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公开(公告)号：CN111023996A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911128583.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种单帧动态三维测量方法，包括：对图像的RGB三个颜色通道分别进行编码，得到单帧条纹图；将单帧条纹图投影至待测物体表面，得到变形条纹图的强度分布；根据变形条纹图的强度分布，去除变形条纹图的背景强度，得到去除背景强度的变形条纹图；对去除背景强度的变形条纹图进行归一化处理，得到归一化处理结果；利用利萨如椭圆拟合方法对归一化处理结果进行处理，得到待测物体的相位信息；根据相位信息，得到待测物体的三维形貌信息。本发明的方法将利萨如椭圆拟合技术提取物体的相位信息应用到条纹投影系统，仅采用单帧条纹即可重建物体的三维形貌，计算更简便，重建的三维形貌具有较高的鲁棒性和精确度。
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公开(公告)号：CN109037340A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810845184.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/4236 , H01L29/66734
Abstract: 本发明公开一种T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管。其包括：P‑衬底(1)、第一N+型夹层(2)、第一P+型源区(3)、栅氧化层介质(6)、栅区(7)和漏区(8)，第一N+型夹层和第一P+型源区位于P‑衬底左侧，栅氧化层介质位于第一N+型夹层右侧，栅区位于栅氧化层介质上面，漏区位于P‑衬底的底部，P‑衬底右侧设有第二P+型源区(5)和第二N+型夹层(4)，第一N+型夹层(2)和第二N+型夹层(4)采用SiGe材料，第一P+型源区(3)和第二P+型源区(5)采用Ge材料，以在“T”型栅区左、右两侧形成双源和异质结。本发明提高了晶体管开态电流，降低了亚阈值摆幅，可用于低功耗集成电路器件。
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公开(公告)号：CN106534610A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611111565.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04N1/405
CPC classification number: H04N1/4052
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的改进彩色矢量误差扩散方法，所述基于FPGA的改进彩色矢量误差扩散方法通过RGB三个通道实现误差扩散的并行处理，并采用矩阵增益模型使单通道的误差扩散值可以扩散到其他两个通道；通过硬件实现半色调过程及误差值生成，使用增益矩阵预存储器替代算法中的乘法运算；对每个通道，采用流水线的方式处理，使误差扩散的流程平均在一个时钟周期内可以计算出一个像素点的半色调结果。FPGA为运行平台，通过对半色调算法的彩色矢量误差扩散算法的改进，实现算法在嵌入式平台上的快速高效执行。实现了彩色矢量误差扩散不同通道之间的并行处理。将基色之间并行处理，提高处理效率。
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公开(公告)号：CN101515910A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910021743.6
申请日：2009-03-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种DMR物理层四电平调制解调器，它属于无线通信技术领域。该调制器将原始二进制数据按系统要求的格式进行组帧，并将数据两两顺序映射为四进制符号；然后在四进制符号之间插入零值，并对插值后的数据进行根升余弦滤波，产生带限的四进制基带信号。解调器对四进制基带信号的采样数据帧进行去直流分量处理，并通过根升余弦滤波器进行匹配滤波；将滤波后的数据与本地存储的同步码波形进行相关运算，寻找最佳抽判位置；然后利用最佳抽判位置的样点分段计算动态门限，进行多电平判决，得到四进制符号；最后将四进制符号反映射，还原二进制数据信息。本发明可按系统要求灵活的进行组帧，适用于各种数据帧结构包括DMR帧结构的数字通信系统。
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公开(公告)号：CN118471038A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410649930.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国地震应急搜救中心
