公开(公告)号：CN117910404A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410097689.8

申请日：2024-01-24

申请人： 中国科学院新疆理化技术研究所

发明人： 李小龙 ,  王信 ,  刘默寒 ,  于新 ,  税国华 ,  林涛 ,  魏莹 ,  郑齐文 ,  孙静 ,  陆妩 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F119/02 ,  G06F119/04

摘要： 本发明涉及一种总剂量条件下GaN HEMT器件栅可靠性仿真方法，该方法基于器件几何结构和工艺参数，构建GaN HEMT器件二维仿真结构；基于计算机辅助设计仿真器中的电学特性计算工具，设置电学特性仿真计算的模型，计算仿真器件的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合；基于总剂量效应下GaN HEMT器件辐射损伤的关键物理过程，通过在敏感区域P‑GaN/AlGaN/GaN界面处添加总剂量效应的辐射损伤模型，计算仿真总剂量条件下的IG‑VG曲线，分析对比仿真结果与试验结果，修正总剂量效应模型参数，使得仿真结果与试验结果相吻合。该方法可准确定位总剂量效应敏感区域，揭示辐射损伤机制，并可应用至器件研制过程中，减少迭代次数，降低器件研制成本。

公开(公告)号：CN117875245A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410042821.5

申请日：2024-01-11

申请人： 东北林业大学

发明人： 宋文龙 ,  莫冲 ,  徐滈 ,  张佳薇 ,  黄建平

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F30/373

摘要： 一种基于涡流搜索的空间惯性传感器电路参数优化方法，属于高精度空间惯性传感领域。本发明是为了解决现有空间惯性传感器电路分立元件选取存在参数确定的精度差效率低的问题。本发明根据待优化的空间惯性传感器电路拓扑结构图及电路设计指标需求，确定需要优化参数的分立元件的所属的制造系列和参数值范围；根据所述空间惯性传感器电路拓扑结构图、电路设计指标需求和参数值范围建立适应度函数，以最小化适应度函数的函数值为目标构建分立元件参数优化问题；采用涡流搜索算法对分立元件参数优化问题进行求解，获取分立元件最优参数。本发明适用于电路分立元件参数确定。

公开(公告)号：CN114781308B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202210422028.9

申请日：2022-04-21

申请人： 扬州大学

发明人： 黄鑫 ,  吕贺 ,  曹荣幸 ,  梅博 ,  薛玉雄 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  孟洋 ,  李林欢 ,  汪柯佳 ,  刘洋 ,  曾祥华

IPC分类号： G06F30/373 ,  G06F30/367

摘要： 本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

公开(公告)号：CN115329703B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202210792524.3

申请日：2022-07-05

申请人： 苏州斯迈特电子科技有限公司

发明人： 陈卫科

IPC分类号： G06F30/373 ,  G06F119/08

摘要： 本发明公开了基于车载超级电容热的管理系统，包括试验平台搭建模块和超级电容热管理模块，所述试验平台搭建模块用于根据超级电容结构与工作原理建立电化学‑热耦合模型以及搭建超级电容实验平台，所述超级电容热管理模块用于设计风冷热管理系统与耦合热管理系统对所设计的热管理系统控温和均温性能进行评估，所述试验平台搭建模块与超级电容热管理模块电连接，所述超级电容热管理模块包括参数选择模块、控温和均温性能评估模块、影响程度分析模块和热管理优化模块，所述参数选择模块与控温和均温性能评估模块网络连接，所述影响程度分析模块与热管理优化模块电连接，本发明，具有提高电气性能和延长使用寿命的特点。

公开(公告)号：CN117669442A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311574459.8

申请日：2023-11-22

申请人： 深圳市盈和致远科技有限公司

发明人： 陈旭

IPC分类号： G06F30/337 ,  G06F30/373 ,  G06F30/327 ,  G06F115/12

摘要： 本申请涉及通讯电子电路技术领域，尤其涉及一种逻辑芯片、逻辑控制系统以及电子设备，本申请设计的逻辑芯片用于定制配置b it长度的串入并出，以及并入串出的功能I O口，即本申请设计的逻辑芯片集成了74HC595和74HC165两种移位寄存器功能，能够同时实现“串行输入、并行输出”和“并行输入、串行输出”的功能，也就是说，本申请设计的逻辑芯片可替代多颗74HC移位寄存器，快速实现高度集成化方案，极大地减少元器件数量，进而有效地降低了工业控制领域中应用电路的制造成本。

公开(公告)号：CN117634395A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311658121.0

申请日：2023-12-04

申请人： 华中科技大学

发明人： 彭晗 ,  陈新波

IPC分类号： G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F17/15 ,  G06F17/18 ,  G06F119/06 ,  G06F119/14

