公开(公告)号：CN108505020A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810165871.7

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川淳 ,  吹上纪明 ,  大槻志门 ,  尾谷宗之 ,  辛川孝行 ,  小山峻史 ,  岩崎征英

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/6835 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。

公开(公告)号：CN103882406A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310711879.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池川宽晃 ,  上西雅彦 ,  高桥宏辅 ,  小堆正人 ,  小川淳

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。

公开(公告)号：CN101140884B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200710167674.0

申请日：2007-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  石田义弘 ,  藤田武彦 ,  小川淳 ,  中岛滋

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够选择性供给第一处理气体、第二处理气体、第三处理气体的处理区域内，利用CVD法在被处理基板上形成氧化膜，其中第一处理气体包括含有膜源元素且不含氨气的源气体，第二处理气体包括氧化气体，第三处理气体包括预处理气体。第一工序包括将第三处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述预处理气体的自由基对所述被处理基板的表面进行预处理。第二工序是供给第一处理气体，由此，使膜源元素吸附到被处理基板的表面。第三工序包括将第二处理气体在利用激发机构激发的状态下供给的激发阶段，利用由此生成的所述氧化气体的自由基，使吸附在所述被处理基板的表面的膜源元素氧化。

公开(公告)号：CN100426474C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200510087306.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  金采虎 ,  小川淳

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。