公开(公告)号：CN105008316A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201480012705.3

申请日：2014-03-06

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也

IPC: C07C19/08 ,  H01L21/3065 ,  C07C17/38 ,  C07C17/383 ,  C07C17/389

CPC classification number: H01L21/31116 ,  C07C19/08 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及高纯度2-氟丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积%以上，丁烯类的含量为1000体积ppm以下，以及将该高纯度2-氟丁烷用作干蚀刻气体的方法。根据本发明，提供适合于作为半导体用的等离子体反应用气体的、高纯度的2-氟丁烷。

公开(公告)号：CN104995158A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480009975.9

申请日：2014-02-19

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也

IPC: C07C23/08 ,  C07C17/354 ,  C07C17/383 ,  H01L21/3065 ,  C07B61/00

CPC classification number: C09K13/00 ,  B65D25/38 ,  C07C17/23 ,  C07C17/383 ,  C07C23/08 ,  C07C2601/10 ,  C23F1/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明是一种1H-七氟环戊烯，其特征在于，纯度为99.9重量%以上，且有机氯类化合物的含量为350重量ppm以下。根据本发明，可以提供作为面向半导体的等离子体反应用气体适宜的高纯度1H-七氟环戊烯。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1127462C

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：CN98813747.X

申请日：1998-12-25

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 山田俊郎 ,  漆间贵史 ,  杉本达也

IPC: C07C23/02 ,  C07C23/08 ,  C07C17/23 ,  B01J23/44

CPC classification number: C07C23/08 ,  C07C17/00 ,  C07C17/208 ,  C07C17/23

Abstract: 通过在贵金属催化剂的存在下，在液相或汽相中氢化具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物制备各具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物。具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的所述化合物优选为C4-C10脂环化合物，并可通过使具有-CH2-CHF-基团和至少4个碳原子的化合物与氟化剂反应来制备。