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公开(公告)号：CN113092976B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110287386.9
申请日：2021-03-17
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明提供一种射频微波大功率器件测试系统及测试方法，包括：脉冲发生器，用于产生周期性脉冲；微波信号源，用于根据所述周期性脉冲生成射频激励信号，并输入射频微波大功率器件；直流稳压电源，用于提供恒定直流信号；脉冲调制器，用于根据周期性脉冲将恒定直流信号调制为直流脉冲信号，并将直流脉冲信号输入射频微波大功率器件；霍尔电流探头，用于采集射频微波大功率器件上的直流电流并转换为直流电压；高精度数字万用表，用于根据周期性脉冲测量所述直流电压。本发明的射频微波大功率器件测试系统及测试方法通过高精度数字万用表和霍尔电流探头实现射频微波大功率器件的直流测试，准确、成本低。
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公开(公告)号：CN117192467A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311153772.4
申请日：2023-09-07
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R35/02 , G01R1/067 , G06F30/367
摘要： 本发明提供了一种射频探针模型参数提取方法及装置，该方法包括：获取矢量网络分析仪的初始参数和校准标准件的前置参数；初始参数包括起止频点和频率步进，校准标准件包括反射开路、反射短路、匹配负载和双端口校准标准件直通；连接待测射频探针与校准标准件，获取测试S参数；采用自校准算法，基于前置参数和测试S参数确定待测射频探针与校准标准件的反射系数；将反射系数转换为初始模型参数；根据初始模型参数和初始参数，确定目标模型参数。本方案能够有效提取射频探针模型参数，且提取精度高、适用范围广。
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公开(公告)号：CN115149234B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211068328.8
申请日：2022-09-02
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种传输线结构及传输线设计方法，包括一传输线单元，传输线单元包括第一电感、第二电感、第一电容及第二电容；其中，第一电感的两端分别作为传输线单元的正相输入端和正相输出端；第二电感的两端分别作为传输线单元的反相输入端和反相输出端；第一电容的两端分别连接传输线单元的正相输入端和反相输出端；第二电容的两端分别连接传输线单元的反相输入端和正相输出端。本发明在插损上呈现高通特性、具有更小的损耗并且插损随着频率增加变化不大，相位随着频率增加变化变慢；能有效拓宽基于四分之一波长传输线实现的功能器件的应用范围；且通过一组电感和一组电容即可实现，结构简单、尺寸小、工作带宽宽。
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公开(公告)号：CN111751627B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202010506206.7
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，具体包括如下步骤：101)初始化步骤、102)校准标准件参数设置步骤、103)校准标准件参数采集步骤、104)修正步骤、105)变换处理步骤、106)计算得出相应参数步骤、107)测试步骤；本发明提供一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，其只需要校准标准件Thru的延时τ与插入损耗IL及负载标准件Match(Load)的直流电阻RM，其它校准标准件参数在校准过程中自动计算出来。
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公开(公告)号：CN114325201A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210019991.2
申请日：2022-01-10
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提供基于自校准的多端口S参数去嵌方法、装置及电子设备，包括：对探针尖端面的S参数进行在片校准并测量得到多端口的S参数矩阵；测量负载标准件的直流电阻；获取预设去嵌结构的S参数；根据去嵌结构的S参数和直流电阻得到待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数；将多端口的S参数矩阵处理得到校准的两端口S参数；基于校准的两端口S参数和待去嵌转接引线及焊盘的两端口S参数得到待测器件的两端口S参数，并对所有待测器件的两端口S参数进行处理得到待测器件的多端口S参数。本发明无需知道去嵌结构的模型参数，有效减少去嵌过程中探针移动对结果的影响，去嵌精度高；同时，去嵌结构占用面积小，有效降低了测试成本，提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN113359078A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110467666.8
申请日：2021-04-28
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01R35/00
摘要： 本发明涉及一种基于十六项误差模型的矢量网络分析仪校准方法、计算机设备及计算机可读存储介质，该方法包括：设置矢量网络分析仪的初始状态；设置校准标准件参数；获取矢量网络分析仪的待测两端口的各项测试参数；以前向开关项和反向开关项修正待测两端口连接直通标准件时所测得的散射系数；构建求解误差项的超定方程组；利用奇异值分解法求解超定方程组，获得十六项模型各误差项；利用矢量网络分析仪测试被测器件，得到原始测试数据；以前向开关项和反向开关项修正原始测试数据，并利用求得的各误差项校准，得到校准后的被测器件散射参数。本发明提高了矢量网络分析仪校准的准确性与适用范围，降低了校准标准件的制造难度。
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公开(公告)号：CN109946651B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910056213.9
申请日：2019-01-22
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
IPC分类号： G01S7/02
摘要： 本发明公开了一种基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，芯片射频部分采用高性能砷化镓芯片，包括四个一样的单通道，分别为第一通道CH1、第二通道CH2、第三通道CH3和第四通道CH4，四个单通道分别与一分四功分器四个端口相连，每个通道包括6位数控衰减器ATT、6为数控移相器PHS、低噪声放大器LNA、驱动放大器DRV1、驱动放大器DRV2、功率放大器PA、单刀三掷开关SP3T、限幅器Limiter；芯片逻辑控制用CMOS芯片做成多功能芯片的控制电路，将CMOS芯片与砷化镓多功能芯片倒装，形成一体化三维封装结构。通过本发明实施例实现的基于三维封装结构的多功能相控阵TR芯片，具有体积小，成本低，一致性好，可靠性高和调试简单的优点。
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公开(公告)号：CN111751627A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010506206.7
申请日：2020-06-05
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，具体包括如下步骤：101)初始化步骤、102)校准标准件参数设置步骤、103)校准标准件参数采集步骤、104)修正步骤、105)变换处理步骤、106)计算得出相应参数步骤、107)测试步骤；本发明提供一种基于十项误差模型的矢量网络分析仪的自校准方法，其只需要校准标准件Thru的延时τ与插入损耗IL及负载标准件Match(Load)的直流电阻RM，其它校准标准件参数在校准过程中自动计算出来。
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公开(公告)号：CN111293999A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010394754.5
申请日：2020-05-12
申请人： 浙江铖昌科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种宽带可重构功率放大器及雷达系统，其中宽带可重构功率放大器包括：输入可重构匹配网络模块、宽带大功率放大器模块、超宽带低功率放大器模块、输出可重构匹配网络模块以及供电控制模块。供电控制模块用于在选择宽带大功率模式时控制：超宽带低功率放大器模块偏置掉电，宽带大功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为大功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为大功率输出匹配网络；供电控制模块用于在选择超宽带低功率线性放大模式时控制：宽带大功率放大器模块偏置掉电，超宽带低功率放大器模块偏置上电，输入可重构匹配网络模块重构为低功率输入匹配网络，输出可重构匹配网络模块重构为低功率输出匹配网络。
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公开(公告)号：CN110011640B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201811030585.6
申请日：2018-09-05
申请人： 浙江铖昌科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地；本发明提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。
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