公开(公告)号：CN108025924B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201680052140.0

申请日：2016-09-09

申请人： 株式会社三德

发明人： 生木英治 ,  栗岩贵宽

IPC分类号： C01F17/294 ,  C01F17/10 ,  C04B35/547 ,  C09K5/14

摘要： 本发明提供一种稀土类硫氧化物的制造方法，以及使用该方法得到的稀土类硫氧化物，所述方法包含以下工序：将含有稀土类元素R的稀土类氧化物、硫酸离子的供给源、溶媒以相对于每1摩尔所述稀土类元素R，硫酸离子的量为0.6摩尔以上0.7摩尔以下的混合比(摩尔比)进行混合，得到混合物A的工序(1)；将所述混合物A在98℃以上加热处理2小时以上，得到沉淀物的工序(2‑A)；和将所述沉淀物在还原气氛中、在600℃以上1000℃以下进行还原处理，得到R2O2S的工序(3)。另外，本发明还提供含有该稀土类硫氧化物的蓄冷材料。

公开(公告)号：CN114075083A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010796448.4

申请日：2020-08-10

申请人： 恒大新能源技术(深圳)有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： C04B35/80 ,  C04B35/547 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/058 ,  H01M10/42

摘要： 本发明属于固态电池技术领域，具体涉及一种硫化物电解质膜及其制备方法、固态电池。本发明硫化物电解质膜的制备方法通过将硫化物电解质置于无机纤维织物上，经压片处理和烧结处理使硫化物电解质负载于无机纤维织物的表面和/或无机纤维织物的孔隙中，无机纤维织物可将硫化物电解质束缚在微小区域，使硫化物电解质颗粒之间的接触界面由点接触界面变为面接触界面，提高了接触面积；同时，烧结处理使硫化物电解质与无机纤维织物共同形成均匀致密且具有一定柔性的硫化物电解质膜，解决了硫化物电解质容易粉化、难转移的问题。

公开(公告)号：CN113956042A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111097519.2

申请日：2021-09-18

申请人： 深圳大学

发明人： 胡利鹏 ,  李想 ,  刘福生

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

摘要： 本发明公开了一种菱方相GeSe基热电材料及其制备方法，其中，热电材料为Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x合金，其中，x取值为0～0.30，y取值为0～0.06。制备方法包括：按照Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x化学计量比配比称取原料；将原料置于石英管中，并抽好真空，通过氢氧火焰进行密封；将密封的石英管放入箱式炉中进行高温熔炼，然后通过淬火获得合金锭块；将合金锭块球磨成微细粉末；利用放电等离子体烧结炉将微细粉末烧结成型，得到菱方相结构的Ge1‑yBiySe(MnCdTe2)x块体。本发明解决了正交相GeSe材料载流子浓度低的问题，极大地提高了热电性能，降低了合金成本。

公开(公告)号：CN113563077A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110827179.8

申请日：2021-07-21

申请人： 广州市尤特新材料有限公司

发明人： 雷雨 ,  周志宏 ,  肖世洪 ,  刘芳

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C23C14/06

摘要： 本发明公开了一种应用于太阳能电池的硫化物靶材及其制备方法，按重量百分比计，包括：0.08~0.2%硬脂酸镉、0.1~0.4%醋酸镉、余量硫化镉。所述的应用于太阳能电池的硫化物靶材的制备方法，包括以下步骤：S1、将醋酸镉加入到无水乙醇中，配制成醋酸镉溶液，将硬脂酸镉加入到醋酸镉溶液中，搅拌均匀，得到混合液；S2、将硫化镉加入到混合液中，搅拌均匀，离心，过滤，干燥，得到混合粉体；S3、将混合粉体进行热处理，热处理后进行热压烧结，得到应用于太阳能电池的硫化物靶材。本发明所述的应用于太阳能电池的硫化物靶材及其制备方法，所述的硫化物靶材致密度高、导电性好，应用于太阳能电池具有较高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN109608197B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201811614159.7

申请日：2018-12-27

申请人： 深圳大学

发明人： 李甫 ,  阮敏 ,  常毅

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/64

摘要： 本发明公开一种SnS2单相块体及其制备方法。方法包括步骤：以单质Sn和单质S为原料，将原料在真空环境下进行球磨，得到中间化合物粉末；将中间化合物粉末压实后进行放电等离子体烧结，得到SnS2单相块体。本发明的SnS2单相块体，通过机械合金化结合放电等离子体烧结烧制而成。相比于现有的水热合成法，其工艺简单，操作简便，且略去提纯的步骤，降低了成本。另外，本发明的原料来源丰富且绿色环保无毒害，有利于可持续发展。

公开(公告)号：CN109314274B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201780016415.X

