公开(公告)号：CN102651359B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110051017.6

申请日：2011-02-25

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 许修文 ,  谢智正

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/41 ,  H01L23/36 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种具有低阻值基材与低功率损耗的半导体结构，其包括一半导体单元，一第一导电结构，一第一导电物质与一第二导电结构。其中，半导体单元具有一基材，此基材位于半导体单元的一侧并且具有至少一个孔洞。第一导电物质，位于上述的孔洞内，并以填满或不填满的方式存在于孔洞内。第一导电结构，位于半导体单元的该侧的一表面。第二导电结构，位于半导体单元的不同于半导体基材的另一侧表面。本发明能有效降低基材的电阻，进而降低半导体结构导通时的功率损耗，此外，拥有更久的使用寿命。再者，本发明在不增加额外设备的情形下，可延续使用目前封装厂产能的优势，进一步降低功率损耗与潜藏的裂片风险。

公开(公告)号：CN103260293A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201210037790.1

申请日：2012-02-20

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 李建青 ,  冷中明

IPC分类号： H05B37/02

摘要： 本发明涉及一种发光二极管电流平衡驱动电路，其具有一电流平衡线圈组、一开关元件与一控制电路；电流平衡线圈组具有至少一第一线圈与一第二线圈，分别串接一个发光二极管灯串，以平衡流经各个发光二极管灯串的电流；开关元件耦接至电流平衡线圈组，并搭配电流平衡线圈组所具有的漏电感，转换一输入电压以驱动发光二极管灯串；控制电路侦测流经发光二极管灯串的电流，以控制开关元件的工作周期。本发明发光二极管电流平衡驱动电路能同时达到电压转换与平衡电流的目的，有助于提升电路效率，降低制造成本。

公开(公告)号：CN101800193B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200910005308.4

申请日：2009-02-05

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 叶俊莹

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法。首先，提供一半导体底材；随后，制作多个栅极沟渠于此半导体底材内；接下来，制作一侧壁保护层于栅极沟渠的侧壁，并以此侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至栅极沟渠的底部，藉以在栅极沟渠的底面生成一底部氧化层，以达到降低栅极至漏极的电容值的目的。

公开(公告)号：CN101605422B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810111283.1

申请日：2008-06-13

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 王政雄 ,  张书铭

IPC分类号： H04L1/20 ,  G09G3/36 ,  H05B41/298 ,  G05F1/12

摘要： 公知的多灯管驱动电路，会随着灯管数量的增加，增加控制器的反馈、保护管脚，而且反馈电路及保护电路的电子元件数亦随之增加。本发明提供的荧光灯管驱动电路，通过反相的电流检测信号分时进行反馈控制及保护，可使多灯管的反馈电路及保护电路的设计简化并减少所需电子元件的数量，同时仅需使用同一控制单元来控制电路，且控制单元的管脚亦随之减少，不仅可降低电路的成本，亦达到简化电路设计的优点。

公开(公告)号：CN102377356A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201010250762.9

申请日：2010-08-11

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 徐达经

IPC分类号： H02M7/217

摘要： 一种多输出反激式电源供应器，具有一变压器、一第一输出电路、一第二输出电路与一二次侧同步整流控制器；其中，变压器具有一个一次侧绕组、一第一输出绕组与一第二输出绕组；第一输出电路具有一第一输出电容，以储存来自第一输出绕组的电能；第二输出电路具有一第二整流开关与一第二输出电容，以储存来自第二输出绕组的电能；二次侧同步整流控制器依据一二次侧导通周期侦测信号，控制前述第二整流开关的导通状态；其中，储存于第一输出电容与第二输出电容的电能通过第二输出绕组与第二整流开关互相流通。

公开(公告)号：CN101582628B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810094779.2

