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公开(公告)号：CN117083707A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025311.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明提供能够抑制凸块间的短路和基板的翘曲的多层基板的制造方法。该多层基板的制造方法包含以下工序：准备作为刚性基板的第一基板、以及第二基板或半导体器件，该第一基板在其表面以规定的配置具备多个第一凸块，该第二基板或半导体器件在其表面以对应的配置具备多个第二凸块，第一凸块和第二凸块分别包括具有600℃以上的熔点的金属或合金，且具有0.3μm以上的高度；以及在压力为1×10‑3Pa以下的气氛中，对第一凸块的接合面和第二凸块的接合面进行洁净化处理，接着以使第一凸块的接合面和第二凸块的接合面抵接的方式来层叠第一基板和第二基板或半导体器件，在90℃以下的温度下将第一凸块和第二凸块压接，从而形成多层基板。
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公开(公告)号：CN110024496B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201680091253.1
申请日：2016-12-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供能够一边降低多层层叠体挠曲一边以准确的探测进行电检查的多层电路板的制造方法。该方法包括如下工序：准备依次具备第1支撑体、第1剥离层和金属层的层叠片的工序；在金属层的表面交替地形成布线层和绝缘层而得到多层层叠体的工序，其中，作为最后形成的布线层的第n布线层包含第n连接焊盘；在多层层叠体的与层叠片相反侧的表面，夹着第2剥离层粘接具备开口部的第2支撑体，以使得第n连接焊盘的至少一部分位于开口部内，得到经增强的多层层叠体的工序，其中，第2剥离层被适用于第2支撑体的被粘接面的全部区域或仅被适用于一部分区域；在第1剥离层的位置将第1支撑体从经增强的多层层叠体剥离的工序；以及，使导电体与经增强的多层层叠体的第n连接焊盘接触来进行电检查的工序。
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公开(公告)号：CN109691246B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201680089184.0
申请日：2016-10-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H05K3/46
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公开(公告)号：CN111511543B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201980006742.6
申请日：2019-02-13
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供即使小型化为能实现电路安装的大小铜层在切断部位也不易剥离、容易形成期望的电路图案、而且可理想地实现细间距的电路安装基板的带玻璃载体的铜箔。该带玻璃载体的铜箔具备：玻璃载体、设置于玻璃载体上的剥离层、和设置于剥离层上的厚度0.1μm以上且3.0μm以下的铜层。玻璃载体在至少铜层侧的表面具有依据JIS B 0601‑2001测定的最大高度Rz不足1.0μm的多个平坦区域和依据JIS B 0601‑2001测定的最大高度Rz为1.0μm以上且30.0μm以下的凹凸区域，凹凸区域被设置成划分多个平坦区域的线状的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701656B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780010522.1
申请日：2017-02-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 松浦宜范
IPC: H01L23/12
Abstract: 提供：无芯支撑体表面的布线层形成时防反射层对铜快速蚀刻液呈现优异的耐化学药品性、且铜快速蚀刻后的图像检查时可以利用与防反射层的对比度带来布线层的优异的可视性的带载体的铜箔。该带载体的铜箔具备：载体；剥离层，其设置于载体上；防反射层，其设置于剥离层上，且由选自由Cr、W、Ta、Ti、Ni和Mo组成的组中的至少1种金属构成；和，极薄铜层，其设置于防反射层上，防反射层的至少极薄铜层侧的表面为金属颗粒的集合体。
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公开(公告)号：CN113169134A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077735.5
申请日：2019-08-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供属于对重布线层的形成有用的片形式、并且可以高效地进行之后形成的重布线层的电检查的层叠片。该层叠片具备：带剥离功能的载体、在带剥离功能的载体上设置的第1导电膜、在第1导电膜上设置的绝缘膜、和在绝缘膜上设置的第2导电膜，第2导电膜用于重布线层的形成，并且，第1导电膜、绝缘膜以及第2导电膜作为用于进行重布线层的电检查的电容器发挥作用。
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公开(公告)号：CN112969581A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073928.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种层叠体，其即使在低温和高温的任一温度条件下进行热处理也能够抑制剥离层所具有的剥离功能降低。该层叠体具备：载体；密合层，其设置于载体上，包含具有负标准电极电位的金属M1；剥离辅助层，其设置于密合层的与载体相反的面侧，包含金属M2(M2为除碱金属和碱土金属以外的金属)；剥离层，其设置于剥离辅助层的与密合层相反的面侧；以及金属层，其设置于剥离层的与剥离辅助层相反的面侧，其中，剥离辅助层的厚度T2相对于密合层的厚度T1的比即T2/T1大于1且为20以下。
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公开(公告)号：CN112969580A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073906.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种带载体的金属箔，其载体的剥离性及金属层的选择蚀刻性优异，使用其制造的半导体封装体(例如毫米波天线基板)能够实现传输损耗及电阻的降低。该带载体的金属箔具备：(a)载体；(b)剥离功能层，其设置在载体上；以及(c)复合金属层，其设置在剥离功能层上，所述(b)剥离功能层包含：(b1)密合层，其在靠近载体的一侧，厚度大于10nm且小于200nm；以及(b2)剥离辅助层，其在远离载体的一侧，厚度为50nm以上且500nm以下，所述(c)复合金属层包含：(c1)碳层，其在靠近剥离辅助层的一侧；以及(c2)第1金属层，其在远离剥离辅助层一侧，主要由Au或Pt构成。
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公开(公告)号：CN110997313A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880049861.5
申请日：2018-10-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 松浦宜范
Abstract: 本发明提供一种极薄铜箔，其可以在两面以不同图案形成线/间距(L/S)为10μm以下/10μm以下的高度微细化的布线，因此，可用作硅中介层和玻璃中介层的廉价且易于加工的更佳替代品。该极薄铜箔依次具备第一极薄铜层、蚀刻阻挡层和第二极薄铜层，并且极薄铜箔的两面的算术平均粗糙度Ra为20nm以下。
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