一种圆柱体工件多参数同步检测装置

    公开(公告)号:CN101660897A

    公开(公告)日:2010-03-03

    申请号:CN200910190901.0

    申请日:2009-09-18

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01B11/08 G01N9/02

    摘要: 本发明公开了一种圆柱体工件多参数同步检测装置,包括测量平台,设置于测量平台上的直径测量模块、高度测量模块、质量测量模块,以及显示控制模块,所述显示控制模块一端分别与质量测量模块、直径测量模块、高度测量模块相连并对其进行控制,另一端可与计算机测控装置外接相连。本装置每分钟可以完成8-10块及以上圆柱形工件的高度、直径和质量高精度同步测量,测量数据通过RS232接口送入计算机,通过自己开发的软件自动计算几何密度和相对密度并显示,对超差数据进行报警提示。硬件结构简单,软件操作方便。

    基于粒子动态采样模型的红外人体目标跟踪系统

    公开(公告)号:CN100565557C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200810069810.7

    申请日:2008-06-06

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G06K9/00 G06K9/62

    摘要: 本发明提供一种基于粒子动态采样模型的红外人体目标跟踪系统,该系统包括红外热像仪、图像采集装置、中央处理器和视频显示装置;图像采集装置采集红外热像仪的视频数据流并送给中央处理器,中央处理器将红外视频数据组成连续图像序列并对图像序列进行跟踪。跟踪方法通过随机粒子采样和迁移控制实现,以各个人体目标为对象,根据各目标的观测粒子,重新产生随机采样粒子,并且根据设定的无效采样粒子的判断规则,去除多余的粒子;对跟踪池内的目标进行状态判定;经中央处理器处理后的跟踪结果送入视频显示装置进行显示;采用面向对象的技术对人体的复杂目标状态进行封装,克服了传统目标跟踪方法无法实现对红外图像序列中人体目标的可靠跟踪问题。

    利用紫外光谱法测定细胞周期的方法

    公开(公告)号:CN101329270A

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200810069990.9

    申请日:2008-07-18

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G01N21/33 C12Q1/02

    摘要: 本发明公开一种利用紫外光谱法测定细胞周期的方法。该方法利用细胞在细胞周期(G1期、S期、G2期和M期)变化过程中胞内物质(如氨基酸、核酸、蛋白质等)的不断变化对其紫外光谱的峰位、谱峰及峰强造成的影响,找出这些参数与细胞所处周期的对应关系,建立特定细胞的细胞周期紫外光谱模型,最终利用该模型实现对单个细胞周期的准确测定。该方法将一种常规方法用于对细胞周期的测量,解决以往依赖流式细胞仪对细胞周期进行测定的较为繁琐的判别方法,而且能够对细胞周期G2期和M期的细胞进行区分,这是流式细胞仪无法实现的。本发明制样简单、操作方便、仪器设备普遍、准确性高、测量速度快,应用细胞吸收峰强度随细胞周期变化的关系可很方便的对细胞的细胞周期进行判断,有利于在生物医学研究过程中推广应用。

    一种小口径弹丸膛内运动姿态的测试系统及方法

    公开(公告)号:CN118209010A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410463254.0

    申请日:2024-04-17

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: F42B35/02

    摘要: 本发明公开了一种小口径弹丸膛内运动姿态的测试系统及方法,该测试系统包括激光器一体化模拟弹、多点式光纤光栅应变传感器、高速光纤光栅解调仪、高速摄像机、激光接收靶板和上位机;激光器一体化模拟弹用于发出指示弹丸姿态的激光;多点式光纤光栅应变传感器用于获取弹丸在膛内的运动位移应变信号;高速光纤光栅解调仪与多点式光纤光栅应变传感器连接,用于获取弹丸运动位移信息;激光接收靶板用于接收激光器一体化模拟弹发出的激光;高速摄像机用于获取激光接收靶板上激光点的序列图像信息;高速光纤光栅解调仪和高速摄像机均与上位机连接。本发明能在具有强冲击、高过载和强电磁场环境下对小口径弹丸膛内运动姿态参数进行测试,且测试精度高。

    一种基于高速相机的瞬态高温比色测温装置

    公开(公告)号:CN113865717B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202111121429.2