Abstract: 一种可重构式地震场景模拟自动测试方法，控制平台PLC分别控制龙门架行车、自动止晃起吊装置、电磁吸附装置和液压剪叉式升降装置完成对板材的取放；通过控制平台PLC控制龙门架行车吸附板材，并以不同方式叠放至埋入式振动底座平台的不同位置，能够根据预设指令完成单板倒塌、叠层倒塌、斜板倒塌和“A”字形倒塌等多种地震场景的自动搭建和场景重构，本发明提高了救援训练的多样性、真实性和效率，能够更好地满足实际救援演练的需求，具有高效且多样的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111023995A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911128510.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于随机两帧相移条纹图的三维测量方法，包括：向待测物体依次投影第一条纹图和第二条纹图，得到第一变形条纹图和第二变形条纹图；分别对第一变形条纹图和第二变形条纹图进行背景滤除和调制度幅值矫正，得到第一矫正结果和第二矫正结果；利用利萨如椭圆拟合方法对第一矫正结果和第二矫正结果进行处理，得到待测物体的相位信息；根据相位信息，得到待测物体的三维形貌信息。本发明的方法利萨如椭圆拟合技术提取物体的相位信息应用到条纹投影系统，仅采用两帧具有不均匀背景强度和调制度的条纹图重建物体的三维形貌，计算更简便，重建的三维形貌具有较高的鲁棒性和精确度。
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公开(公告)号：CN110488397A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910677754.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种复合透镜、可编码单帧成像装置及成像方法，复合透镜包括平行光入射面、第一平面波出射面、第二平面波出射面和球面波出射面，其中，球面波出射面为透镜状；平行光入射面与球面波出射面相对，且平行光入射面的宽度大于球面波出射面的宽度；第一平面波出射面与第二平面波出射面相对；球面波出射面设置在第一平面波出射面与第二平面波出射面之间。该复合透镜可以将非相干的平行光调制为平面波和球面波，解决了空间光调制器的能量损耗、带宽限制、效率及填充因子约束、尺寸对视场的约束等问题，保留了菲涅耳关联全息的成像优点，提高了光路稳定性的同时对入射光束进行完全调制，实现了单帧、纯光学元件的菲涅耳关联全息成像。
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公开(公告)号：CN108535681A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810110043.3
申请日：2018-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种透过散射介质的目标4D跟踪系统及方法。解决了传统目标跟踪方法无法对遮挡物后的目标进行多维度跟踪的技术问题，系统包括：LED光源、透镜、目标、散射介质、滤光片和探测器。利用4D跟踪方法，首先，采集多幅散斑图像，对所有散斑图像进行消噪预处理，求出所有消噪散斑图像的自相关计算结果，结合相关系数运算算法，得到目标的旋转角度θ。根据自相关面积和物像关系求得目标沿光轴方向z的运动结果。接着根据自相关和互相关结果，求得目标在x和y方向上的运动结果。本发明的透过散射介质的目标4D跟踪系统结构简单，成本低，跟踪方法简单、跟踪精度高、适用范围广，在生物医学成像、军事、民事等领域具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN108445719A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810331541.0
申请日：2018-04-13
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种散射介质可控3D数字无掩模光刻系统及方法。解决了重复设计掩模，焦深小和利用率低的问题。系统中的待测量部分依次接有第一分光棱镜、空间光调制器，第一显微物镜，散射介质，第二显微物镜，位移平台，第二分光棱镜，还附有参考支路。光刻方法中首先测得多波长光学传输矩阵，通过分块寻优得到对每个单色光均适用的通用光学传输矩阵，移动位移平台使用通用光学传输矩阵对待光刻3D目标切片聚焦标定后实施3D光刻。本发明仅需测得散射介质的通用光学传输矩阵及聚焦标定，即可实施3D光刻。通过改变光源波长提高光刻分辨率，系统复杂度和元件成本低、效率高且焦深大，用于超材料、微光学器件、微机电系统等众多领域。
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公开(公告)号：CN106684157A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610601387.5
申请日：2016-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0657 , H01L29/66143
Abstract: 本发明公开了一种三台阶场板终端的4H‑SiC肖特基二极管，主要解决传统场板终端的4H‑SiC肖特基二极管击穿电压小于1500V的问题。其包括N+4H‑SiC衬底(1)，衬底正面设有同型的N‑4H‑SiC外延层(2)，衬底背面设有N型的欧姆接触(3)，外延层表面两侧设有三台阶形状的SiO2钝化层(4)，外延层表面中间设有三台阶形状的金属场板终端(5)。该三台阶钝化层(4)的三个台阶总厚度与三台阶金属场板终端(5)的三个台阶总厚度相同。本发明由于将场板终端设为三台阶形状，使4H‑SiC肖特基二极管的击穿电压达到了2000V以上，提高了二极管的抗击穿能力，可用于大功率集成电路的制备。
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