公开(公告)号：CN102809839A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210319176.4

申请日：2012-08-31

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 林勇佑

IPC分类号： G02F1/13 ,  H01L21/77

CPC分类号： B05B12/084 ,  B05D1/02 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/13625

摘要： 本发明提供一种阵列基板的图形修补装置及方法，阵列基板的图形修补装置包括：光照单元，用于在将光罩置于基底上方后，对所述光罩实施光照，以在所述基底的待刻蚀层形成曝光后图形；检测单元，用于对所述待刻蚀层上的曝光后图形进行检测，判断所述曝光后图形是否存在待涂布缺陷；以及涂布单元，其用于在判定所述曝光后图形存在待涂布缺陷时，在待涂布缺陷处涂布形成一保护层。

公开(公告)号：CN102569191A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210056791.0

申请日：2012-03-06

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 贾沛

IPC分类号： H01L21/77

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F2001/13625 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极、源极及反射部，形成薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102569185A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010601911.1

申请日：2010-12-22

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 刘翔 ,  薛建设

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2001/136295

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器。其中，阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案至少包括栅线、栅电极、有源层、源电极、漏电极、数据线和像素电极，其中，形成所述栅线、栅电极和像素电极的步骤具体包括：在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜和栅金属薄膜；通过构图工艺刻蚀所述透明导电薄膜和所述栅金属薄膜形成包括栅线的图案，且刻蚀所述栅金属薄膜形成包括栅电极和像素电极的图案。本发明栅电极与像素电极的为相同的透明导电薄膜，栅电极厚度低、与源漏电极的重叠面积小，不同像素单元的寄生电容均匀，液晶显示器的显示画面不易出现闪烁，提高了液晶显示器的显示质量。

公开(公告)号：CN101587272B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810189424.1

申请日：2008-12-24

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 林京男 ,  林柄昊 ,  金焕

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L21/84

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625

摘要： 本发明披露了一种液晶显示器及其制造方法。通过使用半色调掩模有选择地将感光膜图案进行构图，然后有选择地去除像素区域处钝化层的一部分，以获得剥离液的渗入路径。此外，通过一定的热处理在感光膜图案上所形成的导电膜上产生裂缝，便于剥离工艺。因此，能减少掩模次数，从而简化制造过程，并降低制造成本。通过使钝化层掩模采用半色调，可使用常规的四次掩模工序，因为通过热处理在导电膜上形成裂缝，因此在剥离液的渗入路径处易于执行剥离工艺。

公开(公告)号：CN101539697B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810102479.4

申请日：2008-03-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 邱海军 ,  王章涛 ,  闵泰烨

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/136 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/311 ,  G03F7/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明公开了一种二次掩模版薄膜晶体管液晶显示器像素结构的方法，该像素结构包括：依次位于透明基板上的栅电极、栅线、第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层，其中，栅线上有一隔断槽，其隔断栅线上的半导体层；还包括覆盖在隔断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上的第二绝缘层；位于第二绝缘层上方，且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂半导体层搭接的像素电极或漏电极；位于所保留的像素电极层上方的源极或数据线，及覆盖在像素电极之外部分的钝化层。本发明同时还公开该像素结构的制造方法，采用二次掩模版形成上述像素结构。利用本发明，可以实现二次掩模版制作薄膜晶体管液晶显示器像素结构，因此节约阵列工艺的成本和占机时间，提高产能。

公开(公告)号：CN101937144A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910266322.X

申请日：2009-12-24

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李锡宇 ,  崔承灿

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13625 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1274

