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公开(公告)号:CN103402758B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201180060089.5
申请日:2011-12-13
申请人: 米歇尔集团
CPC分类号: B32B15/08 , B32B7/12 , B32B27/36 , B32B38/08 , B32B2250/02 , C23C14/20 , C23C14/205 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C28/00 , C23C30/00 , H05K9/0094 , Y10T428/12556 , Y10T428/12569 , Y10T428/12681 , Y10T428/12819 , Y10T428/12944 , Y10T428/261 , Y10T428/265 , Y10T428/266 , Y10T428/268 , Y10T428/28 , Y10T428/2804 , Y10T428/31678
摘要: 一种具有改进的能量屏蔽性能的塑料膜,适于用在透明或半透明的表面如玻璃,和对于可见光至少50%是透明的,进一步地,其特征在于包括至少一个塑料载体层,在顶部作为功能层的金属层,其总量以重量计为至少4.0ppm和至多25.0ppm的锑和/或砷以及铟和/或镓,其中塑料膜包含由铟(In),镓(Ga),锑(Sb)和砷(As)一起组成的物质,其以合金形式存在,例如锑化铟,锑化镓,砷化铟,砷化铟镓和/或砷化镓。本申请进一步描述了一种粘贴有所述膜的玻璃板和设置有该玻璃板的物体。另外,描述了一种制备该膜、玻璃板和物体的方法。
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公开(公告)号:CN101842518A
公开(公告)日:2010-09-22
申请号:CN200880114169.2
申请日:2008-10-30
申请人: 杰富意钢铁株式会社
CPC分类号: C23C30/00 , C23C28/00 , C23C28/021 , C23C28/023 , C25D5/48 , C25D7/00 , Y10T428/12028 , Y10T428/12389 , Y10T428/12569 , Y10T428/12611 , Y10T428/12618 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722 , Y10T428/12792 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12882 , Y10T428/12931 , Y10T428/12972 , Y10T428/12979 , Y10T428/12993 , Y10T428/24967 , Y10T428/265 , Y10T428/273
摘要: 本发明的目的在于,提供一种不使用Cr、湿润树脂密合性优异、可以成为无锡钢板的替代材料的表面处理钢板及在该表面处理钢板上被覆有树脂的树脂被覆钢板。一种表面处理钢板及其制造方法,其特征在于,在钢板的至少一面具有含有Ti、而且含有以总计相对于Ti的质量比计为0.01~10的选自Co、Fe、Ni、V、Cu、Mn及Zn中的至少1种的密合性被膜。一种表面处理钢板,其在钢板的至少一面具有厚度20~800nm的含有Ti的密合性被膜,且在密合性被膜上以1个/μm以上的线密度存在凸部;在此,所述密合性被膜的厚度为,在用TEM观察的被膜剖面轮廓中、从被膜底面起测得的凸部的最大高度H,所述凸部的线密度为,在将凹部的底距被膜底面的最小高度设定为L、以(H+L)/2的位置为中心画±10nm的上下水平的水平线时,将在下水平的水平线和剖面轮廓的曲线交叉的2点间存在1次以上上水平的水平线和轮廓的曲线交叉的点的情况下,作为存在1个凸部求出的凸部的每单位长度的个数。
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公开(公告)号:CN1167051C
公开(公告)日:2004-09-15
申请号:CN96199653.6
申请日:1996-12-23
申请人: 西加特技术有限责任公司
IPC分类号: G11B5/66
CPC分类号: G11B5/732 , G11B5/656 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , Y10S428/90 , Y10S428/928 , Y10T428/12465 , Y10T428/12819 , Y10T428/12847 , Y10T428/12854 , Y10T428/12944 , Y10T428/24355 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要: 在玻璃或玻璃-陶瓷材料基体(30)上形成一种双晶簇磁性层(33)的情况下,得到了一种介质噪声低,适于高密度磁记录的磁记录介质。具有(200)晶向的垫层(32)的形成诱导在该垫层上外延生产的磁性合金层(33)中形成双晶簇微观结构。
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公开(公告)号:CN1135912C
公开(公告)日:2004-01-21
申请号:CN96190106.3
申请日:1996-07-12
申请人: 株式会社东芝
发明人: 那波隆之
CPC分类号: B23K35/3006 , B23K1/0016 , B23K2101/40 , C04B37/026 , C04B2235/6581 , C04B2235/96 , C04B2237/125 , C04B2237/127 , C04B2237/366 , C04B2237/407 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/86 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H05K3/38 , Y10T428/12493 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12882 , Y10T428/12896 , Y10T428/24926 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要: 一种陶瓷电路基板,其特征在于:该陶瓷电路基板系通过含有从钛、锆、铪、钒、铌和钽中选出的至少一种活性金属的银-铜类钎料焊料层5将陶瓷基板2与金属电路板3接合起来而形成,其中银-铜类钎料焊料层5与陶瓷基板2发生反应而生成的反应生成层6的维氏硬度是在1100以上。此外,在银-铜类钎料焊料层5中最好还含有从铟、锌、镉和锡中选出的至少一种元素。此外,钎料焊料层5中最好含有重量百分比为0.1~10.0%的碳粉末。如采用上述构成,即使在长时间地外加重复的冷热循环后,也能有效地抑制裂缝的产生,可提供所谓耐热循环特性优良、可靠性高的陶瓷电路基板。
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公开(公告)号:CN1320103A
公开(公告)日:2001-10-31
申请号:CN99811568.1
申请日:1999-09-15
申请人: 卡伯特公司
发明人: 詹姆斯·A·法伊夫
IPC分类号: C01G1/02 , C01G35/00 , C01G33/00 , H01G9/042 , C04B35/495
CPC分类号: H01G9/0525 , C01G1/02 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01P2002/70 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , C04B35/495 , C04B35/6265 , C04B35/6268 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/02 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/404 , C04B2235/5409 , C04B2235/6582 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C22C29/12 , C22C2001/1089 , H01G9/042 , H01G9/052 , Y10T29/49002 , Y10T428/12819
