳结构的四方氧化锆,所述具有核壳结构的四方氧化锆晶体中心的Y2O3含量低于远离中心部分的Y2O3含量。本发明通过在氧化锆陶瓷材料中添加适量的过渡族金属氧化物,大幅提高了材料的抗冲击性能,制备得到的氧化锆陶瓷的落球冲击高度从现有的15cm以下,提高到20cm以上,满足了现有便携式电子设备外包装部件的使用需求。

    一种移动终端陶瓷复合中框及其制备方法

    公开(公告)号:CN110324467B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910524043.2

    申请日:2019-06-17

    IPC分类号: H04M1/02 C04B41/00

    摘要: 本发明公开了一种移动终端陶瓷复合中框,包括陶瓷边框、金属中板,所述陶瓷边框和金属中板之间通过塑胶骨架实现连接,所述金属中板、陶瓷边框设有搭接结构,所述塑胶骨架两侧设有咬合结构,所述塑胶骨架一侧的咬合结构与陶瓷边框的搭接结构连接,所述塑胶骨架另一侧的咬合结构与金属中板的搭接结构连接。本发明中的陶瓷复合中框由陶瓷边框、金属中板进行模内注塑而成。中框外观面具有陶瓷温润如玉、坚硬耐磨的质感;可以根据天线设计需要,在陶瓷边框内部实现局部金属化,便于天线设计和布局,整体中框质感和效果绝佳。同时,本发明还公开一种所述移动终端陶瓷复合中框的制备方法。

    一种多孔发热体及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN111134362A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010008920.3

    申请日:2020-01-03

    摘要: 本发明公开了一种多孔发热体,包括多孔体和导电物质,所述导电物质设于多孔体表面,所述导电物质为碳材料和/或碳硅复合材料。本发明通过将碳材料和/或碳硅复合材料这一类导电物质设置在多孔体表面,解决了现有技术存在的升温速度慢、温度分布不均匀、发热片容易变形开裂、使用寿命短、用户体验差等技术缺陷,有利于提升烟油雾化时的效率和均匀性。本发明还公开了一种多孔发热体的制备方法,本发明采用CVD化学气相沉积方法,将导电物质C和Si元素或C元素从外表面到内表面覆盖到多孔陶瓷内外结构表面,实现内外部结构表面整体覆盖电子导电物质层,形成一个一体化的发热体,在两个不同测量点之间具有大致相同的阻值。

    一种光纤快速成端组件
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102375184A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110354831.5

    申请日:2011-11-10

    IPC分类号: G02B6/38

    摘要: 本发明公开一种光纤快速成端组件,包括光纤对接装置,用于预埋光纤和接入光纤的对接,其还包括连接座、光纤弯曲装置及光缆弯曲装置;连接座内设有通孔,光纤对接装置设于连接座一端的通孔内,光纤弯曲装置插装于连接座另一端的通孔内,光纤弯曲装置用于弯曲接入光纤,光纤弯曲装置尾端设有用于抵紧光纤弯曲装置的第一弹簧。本发明很好的弥补了由于对接装置材料因环境变化引起的尺寸变化导致对接不充分隐患,确保在不同的环境下光纤对接性能不变。所述光缆弯曲装置可以通过推动卡槽将其定位在外壳凹槽中来实现预留缓冲光缆,解决了在现场作业过程中由于接入光缆的盘卷或拉拽而造成的光纤断裂或脱离对接。

    一种MT插芯及其制备方法和应用
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118813048A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410827615.5

    申请日:2024-06-25

    发明人: 郑镇宏 陈树城

    摘要: 本发明公开了一种MT插芯及其制备方法和应用,所述MT插芯包括以下质量百分数的原料:聚苯硫醚15~34.5%,改性Al2O3 14~21%,改性SiO2 29~48.5%,改性CaCO3 22~34%;所述改性Al2O3、所述改性SiO2和所述改性CaCO3分别为偶联剂改性的Al2O3、偶联剂改性的SiO2和偶联剂改性的CaCO3。本发明通过采用偶联剂对Al2O3、SiO2、CaCO3无机颗粒进行表面改性,可以提高无机颗粒与聚苯硫醚(PPS)树脂的相容性,从而提高MT插芯的机械强度和尺寸稳定性。

    一种劈刀及研磨工艺
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117984164A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410033083.8

