借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法和控制设备

    公开(公告)号:CN103575775B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201310324985.9

    申请日:2013-07-30

    CPC classification number: G01N27/4141

    Abstract: 本发明涉及一种借助于气敏场效应晶体管测量气体参数的方法。该方法具有如下步骤:在准备时间段期间给场效应晶体管的栅极施加准备电压。该方法还具有如下步骤:在紧接在准备时间段之后的检测时间段期间检测场效应晶体管的源极接线端子与漏极接线端子之间的测量参数,其中在检测测量参数的期间将检测电压施加在栅极上,所述检测电压具有一电平值,该电平值的数值尤其是小于准备电压的绝对值。最后,该方法具有如下步骤:在使用所检测的测量参数的情况下确定气体参数。

    用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法

    公开(公告)号:CN105784786A

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201610010520.X

    申请日:2016-01-08

    CPC classification number: G01N27/123 G01N27/12

    Abstract: 用于检测气态分析物的方法和传感器设备及其制造方法。本发明涉及用于检测至少一种气态分析物的传感器设备(300)。在此传感器设备(300)具有由化学电阻材料构成的化学电阻器层(310),所述化学电阻材料的电阻依赖于运行温度以及依赖于与至少一种气态分析物的接触。在这种情况下化学电阻器层(310)能够借助于通过该化学电阻器层的电流被调温到能够定义的运行温度上。传感器设备(300)也具有电极对(320、330),所述电极对与化学电阻器层(310)导电连接。在此在使用电极对(320、330)的情况下将用于将化学电阻器层(310)调温到能够定义的运行温度上的加热功率注入到化学电阻器层(310)中并且能够测量化学电阻器层(310)的电阻。

    用于排气测量的装置和方法

    公开(公告)号:CN102791983B

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201180014180.3

    申请日:2011-01-18

    Abstract: 本发明提供了一种用于测量排气气流的至少一部分的气体浓度的排气传感器单元(120)。所述排气传感器单元(120)包括排气传感器壳体(130),其在排气传感器壳体(130)的第一端部上具有进入开口(140),构造所述进入开口以便与排气管路(110)流体密封地连接;并且在排气传感器壳体(130)的与第一端部对置的第二端部上具有排出开口(150),构造所述排出开口以便与排气管路(110)的外部的区域连接。所述排气传感器单元(100)还具有排气传感器,其布置在排气传感器壳体(130)中并且进行构造以便测量排气气流的至少一部分的气体浓度。

    传感器装置
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103109173B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180045518.1

    申请日:2011-07-29

    Abstract: 本发明涉及一种传感器装置,尤其用于探测带内燃机的机动车的废气中的气体排放物,包括气体管路(12)和由壳体(16)限定边界的以及与气体管路(12)的内部通过入口(18)和出口(20)流体连通的分析室(14),其中分析室(14)至少部分布置在气体管路(12)之外,并且其中在分析室(14)中这样布置传感器(28),使该传感器处在气体管路(12)之外。按照本发明设置了至少一个冷却元件(32),该冷却元件布置在气体管路(12)和传感器(28)之间的区域中。传感器(28)由此可以在处在废气温度之下的温度下运行。

    用于发射电磁辐射的装置
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104251833A

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201410295817.6

    申请日:2014-06-27

    CPC classification number: H01L31/02325 G01N21/31 G01N2201/0612 G01N2201/062

    Abstract: 本发明涉及用于发射电磁辐射的装置(3),具有至少一个光学半导体元件(7)、至少一个光电二极管(5、8)和至少一个分束器(9、18),利用所述光学半导体元件能产生电磁辐射(19、20),其中所述分束器(9、18)相对于所述光学半导体元件(7)和所述光电二极管(5、8)被布置,使得由所述光学半导体元件(7)所产生的电磁辐射(19、20)的一部分(10)通过所述分束器(9、18)并且由所述光学半导体元件(7)所产生的电磁辐射(19、20)的另一部分(11)被所述分束器(9、18)反射并且被对准所述光电二极管(5、8)。

    用于车辆的废气引导元件、废气测量装置及用于制造废气引导元件的方法

    公开(公告)号:CN104062152A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410099331.5

    申请日:2014-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种用于车辆(100)的用来将废气的至少一部分(304)引导到传感器(302)的废气引导元件(200),其中,所述废气引导元件(200)沿着纵轴线(202)的方向比沿着横轴线(204)的方向以更大的延伸度延伸,其中,废气引导元件(200)沿着纵轴线(202)的方向是气体可通过的,其中,一个沿着纵轴线(202)的方向的端部构造为接收区域(208),并且对置的端部构造为测量区域(206),其中,特别是可将传感器(302)设置在测量区域(206)中,并且将气体接收元件(210)设置在接收区域(108)中。

    气体探测装置和方法
    39.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102346161A

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN201110215725.9

    申请日:2011-07-29

    CPC classification number: G01N27/4141

    Abstract: 本发明提供一种气体探测装置,它具有一种半导体材料(100),其中,半导体材料是电可接触的;并且该装置具有一种绝缘材料(102),所述绝缘材料具有预定的厚度,并且是涂覆到半导体材料上的;并且具有一个涂覆到绝缘材料上的电可接触的金属层(104),其中,这个金属层具有至少一个孔(106)、且该孔具有预定的孔隙宽度,其中,这个孔隙宽度和绝缘材料的厚度成一种预先规定的比例,并且其中,在孔的范围中绝缘材料是外露的。

    化学敏感的场效应晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN102315128A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110190654.1

    申请日:2011-07-08

    CPC classification number: G01N27/4141

    Abstract: 本发明涉及用于制造场效应晶体管、尤其用于气体传感器的化学敏感的场效应晶体管的方法。为了提高可采用的处理技术和材料的数量以及在处理衬底的顺序上的变化可能性,在该方法的范畴内构造一个栅绝缘保护层(3),其中该栅绝缘保护层(3)在进一步处理时保护该栅绝缘层(2)以防止环境影响,并在构造栅极层之前被部分或完全地去除。此外本发明还涉及这种场效应晶体管以及其应用。

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