申请日：2008-05-16

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 徐达经

IPC分类号： H02M1/00 ,  H02M1/32

摘要： 本发明公开了一种具有定电流控制的高压启动电路，是应用于开关电源，其包含有一高压接面晶体管、一控制晶体管与一电流检测电阻与一偏压电阻，其中高压接面晶体管漏极耦接一高压电源，栅极耦接至控制晶体管漏极，源极耦接至该电流检测电阻，电流检测电阻藉由高压接面晶体管电流流经检测电阻两端产生固定电压降提供高压接面晶体管栅-源极负偏压使高压接面晶体管输出一固定电流。偏压电阻其一端耦接于高压接面晶体管栅极，另一端则耦接于高压启动电路输出端，使高压接面晶体管栅极电压相同于输出电压，使高压晶体栅-源极维持一固定负偏压以提供固定输出电流。

公开(公告)号：CN101847929A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200910170354.X

申请日：2009-09-11

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 丁明强 ,  江俊德

IPC分类号： H02M3/06

摘要： 一种具有供电线线损补偿功能的电源控制电路，应用于一功率转换器。功率转换器的一电源输出透过一供电线耦接至一负载。此电源控制电路包括一反馈电路、一控制器与一补偿电阻。其中，反馈电路用以侦测功率转换器的一输出电压，以产生一反馈信号。控制器依据反馈信号调整功率转换器的输出电压的电位。补偿电阻与该供电线构成一供电电路回路，并与该反馈电路构成一反馈电路回路，以垫高该反馈信号的电位。

公开(公告)号：CN101728430A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810170533.9

申请日：2008-10-17

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 涂高维

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

摘要： 一种高压金氧半导体组件，包括一第一导电型的本体、一导电结构、一第二导电型的第一井区、一第一导电型的源极掺杂区与一第二导电型的第二井区。其中，导电结构具有一第一延伸部与一第二延伸部。第一延伸部由本体的上表面朝向本体的内部延伸。第二延伸部沿着本体的上表面延伸。第一井区位于本体内，位于第二延伸部的下方，并且，第一井区与第一延伸部间隔一预设距离。源极掺杂区位于第一井区内。第二井区位于本体内，由第一延伸部的底部延伸至一漏极掺杂区附近。

公开(公告)号：CN101728266A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200810171121.7

申请日：2008-10-15

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 许修文

IPC分类号： H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种沟渠式功率半导体的制作方法。首先，制作多个栅极沟渠于外延层内。然后，制作一栅极氧化层全面覆盖外延层的裸露表面，并且制作多个多晶硅栅极于这些栅极沟渠内。接下来，通过栅极氧化层注入第一导电型掺杂于外延层内，并且在无氧环境中，驱入这些第一导电型掺杂，以形成一本体。接下来，通过栅极氧化层注入第二导电型掺杂于本体内，并且在无氧环境中，驱入这些第二导电型掺杂，以形成多个源极掺杂区。然后，利用栅极氧化层为屏蔽，在多晶硅栅极上制作自对准金属硅化物。接下来，沉积一介电层于外延层上，并于介电层中制作一接触窗暴露源极掺杂区。最后，通过此接触窗制作一第一导电型的重掺杂区于本体内。

公开(公告)号：CN101001495B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610000776.9

申请日：2006-01-12

申请人： 尼克森微电子股份有限公司

发明人： 杨惠强

IPC分类号： H05B41/282 ,  H02M5/458

摘要： 一种半桥式冷阴极灯管驱动装置，使用桥式整流器将交流市电转换成直流电压后储存于电容单元，并均分该直流电压为二相等电压输出。再者变压器的初级侧绕组通过半桥式切换开关连接到该电容单元以取得二相等电压；变压器的次级侧绕组则连接至少一谐振电容；PWM控制器交替的通过隔离驱动元件驱动该半桥式切换开关，将该电容单元输出的二相等电压交替的传送至所述变压器的初级侧绕组，同时，所述变压器的次级侧绕组产生的串联漏感与所述谐振电容作用，产生一连续正弦波电压以供应所述冷阴极灯管动作。本发明可用来解决因为交流转直流转换器与直流转交流的换流器串接组成关系所产生整体效率下降的缺点。