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公开(公告)号：CN111261722A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010072965.7
申请日：2020-01-21
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06
摘要： 一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。
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公开(公告)号：CN110190120A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910370872.X
申请日：2019-05-05
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423
摘要： 一种具有低开启过冲电流的横向绝缘栅双极型晶体管，在维持电流能力，耐压能力不下降的前提下，减小第二个栅脉冲开启时流经器件的电流峰值。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成夹断区。P型体区表面设有栅氧化层，栅氧化层上设有多晶硅栅电极，所述多晶硅栅电极由位于P型体区表面上方的第一栅电极和位于夹断区及N型漂移区上方的第二栅电极组成，第一栅电极接第一栅电阻，第二栅电极接第二栅电阻。
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公开(公告)号：CN105634279B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610179693.4
申请日：2016-03-25
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种提高单电感多输出电源变换器负载瞬态响应的方法，在现有单电感多输出电源变换器的基础上，在各输出支路中的次级功率开关管的源、漏极之间增设负载电流采样网络，直接检测各输出支路开关管上的电流变化来体现负载电流的变化，并作为前馈电流及时地将任一路负载电流的变化反映到次环各支路的控制电路中，快速调节占空比，实现快速响应，减小输出电压的纹波，避免系统的不稳定性。
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公开(公告)号：CN106099864A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610571071.6
申请日：2016-07-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： H02H7/20
CPC分类号： H02H7/205
摘要： 一种IGBT功率开关器件的短路保护方法及其电路，包括IGBT驱动电路、栅极驱动电阻RG、短路检测电路和短路处理电路。其中IGBT驱动电路用来给IGBT的栅极提供工作电压，IGBT驱动电路还包括一个控制端口，用来接受来自短路检测电路的短路控制信号，对IGBT驱动电路的输出信号进行锁定；短路检测电路包括硬开关短路故障(HSF)检测电路和带载短路故障(FUL)检测电路两个部分，分别对IGBT的两种短路行为进行检测，共同构成IGBT的短路检测电路；短路处理电路则是当短路故障发生时，对短路故障进行安全可靠的处理。本发明通过对IGBT栅极瞬态行为进行短路检测，电路简单，检测时间短，能够可靠地检测IGBT短路故障，从而对IGBT进行有效的保护。
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公开(公告)号：CN106024910A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610363983.4
申请日：2016-05-26
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
CPC分类号： Y02P70/605 , H01L29/8618 , H01L29/6609 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。
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公开(公告)号：CN105978553A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610395870.2
申请日：2016-06-06
申请人： 东南大学
IPC分类号： H03K19/0944
CPC分类号： H03K19/0944
摘要： 一种高速输出驱动器电路，包括前置驱动级和功率管驱动级，其特征在于：从前置驱动级的输入端IN到功率管驱动级的输出OUT之间，驱动器电路采用了信号路径的多样化技术及分布式和加权开关驱动技术，信号从输入到输出通过两条不同传输路径传输，在前置驱动级中采用两组大、小尺寸不同的缓冲器组合，在功率管驱动级中采用与前置驱动级中缓冲器对应的两组大、小尺寸不同的输出晶体管组合，两组输出晶体管的输出端并行连接，前置驱动级按顺序激活输出驱动级的晶体管，以实现在不减小输出驱动器电流驱动能力的同时减小传输延时并减小输出信号从一个逻辑状态转换为另一个逻辑状态时输出电流的变化率di/dt。
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公开(公告)号：CN103928508B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410179067.6
申请日：2014-04-29
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本发明涉及一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括P型集电区、N型缓冲层、N型漂移区、槽栅结构、第一P型体区、第二P型体区、N型发射极体区、高掺杂N型埋层、发射极金属。其特征在于所述的高掺杂N型埋层位于第二P型体区内部表面下方，由此通过增加器件的表面电阻大大改善空穴的电流路径，使得器件在开关过程中位移电流大大降低，过冲大为减小，噪声大幅减弱。同时，由于保留了传统结构中的第二P型体区，也保留了传统结构良好的正向导通压降与关断损耗的折中关系。此结构工艺简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103928507B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410151709.1
申请日：2014-04-15
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423
摘要： 本发明提供能够改善逆导型绝缘栅双极型晶体管电流回跳现象，并且提高关断速率，改善耐压的半导体器件。该半导体具备：P型衬底上设有埋氧层，其上设有漂移区，漂移区包含对角设置的第一N型漂移区与第一P型漂移区，以及对角设置的第二N型漂移区与第二P型漂移区；在第一N型漂移区和第二P型漂移区内设有P型体区，在P型体区内设有N型发射极区和P型集电极区，以及用于连接两者的阴极金属，且在P型体区的上表面上设有阴极栅氧化层及阴极多晶硅层；在第一P型漂移区与第二N型漂移区内设有N型体区，在N型体区内设有N型集电极区和P型发射极区，以及用于连接两者的阳极金属，且在N型体区的上表面上设有阳极栅氧化层及阳极多晶硅层。
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公开(公告)号：CN103997317B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410215745.X
申请日：2014-05-21
申请人： 东南大学
摘要： 一种显著提高控制电流—输出频率线性度的张弛振荡器，包括振荡电路、延时误差检测电路和调制电流产生电路，延时误差检测电路用于检测振荡电路中充放电电容的峰值电压，并根据峰值电压产生延时误差消除信号，使振荡器振荡在预设的频率上，调制电流产生电路根据充放电电容上的峰值电压，产生相应的附加控制电流，提高充放电电容的充电速率，消除振荡电路延时的影响，提高控制电流—频率的线性度，由于调制电流产生电路输出的额外控制电流会使充放电电容C1和C2上的电压进一步增加，因此本发明还能够降低振荡器输出信号的抖动。
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公开(公告)号：CN103762230B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410036513.8
申请日：2014-01-24
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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