公开(公告)号：CN1797770A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510134101.9

申请日：2005-12-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  古林智一

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02 ,  H01G4/06 ,  C01G33/00 ,  C01G29/00

CPC classification number: C04B35/495 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/768 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种铁电膜、铁电膜的制造方法，本发明涉及的铁电膜(101)的制造方法包括：(a)将含有铌元素的多元羧酸盐、含铋元素的多元羧酸盐、多元羧酸或多元羧酸酯、和有机溶剂混合的工序；(b)将混合的溶液涂布在基体上之后进行热处理，由此形成由BiNbO4构成的铁电膜的工序。根据本发明，可以提供不含铅的可靠性高的铁电体及其制造方法、铁电体电容器以及铁电存储器。

公开(公告)号：CN1675747A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。