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公开(公告)号：CN1173855A
公开(公告)日：1998-02-18
申请号：CN96191835.7
申请日：1996-01-29
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： C07C59/265 , C07C55/06 , C07C59/255 , H01M4/52 , Y10T428/2991
摘要： 本发明涉及含钴金属的氧化钴(Ⅱ),涉及其制造方法及其应用。
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公开(公告)号：CN1105918A
公开(公告)日：1995-08-02
申请号：CN94113669.8
申请日：1994-10-27
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： B22F3/225 , B22F1/0014 , B22F1/0018 , B22F1/0059 , B22F2998/00 , B82Y30/00 , C03C17/06 , C03C17/22 , C03C2217/25 , C03C2218/17 , C04B35/58014 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/628 , C04B35/632 , C04B41/009 , C04B41/5068 , C04B41/87 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/3886 , C04B2235/3895 , C04B2235/5454 , C04B2235/5481 , C04B2235/6027 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/77 , C04B2235/781 , C23C24/00 , C04B41/4535 , C04B35/10 , C04B35/58
摘要： 应用如下的组合生产金属和陶瓷烧结体和涂层：(a)毫微结晶体金属或陶瓷粉末，其中偏离平均粒径40％以上的单个颗粒少于1％，没有偏离平均粒径60％以上的单个颗粒，和(b)至少一种低分子量有机化合物，它具有至少一个可与粉末颗粒表面上的基团反应和/或相互作用的官能团，物料(a)和(b)分散于作为分散介质的水和/或极性有机溶剂中。
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公开(公告)号：CN105264669A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031761.1
申请日：2014-06-05
申请人： H·C·施塔克公司
发明人： 孙树伟 , D·弗朗索瓦-查尔斯 , M·阿布阿夫 , P·霍根 , 张起
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/335
CPC分类号： H01L27/1244 , B81C1/00 , B81C1/00031 , B81C1/00404 , B81C1/00523 , B81C1/00547 , C21D1/00 , C21D9/00 , C21D2201/00 , C21D2211/00 , C21D2251/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C22F1/08 , C22F1/14 , G06F3/041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01B1/026 , H01L23/53238 , H01L29/4908 , H01L29/6675 , H01L29/78603 , H01L29/78666 , H01L2924/0002 , Y10T428/12611 , Y10T428/1266 , Y10T428/12681 , Y10T428/12687 , Y10T428/12694 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12743 , Y10T428/1275 , Y10T428/12806 , Y10T428/12812 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/1284 , Y10T428/12847 , Y10T428/12861 , Y10T428/12868 , Y10T428/12875 , Y10T428/12882 , Y10T428/12889 , Y10T428/12896 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/12931 , H01L2924/00
摘要： 在多个实施例中，诸如薄膜晶体管和/或触摸面板显示器的电子装置包括电极和/或互连，所述互连特征为：导体层，以及布置在导体层上方或下方的覆盖层和/或阻挡层，所述覆盖层和/或阻挡层包括Cu与选自由Ta、Nb、Mo、W、Zr、Hf、Re、Os、Ru、Rh、Ti、V、Cr以及Ni组成的组合的一种或多种难熔金属元素的合金。
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公开(公告)号：CN103154307A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201080068832.7
申请日：2010-07-01
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： C23C14/185 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C27/04 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C14/5873 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/12743 , Y10T428/12826 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , B22F1/0003 , B22F3/15
