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公开(公告)号:CN106526992A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201611263251.4
申请日:2016-12-30
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 陈帅
IPC分类号: G02F1/1343 , G02F1/1362
CPC分类号: G09G3/34 , G02B1/115 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/136227 , G02F1/136259 , G02F2001/13606 , G02F2001/136222 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , G02F2203/30 , G09G3/00 , H01L27/124 , H01L27/1248
摘要: 本发明提供了一种COA基板,包括玻璃基板、公共电极、覆盖在公共电极上的绝缘层、设于绝缘层上并且与公共电极交错设置的数据线,依次设于数据线上的第一钝化层、RGB色阻层、第二钝化层,所述公共电极上与数据线交错处设有断开的缺口,使公共电极形成两个相对的端部,绝缘层填充缺口,在第二钝化层上设有用于跨接公共电极的两个端部的导电层。本发明还提供了一种液晶面板,包括所述的COA基板。本发明与现有技术相比,通过将加大公共电极与数据线的间距,从而降低在数据线与公共电极之间所产生的寄生电容的大小,以此减小数据线对公共电极的电容耦合作用,改善串扰现象。
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公开(公告)号:CN105590896A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201610115744.7
申请日:2016-03-01
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
IPC分类号: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1362
CPC分类号: H01L27/12 , G02F1/136204 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , H01L21/77 , H01L27/1259 , H01L27/124
摘要: 本发明提供一种阵列基板的制作方法及制得的阵列基板,通过采用一道光罩来实现平坦层与第一钝化层的开孔处理,与现有技术相比,可节约一道光罩,节约生产成本,降低制程时间;在形成公共电极的同时形成包覆平坦层上的第一通孔与第一钝化层上的第二通孔的导电连接层,从而避免源/漏极与平坦层裸露于环境中,消除了二者发生反应的可能,有利于提高阵列基板的电学性能,实现信号导通。本发明制得的阵列基板,信号传导畅通,具有良好的电学性能。
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公开(公告)号:CN105372889A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510697888.3
申请日:2015-10-23
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 武岳
IPC分类号: G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC分类号: G02F1/1368 , G02F1/136227 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/32133 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288 , H01L27/1296 , H01L27/3248 , G02F1/1362 , G02F1/1333
摘要: 本发明公开了一种COA基板的制造方法,包括:在衬底基板上形成薄膜晶体管;在薄膜晶体管上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成色阻层;在色阻层上形成第三绝缘层;形成露出薄膜晶体管的漏极的至少一个过孔;在第三绝缘层上形成ITO膜层;在ITO膜层上形成光阻层;对过孔区域ITO膜层上的光阻层进行遮光处理,并对非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行曝光处理;对过孔区域ITO膜层上的光阻层和非过孔区域ITO膜层上的光阻层进行显影处理,以得到覆盖在过孔区域ITO膜层上的光阻层塞子。本发明还公开一种显示装置和COA基板。通过上述方式,本发明利用光阻将过孔的洞口填满,能够提高显示装置的面板的品质。
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公开(公告)号:CN105304643A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201510629393.7
申请日:2015-09-28
申请人: 深圳市华星光电技术有限公司
发明人: 葛世民
CPC分类号: H01L29/78663 , G02F1/136277 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要: 本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法,TFT阵列基板通过同一道光罩工艺在基板上形成底栅电极及公共电极,其中底栅电极为金属层与金属氧化物导体层的叠层结构,公共电极为金属氧化物导体层的单层结构。从而本发明的TFT阵列基板的制作方法能够减少光罩次数,提高生产效率和降低生产成本。
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公开(公告)号:CN102388413A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201080013283.3
申请日:2010-03-12