    申请日:2024-01-09

    发明人: 郑镇宏 陈树城

    摘要: 本申请公开了一种劈刀及研磨工艺,研磨工艺为干性研磨,所述研磨工艺包括如下工作流程:将劈刀坯料装配于研磨设备的夹具;根据劈刀的锥面预设的角度调整砂轮的角度,砂轮的磨削面与劈刀坯料中心轴线的夹角等于劈刀预设的锥面与劈刀中心轴线的夹角;启动研磨设备,劈刀坯料和砂轮的旋转方向相反;砂轮移动至与劈刀坯料的前端边缘接触;根据劈刀目标规格计算、确定进给速度k以及进给量X;砂轮根据所确定的进给速度k以及进给量X研磨劈刀坯料,且砂轮沿劈刀坯料的中心轴线进给;完成劈刀锥面的研磨。砂轮按照确定的进给速度和进给量研磨劈刀坯料的前端,获得预设的劈刀锥面,提高劈刀的尺寸精度。本申请可广泛应用于劈刀研磨技术领域。

    一种拼接陶瓷及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN116082055B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202310087991.0

    申请日:2023-01-18

    发明人: 郑镇宏 邱基华

    摘要: 本发明属于陶瓷制品技术领域,具体公开一种拼接陶瓷及其制备方法与应用。本发明的拼接陶瓷包括第一烧结体和第二烧结体;所述第一烧结体为含有导电相的氧化锆基导电陶瓷;所述导电相包括TiC、TiCN、TiN中的至少一种;所述第二烧结体为氧化锆陶瓷。本发明通过将一体成型坯体进行低温预氧化处理,部分导电相被氧化成TiO2,这部分TiO2作为导电陶瓷与普通氧化锆陶瓷拼接的中间介质,实现了导电陶瓷与普通氧化锆陶瓷的无缝拼接,所得到的拼接陶瓷中导电陶瓷部分电阻率达10‑3Ω·m‑10‑7Ω·m,拼接界面清晰,界面强度高达1000MPa以上,同时满足终端客户对导电性和结构件强度的要求。

    一种用于粉末注射成型的粘结剂

    公开(公告)号:CN115108840B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202210498721.4

    申请日:2022-05-09

    IPC分类号: C04B35/634 C04B35/632

    摘要: 本发明公开了一种用于粉末注射成型的粘结剂,包括以下质量百分比的组分:水溶性聚合物30~70%;骨架聚合物A 10~30%,骨架聚合物B 10~30%,防结晶剂4~10%,增塑剂5~12%,表面活性剂1~8%。本发明中的粘结剂通过调整粘结剂中各组分的比例,优化骨架聚合物A和骨架聚合物B的比例,解决了成型过程中的注射压力过大以及坯体太软导致变形的问题。此外,本发明中的粘结剂在使用时有机气体排放量小,更安全环保,热脱脂时间短,降低了生产成本和废气处理成本,适合工业化大规模生产和使用。

    一种MT插芯及其制备方法和应用
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114350151A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202210085072.5

    申请日:2022-01-25

    发明人: 郑镇宏 孙健

    摘要: 本发明公开了一种MT插芯及其制备方法和应用,所述MT插芯由包括以下质量百分数的原料制成:改性二氧化硅55~85%,PPS树脂14~44%,添加剂0.3~1.4%;所述改性二氧化硅是由表面改性液对二氧化硅进行喷雾改性制得。本发明中的MT插芯热膨胀系数小,力学强度高,具有优异的热学稳定性和力学强度,即使在不同工况环境下长期使用,MT插芯对光纤仍具有较高的定位精度。本发明中的MT插芯制备方法通过采用喷雾工艺对SiO2进行改性,有效防止SiO2粉体表面羟基脱水产生氧桥而引起粉体硬团聚,对后续粉体干燥处理要求低,采用低温加热干燥法即可;喷雾改性中有机溶剂用量小,极大降低环境污染。

    一种导电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN113788674A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111008305.3

    申请日:2021-08-30

    摘要: 本发明公开了一种导电陶瓷及其制备方法,属于材料领域。本发明所述导电陶瓷采用具有相变增韧能力的Y‑TZP陶瓷作为陶瓷基体,同时通过调配Y2O3含量和引入特定含量的相变增强剂,再添加适量的导电相保证导电陶瓷的导电性,最终得到的产品致密度≧97.5%,机械力学性能和导电性能优异,生产成本低且生产规模可控。本发明还公开了所述导电陶瓷的制备方法及应用。