公开(公告)号：CN104136396B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201280070562.2

申请日：2012-12-20

申请人： 法商圣高拜欧洲实验及研究中心

发明人： 纳比尔·纳哈斯 ,  丹尼尔·厄费尔

IPC分类号： C04B35/488 ,  H04M15/02

CPC分类号： C04B35/4885 ,  C04B33/04 ,  C04B35/111 ,  C04B35/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/195 ,  C04B35/44 ,  C04B35/488 ,  C04B35/597 ,  C04B35/63488 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/87 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9661 ,  H04B1/3888 ,  H04M1/185

摘要： 本发明涉及一种利用频率在800MHz至3GHz的无线电波的通信装置，所述通信装置包括至少部分地暴露在所述通信装置的外部环境中的陶瓷外壳，在所述装置使用期间所述无线电波的至少一部分穿过所述外壳，所述外壳至少部分地由具有以下化学组成的烧结产品组成，诸如，以重量百分比且总量为100％计：32％≤ZrO2≤95％，1％

公开(公告)号：CN103764596B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201280043049.4

申请日：2012-09-04

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

发明人： 青木克之 ,  小松通泰 ,  船木开 ,  山口晴彦

IPC分类号： C04B35/584 ,  F16C19/02 ,  F16C33/32

CPC分类号： F16C19/06 ,  C04B35/5935 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  F16C33/32 ,  F16C2202/04 ,  F16C2202/10 ,  F16C2206/44 ,  F16C2206/60 ,  F16C2220/20

摘要： 本发明提供氮化硅烧结体，实施方式的氮化硅烧结体含有：铝，以氧化物换算量计为2～10质量%的范围；R元素，为选自稀土元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围；M元素，为选自IVA族元素、VA族元素和VIA族元素中的至少一种，以氧化物换算量计为1～5质量%的范围。铝的含量与R元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～5：1的范围，且铝的含量与M元素的含量之比以氧化物换算量计为2：1～10：1的范围。实施方式的氮化硅烧结体作为轴承滚珠这样的耐磨部件使用。

公开(公告)号：CN103608313B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201280029532.7

申请日：2012-07-04

申请人： 联合材料公司

发明人： 山本刚久 ,  石津定

IPC分类号： C04B35/581

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/581 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供与被接合在接合面的半导体基板等其他构件之间的热传递效率优异的AlN基板，以及用于制造上述AlN基板的制造方法。AlN基板由包含2A族元素、3A族元素的AlN的烧结体形成，接合面的表面粗糙度Ra为3nm以下，在上述接合面上露出的长径0.25μm以上的空隙的、上述长径的平均值为1.5μm以下且最大值为1.8μm以下。制造方法如下所述：通过在包含88.7～98.5质量％的AlN、以氧化物换算计为0.01～0.3质量％的2A族元素、以氧化物换算计为0.05～5质量％的范围的3A族元素的烧结材料形成前体，将该前体在1500～1900℃的温度下烧结而形成烧结体，在1450～2000℃的温度及9.8MPa以上的压力下对上述烧结体进行HIP处理。

公开(公告)号：CN101883834B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN200880118932.9

申请日：2008-11-25

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： A·蒂克斯 ,  P·J·施密特 ,  H-H·贝希特尔

IPC分类号： C09K11/79

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9653 ,  C09K11/0883

摘要： 本发明涉及一种通过单轴热压步骤来制作的具有减少的散射的用于LED的陶瓷发光材料。

公开(公告)号：CN102471681B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201080031262.4

申请日：2010-06-17

申请人： 默克专利有限公司

发明人： H·温克勒 ,  R·派特里 ,  T·沃斯格罗内 ,  T·朱斯特尔 ,  D·乌利希 ,  A·卡特尔尼科瓦斯

IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/77 ,  C09K11/02 ,  C01B21/082

CPC分类号： C09K11/7791 ,  C01B21/0821 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/84 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/6269 ,  C04B35/62805 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/62815 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62823 ,  C04B35/62836 ,  C04B35/62892 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/465 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C09K11/025 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7792

摘要： 本发明涉及式(I)的化合物：(Ca，Sr，Ba)6-x(Si1-yMey)3(O1-zMa2z)6N4:Eux (I)其中Me＝Th、Ru和/或Os，Ma＝F和/或Cl，x＜0.5，y＜1且z＜0.1，本发明还涉及这些化合物的制造方法和作为发光物质的用途，还涉及用于转换来自LED的蓝光发射或近UV发射的转换发光物质。

公开(公告)号：CN102361956B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080012830.6

申请日：2010-03-31

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 瀬户孝俊 ,  木岛直人 ,  关敬一 ,  安达隆二 ,  山田裕康 ,  井上达也

