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公开(公告)号：CN116693286A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310686253.8
申请日：2023-06-09
Applicant: 西安交通大学 , 广东捷成科创电子股份有限公司
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B35/64 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种低应变迟滞度的BNT‑BT‑NN陶瓷及其分步烧结的制备方法，包括：分别称取分析纯度的原料，经过一次球磨、预烧、二次球磨、烘干、造粒和压片，得到所述组分的陶瓷素坯。随后经过排胶、烧结处理，得到所述的BNT‑BT‑NN陶瓷材料，其中烧结工艺采用分三步烧结方法，最后经过被银和极化操作后，制得较低应变迟滞度的BNT‑BT‑NN陶瓷片。本发明通过优化BNT‑BT‑NN陶瓷的烧结方法，不仅降低了陶瓷的烧结温度，同时大幅降低陶瓷的应变迟滞度，工艺条件易于控制，实用性较强，有利于工业化大规模生产，提高该材料在压电致动器领域的应用价值。
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公开(公告)号：CN112499581B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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公开(公告)号：CN112499581A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011266405.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种表面增强拉曼散射衬底的制备方法，包括：在SiO2/Si(001)衬底上制备密排单层纳米微球二维胶体晶体层；减小纳米微球的直径；在样品表面沉积一层金属薄膜；剥离微球二维胶体晶体层；采用干法刻蚀SiO2层；采用湿法刻蚀Si(001)衬底，形成倒金字塔结构；使用腐蚀溶液剥离SiO2和金属掩模层，得到带倒金字塔结构的Si模板；在Si模板上制备贵金属薄膜；使用胶黏剂将贵金属薄膜转移到新衬底上，金字塔结构外露；在贵金属金字塔表面转移一层石墨烯。本发明的方法使用了胶体光刻和微纳加工两种方法，成功制备了金字塔型SERS衬底；所制备的衬底在大尺度范围内纳米金字塔结构分布均匀，同时具有高灵敏性和通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110217785A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910477145.3
申请日：2019-06-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种CVD生长的石墨烯的转移操作方法，包括：对CVD生长的石墨烯进行预处理，然后平置于目标基底上，使石墨烯侧与目标基底接触；将生长基底与目标基底固定在一起，将生长基底和目标基底用胶黏剂黏结，获得黏结后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并置于真空环境中，去除石墨稀与目标基底之间的空气；保持预设时间使胶黏剂在真空状态下完全固化，获得胶黏剂固化后的生长基底-石墨烯-目标基底复合结构并通过腐蚀性溶液将生长基底去除，获得残留腐蚀性溶液的石墨烯-目标基底复合结构；清洗，干燥，获得目标基底与石墨烯薄膜结合体，完成转移。本发明的操作方法无需使用PMMA，可将CVD石墨烯薄膜清洁地转移到目标基底上。
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公开(公告)号：CN109898138A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910150084.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法，属于单晶薄膜外延制备领域。对(001)取向的Ge衬底进行超声清洗，然后装入脉冲激光沉积系统的腔室中，并将腔室抽至背底真空，将衬底加热至800℃，维持一定的气压和温度状态后，对衬底进行退火处理，使其表面重构以便后续薄膜生长过程中薄膜的结晶，调整气压和温度，控制温度在500-800℃，打开激光器，进行薄膜生长，至一定程度后停止生长，使衬底自然降温，待样品降至室温后向腔室内通入空气，打开腔体取出样品，完成生长。可以简便地、低成本地实现Ge上钛酸钡薄膜的外延生长，得到的薄膜界面清晰、薄膜为单晶外延生长、薄膜表面平整。
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公开(公告)号：CN103708828A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310660896.1
申请日：2013-12-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , H01L41/39 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜的制备方法，属于压电材料制备技术领域。包括以下步骤：1）按照（1-x）Bi0.5Na0.5TiO3-xBaTiO3的化学计量比，制备微纳米级钛酸铋钠-钛酸钡粉体；2）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；3）将钛酸铋钠-钛酸钡粉体分散到钛酸铋钠先驱体溶胶中，制备混合浆料；4）旋涂沉积钛酸铋钠先驱体溶胶-热处理-旋涂沉积混合浆料-热处理，制得单层复合膜；5）重复步骤4）直至制得厚度为1～20微米的钛酸铋钠-钛酸钡无铅复合压电厚膜。本发明对现有的溶胶凝胶技术做出了改进，工艺低成本、制膜厚度灵活、可重复性好，突破了普通溶胶凝胶工艺的临界厚度限制。
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公开(公告)号：CN102956811A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210458025.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/18 , H01L41/39 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及无机材料中的压电复合厚膜及其制备方法，公开了一种用于高频超声换能器的钛酸铋钠基无铅压电复合厚膜及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）按照Bi0.5Na0.5TiO3的化学计量比，制备钛酸铋钠先驱体溶胶；（2）制备微纳米级Bi0.5Na0.5TiO3粉体；（3）将微纳米级陶瓷粉体与钛酸铋钠先驱体溶胶混合，其中陶瓷粉体的质量含量为20%～80%，制备混合浆料；（4）重复旋涂工艺-热处理工艺，得到具有无铅压电复合厚膜。
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公开(公告)号：CN218073244U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202222153016.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 西安交通大学医学院第二附属医院
IPC: A01N1/02
Abstract: 本实用新型提供了冷冻载杆固定器，包括固定组件，所述固定组件包括固定箱、定位杆、移动板、连接块、第一夹块、橡胶垫、第二夹块、第一梯形块、螺杆、移动杆、第二梯形块、马达；所述固定箱的两侧内壁之间焊接有定位杆，所述定位杆上滑动连接有移动板，所述移动板的顶部焊接有多个连接块。本实用新型马达通过螺杆带动移动杆移动，移动杆带动限位板在限位杆上滑动，移动杆带动第二梯形块与第一梯形块接触并挤压，使得第一梯形块向右移动，第一梯形块带动移动板在定位杆上滑动，移动板通过连接块带动第一夹块移动，使得第一夹块和第二夹块带动橡胶垫将冷冻载杆进行固定，从而便于对多个冷冻载杆同时夹持固定，提高稳定性，提高实验效率。
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