公开(公告)号：CN105458906B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201510809067.4

申请日：2015-11-20

申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所

发明人： 肖钰 ,  赵建忠

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： Y02P70/605

摘要： 本发明公开了一种制冷型红外焦平面探测器背面减薄方法，该方法包括：通过金刚石切削机将制冷型红外焦平面探测器粗加工到第一预定厚度；进一步通过所述金刚石切削机将粗加工到第一预定厚度的制冷型红外焦平面探测器精加工到第二预定厚度。本发明通过采用金刚石切削加工对制冷型红外焦平面探测器进行背面减薄，由于光滑的金刚石尖端可以使加工表面具有最小的残余应力和理想的粗糙度，同时，由于本发明不涉及夹具，因此，切削不同尺寸的器件时，不需要重新设计压力等工艺参数，所以本发明的加工方法简单，且加工工艺可控，从而有效解决了现有技术中对制冷型红外焦平面探测器进行背面减薄的工艺效率低的问题。

公开(公告)号：CN106414798A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201480076636.2

申请日：2014-12-22

申请人： 科慕埃弗西有限公司

发明人： 彭晟 ,  G.罗 ,  大﨑善政

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23G5/00 ,  C09K13/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/31116 ,  C09K13/00 ,  C09K13/08 ,  C23C16/4405 ,  C23G5/00 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

摘要： 本发明涉及可用作气体的氟烯烃组合物，所述气体用于CVD半导体制造，具体地讲用于蚀刻应用，包括通过使用活化的气体混合物从化学气相沉积室的内部清除表面沉积物的方法，以及蚀刻半导体的表面的方法。

公开(公告)号：CN106025060A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610559925.9

申请日：2016-07-15

申请人： 北京大学

发明人： 董蜀湘 ,  游苏健

IPC分类号： H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/37

CPC分类号： Y02P70/605 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/113 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1138 ,  H01L41/183 ,  H01L41/22 ,  H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/37

摘要： 本发明公开了一种波浪形结构压电复合器件及其制备方法和应用。本发明的波浪形结构压电复合器件包括：多条并联的压电复合条，每一条压电复合条为具波浪形曲面的长条；相邻的压电复合条的起伏形状相间；压电复合条固化在柔性封装体中；多条并联的压电复合条在两端分别相连；在其中的一端的上表面和下表面分别设置电极引出；本发明采用具有波浪形曲面的压电复合条，从而提供了一个预应力，会极大提高压电复合器件的灵敏度和压电输出信号；在敲打时产生很大的输出开路电压和短路电流，在充电可穿戴设备中具有很好的应用前景；并且能够作为能量回收器件；同时对人体的脉搏信号有良好的响应，能够作为血压脉搏传感器。

公开(公告)号：CN106024910A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610363983.4

申请日：2016-05-26

申请人： 东南大学

发明人： 孙伟锋 ,  童鑫 ,  杨卓 ,  宋慧滨 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

CPC分类号： Y02P70/605 ,  H01L29/8618 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78

摘要： 一种鳍式快恢复超结功率半导体晶体管及其制备方法，包括N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，在N型外延层的内设有柱状第二P型体区，在N型外延层的顶部设有第一P型体区且区位于两柱状第二P型体区之间，其表面设有N型重掺杂源区和P型重掺杂半导体接触区，在N型重掺杂源区、P型重掺杂半导体接触区和第二P型体区上连接有源极金属，在第一P型体区的两侧分别设有多晶硅栅，柱状第二P型体区止于多晶硅栅的下表面，且柱状第二P型体区低于第一P型体区，在多晶硅栅与第一P型体区、N型外延层及第二P型体区之间设有栅氧化层，在多晶硅栅与源极金属之间设有绝缘层，并且，栅氧化层使第一P型体区与第二P型体区相互分离。

公开(公告)号：CN105759748A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201410801945.3

申请日：2014-12-18

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 余志贤

IPC分类号： G05B19/418 ,  H01L21/66

CPC分类号： Y02P70/605 ,  Y02P90/02

摘要： 本发明提供一种半导体生产机台硬件性能的动态监控系统及监控方法，包括步骤：1)收集半导体生产机台的质量信息，整合所有的质量信息进数据库系统；2)由数据库系统分析并获得所述半导体生产机台的异常发生等级；3)判断所述异常发生等级是否超过正常标准；4)若所述异常发生等级在正常标准内，则半导体生产机台可继续进行生产工艺，不需检测维护；若所述异常发生等级在正常标准之外，则半导体生产机台需要检测维护，并且异常发生等级越高，检测维护的频率越高；反之则越低。通过本发明的监控方法可以以合理的频率进行生产机台的检测维护，降低晶圆报废的风险，同时降低生产成本。