IPC分类号: G09F9/30 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号: H01L27/12 , G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/134372 , G02F2001/136222 , G02F2001/136231 , G02F2001/13625 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要: 本发明提供了有源矩阵基板及其制造方法,其中减少光刻工艺的数量,并降低制造成本。本发明还提供了使用由该制造方法所制造的有源矩阵基板的显示设备。在用于在有源基板上形成构成显示设备的像素的工艺中,通过对光致抗蚀剂膜或者对其中通过涂布制备有源矩阵和显示电极的黑色光致抗蚀剂膜执行半色调曝光来形成堤或蚀刻图形,由此处理绝缘膜,并且通过喷墨法来制备透明导电膜和彩色滤光片。
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公开(公告)号:CN101211109A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710126894.9
申请日:2007-06-29
申请人: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC分类号: G03F7/00 , G02F1/1362 , H01L21/00
CPC分类号: G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625
摘要: 本发明涉及液晶显示器件及其制造方法。该制造方法包括:提供分成像素部分以及第一和第二焊盘部分的第一基板;在第一基板的像素部分中形成栅电极和选通线,在第一基板的第一焊盘部分中形成选通焊盘线;在栅电极、选通线以及选通焊盘线上方形成第一绝缘膜和半导体膜;利用一个掩模,在栅电极上方以与之其间插入有第一绝缘膜的方式从半导体膜形成有源图案,并形成暴露出选通焊盘线的一部分的接触孔;在像素部分中形成源电极和漏电极;在像素部分中形成像素电极;形成经由接触孔电连接选通焊盘线的选通焊盘电极;在像素电极和选通焊盘电极上方形成第二绝缘膜;暴露像素电极的一部分并暴露选通焊盘电极的至少一部分;以及接合第一基板与第二基板。
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公开(公告)号:CN100357831C
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN02807592.7
申请日:2002-09-18
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G03F7/22
CPC分类号: G02F1/1362 , G02F2001/13625
摘要: 在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中,在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区,并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光,从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如,当沿压合区的横向向右行进时分配给左侧的单元压合区的数量逐渐减少,而分配给右侧的单元压合区的数量逐渐增多。一个单元压合区包括一个通过将一个像素划分成至少两部分所获得的一个区域。
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公开(公告)号:CN1524202A
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN02802928.3
申请日:2002-03-04
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G03F7/20 , G03F9/00 , G09F9/30 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC分类号: G03F9/7084 , G02F2001/13625 , G03F1/50 , G03F7/70475 , G03F7/70791
摘要: 一种用于利用基板制造液晶显示器的掩模,包括具有中心线的位于基板中心的第一掩模图形,以对基板中心进行曝光。第二掩模图形位于第一掩模图形左侧,以对基板左侧进行曝光。该第二掩模图形与第一掩模图形相距第一距离。第三掩模图形位于第一掩模图形右侧,以对基板右侧进行曝光。第三掩模图形与第一掩模图形相距第二距离。
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公开(公告)号:CN1508610A
公开(公告)日:2004-06-30
申请号:CN03145252.3
申请日:2003-06-27
申请人: LG.飞利浦LCD有限公司
CPC分类号: G02F1/134363 , G02F1/133512 , G02F1/13624 , G02F2001/133354 , G02F2001/13625 , G02F2203/01
摘要: 面内切换模式的液晶显示器件,包括:下基板,由多个选通线、公共线以及数据线限定和围绕,并包括薄膜晶体管,从公共线延伸出的多个公共电极,以及从与薄膜晶体管的漏电极连接的引出互连线延伸出的多个像素电极,并具有以矩阵形状排列并分成孔径区和非孔径区的多个子像素;上基板,具有其上形成的子滤色器和黑底,黑底与子像素内的非孔径区完全重叠;以及介于下基板和上基板之间的液晶层。
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公开(公告)号:CN106338855B
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:CN201610938825.7
申请日:2016-11-01
申请人: 友达光电股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC分类号: H01L21/76897 , G02F1/1362 , G02F2001/136222 , G02F2001/13625 , H01L23/50 , H01L27/11539 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L27/14621 , H01L29/41733
摘要: 本发明公开了一种标记像素单元、应用其的显示装置及制作显示装置的方法,该标记像素单元包含至少一主动元件、第一介电层、彩色滤光单元、第二介电层以及至少一像素电极。主动元件具有源极、栅极与漏极。第一介电层用以覆盖栅极。彩色滤光单元设置于第一介电层上,其中彩色滤光单元具有对准开口图案。第二介电层覆盖主动元件与彩色滤光单元,其中第二介电层具有接触洞。像素电极设置于第二介电层之上,其中像素电极透过接触洞而与漏极电性连接,其中第二介电层的接触洞位于对准开口图案之外。
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