摘要: 本发明所描述的是至少部分地还原铌氧化物的方法,其中该方法包括在消气材料(getter material)存在下对铌氧化物进行热处理,该热处理是在允许氧原子从起始的铌氧化物转移至消气材料的气氛中进行的,并且在足够的温度下进行足够的时间,以形成脱氧的铌氧化物。本发明也描述了铌的氧化物和/或低价氧化物,还描述了包含由该铌氧化物和低价氧化物制成的阳极的电容器。
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公开(公告)号:CN1248156A
公开(公告)日:2000-03-22
申请号:CN97181483.X
申请日:1997-12-03
申请人: 斯滕特技术公司
CPC分类号: A61F2/82 , A61F2/0077 , A61F2/91 , A61F2240/001 , A61F2250/0098 , A61F2310/00017 , B32B15/01 , C21D8/105 , C21D2251/02 , Y10T428/12292 , Y10T428/12819 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/12979
摘要: 一用作一外科手术中移植件的多层复合管状结构,具有一生物相容性材料的外层(12)、一非透射性材料的中间层(14)和一生物相容性材料的内层(16)。这些层料被冶金法粘接,以形成一易延展的复合移植件(10),并且允许该复合移植件有大的变形而在生物相容性层(12,16)与非透射性层(14)之间不会发生分层。所形成的复合结构(10)在一荧光屏上是可见的,并且不会遮蔽移植件(10)本身的细节、或者绕移植件(10)周围的解剖器官。还公开了形成一多层复合管状结构(10)的方法。将一生物相容性材料管(12,16)同轴地环绕由非透射性材料所形成的一管(14)。例如通过管拉伸、模锻或深拉伸来同时减小这些管料结构,直到形成所希望的直径和壁厚。然后对这些管件进行热处理,以使生物相容性层(12,16)与非透射性层(14)扩散粘接。
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公开(公告)号:CN104395069B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201380032329.X
申请日:2013-04-17
申请人: 原子能与替代能源委员会
CPC分类号: C23C14/165 , B32B15/01 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C16/06 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , G21C3/07 , G21C3/20 , Y02E30/40 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12847
摘要: 多层材料包含用多层涂层覆盖的基于锆的基底,所述多层涂层包含金属层,金属层由选自铬、铬合金或Nb-Cr-Ti体系的三元合金的相同或不同的物质构成。此类材料改善了核反应堆在事故条件下的抗氧化性。本发明还涉及多层涂层、全部地或部分地由所述多层材料或所述多层涂层构成的零件、以及用于制造所述多层材料的方法比如例如磁控管阴极溅射工艺。
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公开(公告)号:CN106133194A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201580016611.8
申请日:2015-04-08
申请人: 新日铁住金株式会社
CPC分类号: C23C22/44 , B32B15/012 , B32B15/013 , B32B15/015 , C22C9/06 , C22C12/00 , C22C13/00 , C22C18/00 , C22C28/00 , C23C22/36 , C23C28/00 , C23C28/02 , C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/025 , C23C28/30 , C23C28/321 , C23C28/34 , C23C30/00 , C23C30/005 , C23C2222/20 , C25D3/04 , C25D3/12 , C25D3/22 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D3/54 , C25D3/565 , C25D3/60 , Y10T428/12681 , Y10T428/12722 , Y10T428/12757 , Y10T428/12799 , Y10T428/12806 , Y10T428/12819 , Y10T428/12917 , Y10T428/12937 , Y10T428/12951 , Y10T428/12972 , Y10T428/12979 , Y10T428/24942 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/263 , Y10T428/264 , Y10T428/265 , Y10T428/27 , Y10T428/31678
摘要: 在镀覆钢板(1)中,包含钢板(2)、钢板(2)的至少一个表面上的包含Al、Cu、In、Zn、Sn或Sb或它们的任意的组合的预镀层(3)、和预镀层(3)上的由Ni含有率为5质量%~15质量%的Zn‑Ni合金构成的镀层(4)。预镀层(3)的附着量为0.5g/m2以上,镀层(4)的附着量为5g/m2以上。
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公开(公告)号:CN1360346B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN01143660.3
申请日:2001-12-17
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: H01L23/532 , H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01B1/02
CPC分类号: H01L21/76843 , B32B15/01 , C22C27/02 , H01L21/76846 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10S428/929 , Y10S428/935 , Y10S428/936 , Y10S428/938 , Y10T428/12639 , Y10T428/12743 , Y10T428/12806 , Y10T428/12812 , Y10T428/12819 , Y10T428/12826 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/12903 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种用于电子结构中的导电体,它包括一种由含有约0.001%(原子)到大约2%(原子)之间的选自Ti,Zr,In,Sn和Hf中的元素的合金所形成的导电体,和一种邻接所述导电体,由含有Ta,W,Ti,Nb和V的合金所形成的衬。本发明还公开了一种用于半导体内连接件的衬,它由选自Ti,Hf,In,Sn,Zr及其合金,TiCu3,Ta1-XTiX,Ta1-XHfX,Ta1-XInX,Ta1-XSnX,Ta1-XZrX中的材料形成。
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公开(公告)号:CN100508136C
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200510114267.4
申请日:2005-10-21
申请人: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号: H01L21/288 , C23C18/04 , C23C18/08 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , Y10T428/12819 , Y10T428/12903
摘要: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中,在Cu扩散阻止膜上形成接触膜,该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板,以使Cu膜在接触膜上形成。
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