公开(公告)号：CN104246007B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380017359.3

申请日：2013-03-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小森荣一 ,  八木宏宪

IPC分类号： C23C16/44 ,  B01D8/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4412 ,  B08B9/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4405 ,  F28B9/08 ,  H01L21/67017 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

摘要： 设置于流过从在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置主体(4)排出的排气的排气通路(60)的途中并且通过将排气中所含有的捕集对象气体冷却液化后进行回收的捕集机构(10)，包括：具有气体入口(72A)和气体出口(72B)的壳体(72)；将壳体内划分为多个滞留空间(74A～74C)的划分部件(76)；连通滞留空间彼此的连通路径(78A、78B)；和为了冷却排气而对连通路径进行冷却的冷却套部(80A、80B)。利用该构造，将排气冷却并且使其绝热膨胀，高效地将捕集对象气体冷却并使其液化。

公开(公告)号：CN105448667A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510977032.1

申请日：2015-12-23

申请人： 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司

发明人： 张磊

IPC分类号： H01L21/02 ,  B08B1/02

CPC分类号： Y02P70/605 ,  H01L21/02041 ,  B08B1/02

摘要： 本发明公开了一种wafer表面脏污清洗方法，包括以下步骤：将wafer圆片放置于真空腔内，通过持续吹入一段时间的带电离子风，使wafer圆片的表面均匀的附上静电；停止离子风的输出，给真空腔施加一定的电场电压，持续一段时间；断开真空腔的电压源，使真空腔恢复零点电场，将wafer圆片静置在腔体内一段时间，然后取出，得到完成清洗的wafer圆片。该方法能够彻底清洗wafer，避免二次污染和划伤，无污染，环保，有效降低了成本。

公开(公告)号：CN104037235A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410261023.8

申请日：2014-06-12

申请人： 西安理工大学

发明人： 高勇 ,  谢加强 ,  马丽 ,  王秀慜

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： Y02P70/605 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66121

摘要： 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从上到下依次设置有P+阳极区、超结部分、N-层和N+P+N+阴极区；所述的超结部分为对半设置的N柱和P柱组成，N柱和P柱沿横向排列，超结部分的N柱和P柱至少设置一对。本发明还公开了该种快速软恢复功率开关二极管的制备方法。本发明的快速软恢复功率开关二极管及制备方法，使得二极管的反向恢复峰值电流较常规的PiN二极管大大减小，反向阻断特性和正向导通特性有了很大提升，能够更好的适用于高频电路应用中。

公开(公告)号：CN103624675A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310625942.4

申请日：2013-11-29

申请人： 河北同光晶体有限公司

发明人： 高宇 ,  邓树军 ,  陶莹 ,  段聪 ,  赵梅玉

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/005

CPC分类号： Y02P70/605 ,  B24B37/04 ,  B24B37/245

摘要： 本发明涉及一种获得低加工损伤的碳化硅衬底表面的加工方法，包括以下步骤：先将磨料固化到研磨垫中，得到固定磨料研磨垫，作为研磨介质；再将碳化硅衬底置于固定磨料研磨垫上方，利用研磨设备使固定磨料研磨垫旋转，并加入冷却润滑剂，进行碳化硅衬底表面的加工，得到低加工损伤的碳化硅衬底表面。通过本发明的技术创新，可以大大简化碳化硅衬底加工工艺步骤，降低研发及生产设备投入，提高加工效率，节约磨料、保护人员和环境，得到低加工损伤的碳化硅衬底表面。

公开(公告)号：CN102709323A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210161457.1

申请日：2005-10-07

申请人： 费查尔德半导体有限公司

发明人： G·多利 ,  Q·王 ,  I·何

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7782 ,  Y02P70/605

摘要： 提供一种设计带隙的MOS栅功率晶体管。一种提高对瞬态电压的抵抗性并减小寄生阻抗的器件、方法和过程。提高了对非箝位感应开关事件的抵抗性。例如，提供了具有SiGe源的沟槽栅功率MOSFET器件，其中SiGe源通过减小基体或阱区中的空穴电流来减小寄生npn晶体管增益，从而减小闭锁条件的可能性。也可去除连接到该器件上的基体以减小晶体管的单元大小。还提供了具有SiGe基体或阱区的沟槽栅功率MOSFET器件。在体二极管导通时SiGe基体可减小空穴电流，从而减小其反向恢复功率损耗。还改进了器件的特性。例如，通过使用多晶SiGe栅减小了寄生栅阻抗，并且通过使用器件栅附近的SiGe层减小了沟道电阻。