    申请日:2021-09-24

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种基于高速相机的瞬态高温比色测温装置,针对瞬态高温的测量环境复杂、瞬态温度状态难以测量、现有装置的测温量程小等问题,提出了一种量程可达到900~3000k的基于高速相机的瞬态高温比色测温装置。该装置的硬件部分由光学系统、图像采集系统和图像处理系统构成。在触发装置被触发时,被测物体发射出入射光,经过光学系统的中性滤光片的衰减和两个窄带滤光片后,在两个高速相机上形成两幅波长分别为和的图像。通过图像采集卡转换到电脑中,采用了图像去模糊、去烟雾处理后,计算温度图像、显示并存储温度图像。而且本发明采用了HT‑H2700Φ15超高温黑体炉作为标定系统,来标定本发明的测温准确性。

    基于准连续型纳米带超表面的宽带透镜及设计方法

    公开(公告)号:CN114895458A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210513413.4

    申请日:2022-05-12

    申请人: 重庆大学

    IPC分类号: G02B27/00 G02B3/08

    摘要: 本发明公开一种基于准连续型纳米带超表面的宽带透镜及设计方法,首先确定计算初始点、相位需要以及需要形成准连续纳米带的样本区域;然后计算准连续纳米带取向角;沿取向角方向移动步长得到新纳米带坐标点;将计算得到的纳米带坐标点逐一连接获得准连续纳米线,设定宽度得到准连续纳米带;最后循环重复直到在样品区域完成所有的准连续纳米带,从而形成由准连续纳米带构成的超表面。该方法采用准连续的结构来编码超透镜,提升了超透镜的运行波段范围和能量效率。使用超衍射透镜的相位关系,可以设计准连续超衍射超透镜,能提升这类透镜的电磁性能,该方法改善了超透镜的电磁性能,使得超透镜具有宽带高效率特征。

    一种WS2/MoO3复合多层次纳米材料的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114755274A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210548041.9

    申请日:2022-05-18

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种WS2/MoO3复合多层次纳米材料的制备方法及应用,以WS2纳米片作为纳米材料的生长模板,使钼酸钠二水合物在其上锚定生长成MoO3,在复合的过程中,WS2与MoO3相互制约:一方面MoO3阻止WS2纳米片的堆垛,另一方面由于纳米片的纳米尺度引起的空间限域效应使MoO3的生长仅局限于狭小的WS2纳米片上,最终形成蓬松的多层次纳米结构。这样的蓬松的多层次纳米结构,一方面暴露更多的吸附位点,另一方面也可允许更多的气体分子达到材料深处,增强气体可及性。同时两种不同材料的耦合所形成的异质结可提供额外的电阻调制机制。本发明的应用,采用本发明制备的WS2/MoO3传感器件,在室温下,其响应值对0.2‑3ppm氨气呈现良好的线性变化,从而具备良好探测低浓度氨气的能力。

    基于深度学习的复振幅型超表面设计方法及系统和器件

    公开(公告)号:CN114692500A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210334747.5

    申请日:2022-03-31

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种基于深度学习的复振幅型超表面设计方法及系统和器件,首先确定超单元的结构以及调控结构自由度;采集不同结构参数的超单元的复振幅响应数据集;并收集随机生成的目标复振幅响应数据集,将两个数据集分别划分为训练集、验证集和测试集;构建深度学习模型;利用正向预测模型根据结构参数预测超单元的复振幅响应,以及利用逆向设计模型根据目标响应预测结构参数;然后利用训练集与验证集进行训练得到逆向设计模型;使用训练好的逆向设计模型进行复振幅型超表面器件的设计,根据目标器件生成目标振幅和相位,在逆向设计模型中生成器件的全模结构。本发明提供的设计方法降低了设计复振幅型超表面的难度,同时保证超表面的加工可行度。

    一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114665015A

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202210287180.0

    申请日:2022-03-22

    申请人: 重庆大学

    摘要: 本发明公开了一种紫外光可降解的瞬态电子器件及其制备方法,以聚合物cPPA瞬态薄膜作为中间层,制备出相应的瞬态电子器件电子器件,在紫外光照射下达到可控降解:瞬态电阻器以瞬态薄膜为器件的基底,有利于正常情况器件的稳定运行,在降解过程中基底失效从而导致电阻器功能快速失效以及物理降解。利用聚合物cPPA瞬态薄膜呈N型的特性,与半导体氧化物ZnO构成二极管的主要结构PN结,从而实现二极管的单向导电性。还利用聚合物cPPA瞬态薄膜与高k值氧化物Yi2O3构成高k值介质层,形成高k值电容,具有优异的电容性能。在紫外光下能够可控降解,在具有优异电学性能的同时能够快速可控降解。