-
公开(公告)号:CN103460021B
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:CN201280016040.4
申请日:2012-02-21
申请人: 日东电工株式会社
发明人: 绀谷友广
CPC分类号: G01N21/554 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要: 提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括:下包层;芯层,其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻;以及金属层,其覆盖芯层。芯层包含35重量%以上的卤素。
-
公开(公告)号:CN103460022B
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:CN201280016054.6
申请日:2012-02-21
申请人: 日东电工株式会社
发明人: 绀谷友广
CPC分类号: G01N21/41 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要: 提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括:下包层;芯层,其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻;以及金属层,其覆盖芯层。芯层的折射率为1.43以下,吸收系数为9.5×10-2(mm-1)以下。
-
公开(公告)号:CN104730624A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510150073.3
申请日:2015-03-31
申请人: 东南大学
CPC分类号: G02B6/14 , G02B6/1226 , H01P1/16
摘要: 本发明公开了一种实现空间波与太赫兹人工表面等离激元波转换的装置,包括介质衬底和固定连接在介质上且形成镜像关系的两个金属片;所述金属片上设有周期排列的凹槽,所述凹槽的深度从金属片两端至中间逐渐增加,增至特定值后保持不变,同时凹槽的宽度均相等;所述金属片的一端设置有缝隙,所述缝隙由后端向前端以指数形式变大,直至超过金属片宽度。本发明基于新型人工电磁材料,可以在较宽的频率和较大的角度范围内实现太赫兹空间波与SPP波的有效转换,且具有尺寸小、重量轻、可弯折等优点,因此在太赫兹功能器件方面具有很好的应用前景。
-
公开(公告)号:CN102598852B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201080049200.6
申请日:2010-10-14
申请人: 日本电气株式会社
IPC分类号: H05B33/02 , G02B1/02 , G02B3/00 , G02B5/18 , G02B5/30 , G02B27/28 , G03B21/14 , H01L33/22 , H01L51/50
CPC分类号: G02B5/008 , G01N21/553 , G01N21/648 , G02B3/0031 , G02B5/3016 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B26/02 , G02F1/133606 , G03B21/14 , G03B21/2033 , H01L51/5262 , H01L51/5275 , H01L2933/0083 , H04N9/3152
摘要: 光源层(4)具有基板(10),和被设置在基板(10)上的由空穴输送层(11)和电子输送层(13)组成的一对层。方向性控制层(5)具有在光源层(4)的与其基板(10)侧相反的侧层叠并且具有高于从光源层(4)出射的光的频率的等离子体频率的等离子体激元激发层(15),和在等离子体激元激发层(15)上层叠并且转换从等离子体激元激发层(15)引入的光从而以预定输出角度出射光的波矢量转换层(17)。等离子体激元激发层(15)被夹在低介电常数层(14)和高介电常数层(16)之间。
-
公开(公告)号:CN102834749B
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201180017982.X
申请日:2011-03-28
申请人: 日本电气株式会社
CPC分类号: G03B21/14 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/1814 , G02B5/1866 , G02B5/3041 , G02B5/305 , G02B5/3058 , G02B5/32 , G02B6/0038 , G02B6/005 , G02B6/1226 , G02B27/425 , G02B27/4261 , G02B27/4272 , G02F1/13362 , G03B21/2033 , G03B21/2073 , H04N9/3167
摘要: 这里公开的光学元件具有:导光体(11);表面等离子体激发装置(14),设置在导光体(11)的界面上并利用从导光体(11)输入的光中的特定偏振成分激发表面等离子体,该成分具有与导光体(11)的表面内的第一方向(y)正交的偏振方向;光产生装置,包括金属层(12)和覆盖层(13),并通过在金属层(12)与覆盖层(13)之间的界面中响应于由特定偏振成分借助于表面等离子体激发装置(14)激发的表面等离子体而产生的表面等离子体,来产生与特定偏振成分具有相同偏振成分的光。表面等离子体激发装置(14)包括多个突起部(14a),分别沿着第一方向(y)延伸并沿着与第一方向(y)正交的第二方向(x)周期性地布置。