摘要： 本发明公开了一种功率器件平衡应力‑损耗的暂态应力优化方法与设备，属于功率器件暂态控制技术领域，所述优化方法包括：构建目标函数f(x)＝α×x'+β×E'，该目标函数以暂态应力x为待优化的自变量，将损耗表示为暂态应力的表达式，通过数学分析确定不同工况下暂态应力x和损耗E的权重，并对暂态应力x和暂态损耗E归一化处理以消除量纲的影响，最后求解目标函数的极值点，该极值点即为综合考虑应力和损耗的最优点，以该点对应的暂态应力作为最优的暂态应力，通过有源驱动电路进行调控，使功率器件在开关时应力保持为最优的暂态应力，即能使暂态应力和损耗均达到最优。

公开(公告)号：CN110190835B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201910540692.1

申请日：2019-06-21

申请人： 苏州锴威特半导体股份有限公司

发明人： 谭在超 ,  张胜 ,  丁国华 ,  罗寅

IPC分类号： H03K5/24 ,  G06F30/373

摘要： 本发明涉及一种零失调比较器电路，包括比较器、时钟产生电路、反相器、第一至第四控制开关、第一至第二电容器，时钟产生电路的输出端连接第一和第三控制开关的控制端，时钟产生电路的输出端连接反相器的输入端，反相器的输出端连接第二和第四控制开关的控制端，第一信号输入端通过第一控制开关连接比较器的正相输入端，第二信号输入端通过第二控制开关连接比较器的正相输入端，比较器的反相输入端通过第三控制开关连接比较器的输出端，信号输出端通过第四控制开关连接比较器的输出端，第一和第二电容器的一端分别连接比较器的反相输入端和第四控制开关，另一端均接地。本电路的结构简单，性能参数稳定可靠，能将电压比较精度提高至20倍以上。

公开(公告)号：CN117391024B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311695494.5

申请日：2023-12-12

申请人： 浙江集迈科微电子有限公司

发明人： 马舒琦 ,  郑伟 ,  张宗烽 ,  潘涛

IPC分类号： G06F30/373 ,  G06F30/36

摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT开关器件建模方法及装置、存储介质和终端，其中方法包括：构建GaN HEMT开关器件的模型拓扑结构，模型拓扑结构中的本征部分由ASM原始模型构造；基于GaN HEMT开关器件在线性区delta参数随栅源电压变化特性，对ASM原始模型中的delta参数进行优化，以获取ASM初级模型；基于GaN HEMT开关器件在截止区电容随电压负向增大而减小的特性，对ASM初级模型中的电荷方程式进行优化，以获取ASM优化模型；基于栅极通孔接地方式对ASM优化模型中所有参数进行提取，以获取GaN HEMT开关器件的开关器件模型。本发明基于开关应用改进了ASM模型，能准确预测开关器件的性能，实现开关器件的IV、On/Off态S参数高精度拟合，可以有效地帮助设计师优化开关电路设计。

公开(公告)号：CN117556772A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311689324.6

申请日：2023-12-08

申请人： 重庆大学

发明人： 陈丰伟 ,  王斌 ,  扶庭强 ,  吴虞 ,  杨欣 ,  任江洪

IPC分类号： G06F30/373 ,  G06F30/27 ,  G06F18/27

摘要： 本发明涉及水下无线电能传输(Underwater Wireless power transfer,UWPT)技术领域，具体公开了一种基于梯度迭代的复杂介质UWPT系统数据驱动建模方法，该方法首先确定水下无线电能传输系统即UWPT系统的电路模型，然后建立电路模型的受控自回归模型，然后定义UWPT系统的参数向量和信息向量，最后通过采样长度为L的数据，并基于这些数据和建立的受控自回归模型进行梯度迭代，迭代结束后输出当前系统参数 本发明采用数据驱动建模，使用一个极为简洁的黑箱模型，直接基于系统的输入输出数据，利用梯度迭代方法建立系统的受控自回归模型，对于实际的工业环境中极大简化了系统的建模步骤，显著减少系统建模工作量的同时提高了系统在复杂介质环境中的建模精度与可靠度。

公开(公告)号：CN112417803B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011389111.8

申请日：2020-12-02

申请人： 苏州复鹄电子科技有限公司

发明人： 万景 ,  毛威 ,  张征 ,  黄益飞 ,  房华

IPC分类号： G06F30/36 ,  G06F30/373

摘要： 本发明公开了一种基于人工智能算法的模拟集成电路设计参数自动优化方法，涉及集成电路设计技术领域，包括以下步骤：A1、定义设计目标；A2、固定电路架构；A3、定义N个电路器件参数变量并设定范围；A4、定义M个仿真结果目标变量和X个限制条件，其中此步骤包括：方法一、方法二和方法三。该基于人工智能算法的模拟集成电路设计参数自动优化方法，将整个优化过程统一到一个环境中，使得整个设计更加便捷高效，在网表解析模块，我们给出了三种解决方案，可满足不同用户的使用习惯。