IPC分类号： C09K11/79 ,  C09K11/08 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/7766 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/593 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/65 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种黄色～橙色荧光体，其具有高辉度和优异的温度特性，在与其他颜色的荧光体混合时也具有高辉度。所述荧光体的特征在于，含有下述式[I]表示的结晶相，且用L*a*b*色度学系统表示物体色时的a*、b*和(a*2+b*2)1/2的值分别满足-20≤a*≤-2、71≤b*和71≤(a*2+b*2)1/2。R3-x-y-z+w2MzA1.5x+y-w2Si6-w1-w2Alw1+w2Oy+w1N11-y-w1[I]。

公开(公告)号：CN103596904A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201380001642.7

申请日：2013-02-27

申请人： 美浓窑业株式会社

发明人： 熊泽猛 ,  关根圭人 ,  辻野鲇美

IPC分类号： C04B37/00 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  B32B18/00 ,  C04B37/02 ,  C04B41/83

CPC分类号： B32B37/06 ,  C04B35/563 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/64 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  F41H5/0421

摘要： 本发明涉及冲击吸收部件（50），其具备陶瓷接合体（15），该陶瓷接合体（15）具有：由含有60质量%以上的碳化硼的陶瓷形成的厚度为0.1～50mm的多个第1片状部件（5），和配置于邻接的第1片状部件（5）之间、将邻接的第1片状部件（5）的对置的接合面彼此接合的接合层；接合层由含有选自由铝、铜、银及金组成的组中的至少一种金属的接合材料形成。

公开(公告)号：CN103080270A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180028320.2

申请日：2011-07-15

申请人： 电气化学工业株式会社

发明人： 桥本久之 ,  山田铃弥 ,  江本秀幸 ,  市川真义

IPC分类号： C09K11/64 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/7734 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/767 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2982 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一种β型赛隆的制备方法，其具有如下工序：将氧化铝或氧化硅中的至少一种、氮化硅、氮化铝和铕化合物进行混合的混合工序；以大于1950℃且小于等于2200℃、10小时以上的条件对混合工序后的混合物进行烧成的烧成工序；和烧成工序后在1300℃以上至1600℃以下、分压为10kPa以下的除氮气以外的惰性气体气氛中进行热处理的热处理工序。

公开(公告)号：CN102653146A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210052595.6

申请日：2012-03-02

申请人： 钴碳化钨硬质合金公司

发明人： 班志刚 ,  刘一雄 ,  M·S·格林菲尔德

IPC分类号： B32B9/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C30/00 ,  C04B35/58021 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3895 ,  C23C16/30 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/265

摘要： 本发明披露了具有高耐磨性涂层的涂覆的基体。这些涂层包括氧碳氮化钛或氧碳氮化钛铝的至少一个层，使得该层具有在约0.01至约0.09范围内的氧与钛原子百分比率、以及在约0至约0.1范围内的铝与钛原子百分比率。这些涂层具有的硬度与杨氏模量之比为至少0.06。该基体可以是一种切削镶片。还披露了用于制造此类涂覆的基体的方法，其中在约750℃至约950℃的温度范围内使用一种气体混合物通过中温化学气相沉积(MT-CVD)在基体上沉积多个包含氧碳氮化钛或氧碳氮化钛铝的层，在该气体混合物中氢气与氮气之比大于5。

公开(公告)号：CN1872536B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200610087716.5

申请日：2006-05-31

申请人： OSG株式会社

发明人： 户井原孝臣 ,  樱井正俊 ,  福井康雄 ,  齐藤益生

IPC分类号： B32B33/00 ,  C23C30/00

CPC分类号： C04B35/58007 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3895 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

摘要： 一种被布置在主体上的硬质多层涂层，包括：(a)与主体保持接触布置的第一涂层，第一涂层基本上由TiAlCrX1-aNa(其中“X”表示碳和氧的其中一种，而“a”表示满足0.5≤a≤1的混合晶体率)构成；(b)布置在第一涂层上的第二涂层，第二涂层由基本上由TiAlCrX1-bNb(其中“X”表示碳和氧的其中一种，而“b”表示满足0.5≤b≤1的混合晶体率)和TiAl(SiC)X1-cNc(其中“X”表示碳和氧的其中一种，而“c”表示满足0.5≤c≤1的混合晶体率)构成的混合物层提供，或由包括基本上由TiAlCrX1-bNb构成的第一分层和基本上由TiAl(SiC)X1-cNc构成的第二分层的多层提供，第一和第二分层彼此交替重叠；和(c)布置在第二涂层上并且构成硬质多层涂层或最外层的第三涂层，第三涂层基本上由TiAl(SiC)X1-dNd(其中“X”表示碳和氧的其中一种，而“d”表示满足0.5≤d≤1的混合晶体率)构成。