申请日：2017-03-10

申请人： 国立大学法人东京工业大学

发明人： 菅野了次 ,  平山雅章 ,  铃木耕太 ,  孙玉龙

IPC分类号： H01M10/0562 ,  C01B33/06 ,  C04B35/547 ,  H01B1/06 ,  H01M10/052

摘要： 本发明提供不含Ge、兼具优异的电化学稳定性和高锂离子导电率的硫化物固体电解质材料。该硫化物固体电解质是用组成式Li4‑4z‑x[SnySi1‑y]1+z‑xPxS4表示的硫化物系固体电解质，其中0.5≤x≤0.6，y＝0.2，0≥z≥‑0.2，在使用CuKα射线的X射线衍射测定中2θ＝29.58°±0.50°的位置上具有峰，在使用CuKα射线的X射线衍射测定中2θ＝27.33°±0.50°的位置上没有峰，或者在上述2θ＝27.33°±0.50°的位置上具有峰的情况下，使上述2θ＝29.58°±0.50°的峰的衍射强度为IA，上述2θ＝27.33°±0.50°的峰的衍射强度为IB时，IB/IA的值小于0.50。

公开(公告)号：CN108383526B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN201810167410.3

申请日：2018-02-28

申请人： 昆明理工大学

发明人： 葛振华 ,  张益欣 ,  冯晶

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L35/14 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种Cu1.8S基多晶块体热电材料及其制备方法，所述的热电材料是由包括Cu1.8S和掺杂剂X2Y3的原料制备而成，所述的Cu1.8S与掺杂剂X2Y3的摩尔比为1：0.005~0.07。本发明制备出的热电材料，一方面In掺杂，引入电子，优化载流子浓度，并且引入点缺陷将显著增强短波长声子的散射从而降低高温热导率；另一方面，多余的In2S3形成了一种特殊的纳米结构，即多余的In2S3附着在气孔边缘，这种结构能够大幅降低材料的热导率，优化Cu1.8S材料的热电性能。本发明所涉及到的Cu1.8S基多晶块体热电材料的制备具有所需原料成本低，设备简单，易操作，效果显著的优点。

公开(公告)号：CN112939611A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110115466.6

申请日：2021-01-28

申请人： 中国船舶重工集团公司第七二五研究所

发明人： 杨硕 ,  刘汉强 ,  薛建强 ,  师琳璞 ,  苏摇

IPC分类号： C04B35/622 ,  C04B35/486 ,  C04B35/58 ,  C04B35/547 ,  C04B35/16 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  B28B1/00 ,  B01J2/02

摘要： 本发明公开了一种采用直接滴定成型技术制备陶瓷微球的方法，主要包含如下步骤：称取陶瓷粉体和水溶剂各组分，将陶瓷粉体和水溶剂进行球磨得到固含量为75~85%陶瓷浆料，在陶瓷浆料中加入固化剂并混合均匀；陶瓷浆料的成型是在点胶机系统设备上进行，在斜面轨道表面制备超疏水薄膜，控制滴定针筒注射出的陶瓷浆料形成尺寸为0.1~1.5mm的液滴并滴落至斜面轨道顶端，液滴自斜面轨道顶端自由滚落至底端即完成固化形成球坯；将球坯经100~120℃干燥5~10h、550~600℃脱脂10~20h、最后于1400~1550℃烧结并保温2~5h后制得陶瓷微球。本发明制备的陶瓷微球球形度很高，内部结构均匀，具有工艺成本低、工序少、高效以及容易实现自动控制等优点。

公开(公告)号：CN111269014B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202010062807.3

申请日：2020-01-20

申请人： 昆明理工大学

发明人： 葛振华 ,  顾市伟 ,  冯晶

IPC分类号： C04B35/547 ,  C04B35/64 ,  C04B35/80 ,  C01G3/12 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34

摘要： 本发明属于热电材料技术领域，公开了一种Cu‑S基复合热电材料，为包括主相、伴生相和增强相的多孔复合材料，主相为Cu1.96S，伴生相为Cu9S5和Cu2S，增强相为CuO和碳纳米管。其制备方法，包括以下步骤，首先将单质Cu粉体和单质S粉体利用球磨机进行球磨，得到Cu9S5粉体；再利用硝酸铜和碳纳米管制备出氧化铜复合碳纳米管粉体；最后将制备的Cu9S5粉体和氧化铜复合碳纳米管粉体进行烧结，得到Cu‑S基复合热电材料。本发明解决了现有的热电材料载流子浓度高，而载流子热导率较大，导致材料总热导率较大，使得材料的热电性能不佳的问题。

公开(公告)号：CN108640685B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201810795425.4

申请日：2018-07-19

申请人： 河北东同光电科技有限公司

发明人： 康明生 ,  崔娜 ,  朱辉 ,  郄奕 ,  张卫 ,  李松敏

IPC分类号： C04B35/547

摘要： 本发明公开了一种二硫化钼靶材的制备方法，包括以下步骤：二硫化钼粉体的预处理，得混合物料；对混合物料进行等静压成型压制成块状粗坯；将块状粗坯放入气氛烧结炉中进行煅烧，送入球磨机进行球磨粉碎，得到粒径在30μm以下的粗粉；将粗粉进行200目过筛，筛下的粉体为备用粉体；将备用粉体用等静压设备根据模具尺寸进行初压成型，粗坯厚度根据使用厚度进行压制；将粗坯装入石墨模具中，而后装入真空热压烧结炉内进行烧结；烧结完成后，降温泄压出炉，得到粗靶；最后精加工得到二硫化钼靶材。本发明制作过程简单、易操作、安全无污染，制备的二硫化钼靶材不导电，致密性和稳定性好，表面光滑，为实现二硫化钼镀膜提供了可靠保障。