-
公开(公告)号:CN104246480A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201380021341.0
申请日:2013-04-23
申请人: 精工爱普生株式会社
IPC分类号: G01N21/65
CPC分类号: G01N21/658 , B01J2219/00612 , B01J2219/00637 , B01J2219/00641 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G01N21/554 , G01N21/648 , G01N2610/00 , G02B6/1226
摘要: 提供光学器件及检测装置,其在金属纳米结构间的电介质上形成有机分子膜,并且采用使金属纳米结构间的间隔变窄但使目标分子容易进入的形状,能提高灵敏度。光学器件10具有:在表面具有电介质16的基板12、由形成在电介质上的多个金属纳米结构18构成的金属细微结构20、形成在多个金属纳米结构间的电介质上且捕捉目标分子的有机分子膜30。多个金属纳米结构在俯视观察时的直径为1~500nm,相邻的金属纳米结构间的间隔为0.1nm以上不足10nm。多个金属纳米结构中,与在离电介质的表面第一高度位置H1相邻的金属纳米结构间的第1间隔W1相比,在离电介质的表面第二高度位置H2(H2>H1)相邻的金属纳米结构间的间隔W2较宽。
-
公开(公告)号:CN102549328B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201080043918.4
申请日:2010-09-30
申请人: 日本电气株式会社
发明人: 枣田昌尚
IPC分类号: G02B26/00
CPC分类号: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02B6/005 , G02B6/0053 , G02B6/0068
摘要: 公开了一种光学元件,该光学元件包括:光引导体,出自发光元件的光入射到该光引导体上;载流子产生层(6),该载流子产生层形成在光引导体中,在光引导体中载流子由出自光引导体的光产生;等离子体激元激发层(8),该等离子体激元激发层堆叠在载流子产生层(6)上,该等离子体激元激发层具有比当载流子产生层(6)由出自发光元件的光激发时所产生的光的频率高的等离子体频率;以及波矢量转换层(10),该波矢量转换层堆叠在等离子体激元激发层(8)上,该波矢量转换层将从等离子体激元激发层入射的光转换成具有预定出射角的光以输出该光。等离子体激元激发层(8)夹在低介电常数层(7)和高介电常数层(9)之间。
-
公开(公告)号:CN103797354A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201280044623.8
申请日:2012-08-02
申请人: 日东电工株式会社
发明人: 绀谷友广
CPC分类号: G01N21/554 , G01N21/41 , G01N21/553 , G01N33/54373 , G01N2201/08 , G02B6/1226 , G02B6/132 , G02B6/138 , G02B2006/12138
摘要: 本发明涉及一种具有高检测灵敏度的SPR传感器元件以及SPR传感器。本发明的SPR传感器元件包括检测单元和与所述检测单元邻接的试样载置部。所述检测单元包括下包层、设置为使得至少一部分与所述下包层邻接的芯层、覆盖所述芯层的金属层和覆盖所述金属层的覆盖层。各覆盖层由带隙(Eg)大于1.0eV且小于7.0eV的材料构成,并且所述覆盖层的折射率高于所述芯层的折射率。
-
公开(公告)号:CN103460021A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280016040.4
申请日:2012-02-21
申请人: 日东电工株式会社
发明人: 绀谷友广
CPC分类号: G01N21/554 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要: 本发明提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括:下包层;芯层,其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻;以及金属层,其覆盖芯层。芯层包含35重量%以上的卤素。
-
公开(公告)号:CN103295590A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310057367.2
申请日:2013-02-22
申请人: 希捷科技有限公司
IPC分类号: G11B5/127
CPC分类号: G11B5/4866 , G02B6/12002 , G02B6/1226 , G02B6/4291 , G02B2006/121 , G11B5/1278 , G11B5/6088 , G11B2005/0021
摘要: 本发明提供了一种用于聚焦的光传递的等离子体漏斗。一装置包括:换能器,该换能器包括等离子体漏斗和位于等离子体漏斗的第一端附近的第一区段,等离子体漏斗具有第一和第二端,其中第一端具有比第二端更小的横截面积;以及具有芯的第一波导,所述芯被定位以使芯内的光在换能器上激发出表面等离子体激元。
-
-
-
-
-
-
-
-
-