摘要： 公开了一种LCD装置的制造方法。LCD装置的制造方法包括：利用第一掩模处理在基板的P型沟道和N型沟道薄膜晶体管形成区分别形成第一和第二有源图案；利用第二掩模处理在基板的P型沟道薄膜晶体管形成区形成第一栅极；利用第三掩模处理在基板的N型沟道薄膜晶体管形成区形成第二栅极；利用第四掩模处理形成部分露出相应的N型和P型源区的第一接触孔和部分露出相应的N型和P型漏区的第二接触孔；利用第五掩模处理形成连接到N型和P型源区的N型和P型源极，及连接到N型和P型漏区的N型和P型漏极；利用第六掩模处理同时形成第三接触孔和公共电极；利用第七掩模处理形成露出相应的N型和P型漏极的第四接触孔；以及利用第八掩模处理形成像素电极。

公开(公告)号：CN101419945A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175032.X

申请日：2008-10-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 藤川最史 ,  细谷邦雄 ,  千叶阳子

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214

摘要： 本发明的制造方法包括如下工序：在衬底上形成由透明导电层和金属层的叠层构成的第一导电层，并且使用第一多级灰度掩模来形成由第一导电层构成的栅电极和由单层的透明导电层构成的像素电极；在形成栅极绝缘膜和I型半导体层和n+型半导体层之后使用第二多级灰度掩模形成像素电极中的接触孔及I型半导体层和n+型半导体层的岛；在形成第二导电层之后使用第三光掩模形成源电极及漏电极；在形成保护膜之后使用第四光掩模来形成开口区域。注意，该使用第四光掩模的工序可以通过使用背面曝光技术及回流技术而省略掩模。

公开(公告)号：CN1325972C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN03145252.3

申请日：2003-06-27

申请人： LG.飞利浦LCD有限公司

发明人： 姜童镐 ,  李树雄

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G03F7/00

CPC分类号： G02F1/134363 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/133354 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2203/01

摘要： 面内切换模式的液晶显示器件，包括：下基板，由多个选通线、公共线以及数据线限定和围绕，并包括薄膜晶体管，从公共线延伸出的多个公共电极，以及从与薄膜晶体管的漏电极连接的引出互连线延伸出的多个像素电极，并具有以矩阵形状排列并分成孔径区和非孔径区的多个子像素；上基板，具有其上形成的子滤色器和黑底，黑底与子像素内的非孔径区完全重叠；以及介于下基板和上基板之间的液晶层。

公开(公告)号：CN1291280C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN02807476.9

申请日：2002-03-05

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 卓英美 ,  朴云用 ,  李庭镐 ,  洪雯杓 ,  丁奎夏

IPC分类号： G03F7/20 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13625 ,  G03F7/0035 ,  Y10S438/946

摘要： 本发明涉及一种在衬底上形成图案的方法以及利用该方法制作液晶显示板的方法。为了减少压合缺陷，各个图案层的拍摄区边界线彼此不重叠以分散。具体地说，根据本发明形成图案的方法，在首先形成第一材料层之后，通过在第一材料层上执行第一光蚀刻形成第一图案，其中第一光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个区域进行分区曝光。随后，在第一图案上形成第二材料层之后，通过在第二材料层上执行第二光蚀刻形成一个第二图案，其中第二光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个拍摄区进行分区曝光，在第二光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线与第一光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线隔开。通过利用此形成方法制作一种液晶显示板。

公开(公告)号：CN104022077B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410226956.3

申请日：2014-05-27

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 龙春平 ,  任章淳 ,  刘建宏

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/1288 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/13625 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，其中该制作方法包括：在衬底基板上形成包括有源层的图形和栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成金属薄膜，通过一次构图工艺图案化金属薄膜，形成包括有栅极、源极、漏极、栅极线和数据线的图形；在衬底基板上形成钝化层；通过一次构图工艺图案化钝化层，形成源极接触孔、漏极接触孔和跨桥结构接触孔；在衬底基板上形成透明导电薄膜，通过薄膜剥离工艺去除部分透明导电薄膜，以形成源极接触部分、漏极接触部分、像素电极和跨桥结构。上述制作方法降低了构图工艺的使用次数，具有制作方法简单、生产效率高、产品良率高的优点。