摘要： 本发明涉及包括50原子%或更多钼、第二金属元素铌或钒，及选自由钛、铬、铌、钒和钽组成的群组的第三金属元素，且其中第三金属元素与第二金属元素不同的溅射靶材，及采用所述溅射靶材制造的沉积膜。在本发明的优选方面，所述溅射靶材包括一富钼相、一富第二金属元素相及一富第三金属元素相。
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公开(公告)号：CN1853830B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200510087937.8
申请日：2001-10-11
申请人： H·C·施塔克公司
IPC分类号： B22F9/20
CPC分类号： H01G9/0525 , B22F9/20 , B22F2998/00 , C01G23/043 , C01G31/02 , C01G33/00 , C01G37/02 , C01G39/02 , C01G41/02 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/50 , C01P2004/52 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/17 , C01P2006/34 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , B22F1/0096 , B22F1/0014
摘要： 本发明涉及通过利用还原剂产生(燃烧后)的强放热反应使固体或液体形式的这种氧化物(18)经金属热还原由各自的氧化物形成适用于许多电、光和轧制成品/制造部件用途的高纯难熔金属、阀用金属、难熔金属氧化物、阀用金属氧化物或其合金，优选反应以连续或步进形式如重力下落(24)形式使氧化物移动，并且可在底部(30)回收金属，还原剂的氧化物可以气态或其它方便的形式被除去，并且可通过浸出或类似工艺将未反应的还原剂衍生物除去。
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公开(公告)号：CN1316526C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN99810186.9
申请日：1999-08-30
申请人： H·C·施塔克公司
摘要： 本发明涉及一种用于制造烧结耐火金属层，特别是电解质电容器阳极的膏剂。该膏剂由40-92%(重量)的作间断相的耐火金属粉末和连续相组成，后者基本上完全由碳、氧和氢合成的有机化合物组成，氧原子与碳原子的比例最低为0.5，并可能由一种在低于150℃下挥发的溶剂组成。
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公开(公告)号：CN1309513C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN01817885.5
申请日：2001-10-23
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： H01G9/0525 , C22C27/02 , C22C29/16 , C22C32/0068
摘要： 一种生产烧结粒料的方法，该粒料由难熔金属和难熔金属氮化物混合制成，发现比由难熔金属或难熔金属氮化物单独制成的那些有更高比例的内聚集孔隙，得到改善的电容器级粉末，阳极和由此制成电容器。当混合物是在50-75W/W%难熔金属氮化物范围时，粒料孔隙率和总侵入体积最大化。总粒料孔隙表面积相对独立于难熔金属氮化物的超过50%浓度。由50/50或25/75W/W%难熔金属/难熔金属氮化物粉末混合物构成的基底将生产有更高的电容恢复率和较低的ESR的固体电容器。
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公开(公告)号：CN1221684C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN02804821.0
申请日：2002-02-14
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： H01J37/3491 , B22F7/062 , B22F2007/068 , B22F2999/00 , C23C14/3414 , Y02P10/295 , B22F3/1055
摘要： 高熔点金属制品(12)，如铜等非高熔点导电金属背衬(14)上的钽，能够在选定区域的金属被消耗后，通过对该区域(18)进行粉末填充(28)和高扫描速度下高能加热(30)烧结所加的粉末而再生，由于无需完全熔化填充的粉末，所以能够建立与再生制品的其余部位一致的显微结构，并且无需将铜背衬(14)与钽溅射板(12)分离。该再生方法可以应用于遭受不均匀侵蚀、蚀刻、切割或其他金属消耗的非固定安装的高熔点金属制品。这些高熔点金属制品的形状可以是板状、棒状、圆柱体状、块状或其他除溅射靶以外的形状。该过程可以应用于如X射线靶(碳背衬上的钼板)。
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公开(公告)号：CN1491294A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804821.0
申请日：2002-02-14
申请人： H·C·施塔克公司
CPC分类号： H01J37/3491 , B22F7/062 , B22F2007/068 , B22F2999/00 , C23C14/3414 , Y02P10/295 , B22F3/1055
摘要： 高熔点金属制品(12)，如铜等非高熔点导电金属背衬(14)上的钽，能够在选定区域的金属被消耗后，通过对该区域(18)进行粉末填充(28)和高扫描速度下高能加热(30)烧结所加的粉末而再生，由于无需完全熔化填充的粉末，所以能够建立与再生制品的其余部位一致的显微结构，并且无需将铜背衬(14)与钽溅射板(12)分离。该再生方法可以应用于遭受不均匀侵蚀、蚀刻、切割或其他金属消耗的非固定安装的高熔点金属制品。这些高熔点金属制品的形状可以是板状、棒状、圆柱体状、块状或其他除溅射靶以外的形状。该过程可以应用于如X射线靶(碳背衬上的钼板)。
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