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公开(公告)号：CN103882406B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310711879.6
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
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公开(公告)号：CN103882406A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310711879.6
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
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公开(公告)号：CN100589230C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200610093135.2
申请日：2006-06-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/67 , H01L21/00
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/24
摘要： 本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上的上述自然氧化膜，在该工序中，向上述反应室内输入含氯但不含氟的蚀刻气体，设定上述反应室内的蚀刻压力，并将温度设定为低于上述阈值温度的蚀刻温度。然后，清洗上述反应室内部，接着，在上述反应室内，利用CVD在上述被处理面上形成薄膜，在该工序中，向上述反应室内输入成膜气体，并将上述反应室内的温度设定为蚀刻温度。
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公开(公告)号：CN103184429B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
摘要： 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN101540275B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200910128449.5
申请日：2009-03-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , G05D23/00
摘要： 本发明提供了一种能够简易地进行温度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。热处理装置1的控制部50，在半导体晶片W上将SiO2膜成膜，判别SiO2膜是否满足面内均匀性。当控制部50判别为不满足面内均匀性时，计算满足面内均匀性时的预热部23的温度。控制部50在变更为计算的预热部23的温度的处理条件下在半导体晶片W将SiO2膜成膜，进行预热部23的温度调整。此外，当控制部50判别为满足面内均匀性时，对于面间均匀性也以相同的顺序进行加热器11～15的温度调整。
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公开(公告)号：CN103184429A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210576159.9
申请日：2012-12-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/02189 , H01L21/02178 , H01L21/02205 , H01L21/0228
摘要： 本发明提供一种成膜方法，其是在成膜装置中进行的成膜方法，该成膜装置包括用于载置多个晶圆的旋转台；在旋转台的上方划分的第一反应气体供给区域、第二反应气体供给区域；以及用于分离第一反应气体供给区域和第二反应气体供给区域的分离区域，该成膜方法包括如下步骤：不向第二反应气体供给区域供给反应气体，向第一反应气体供给区域供给第一反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第一反应气体，从而使该气体吸附于晶圆表面；接着该步骤，不向第一反应气体供给区域供给反应气体，向第二反应气体供给区域供给第二反应气体，通过旋转台的旋转使晶圆暴露于第二反应气体，从而使吸附于晶圆表面的第一反应气体与第二反应气体反应。
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公开(公告)号：CN101540275A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910128449.5
申请日：2009-03-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , G05D23/00
摘要： 本发明提供了一种能够简易地进行温度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。热处理装置1的控制部50，在半导体晶片W上将SiO2膜成膜，判别SiO2膜是否满足面内均匀性。当控制部50判别为不满足面内均匀性时，计算满足面内均匀性时的预热部23的温度。控制部50在变更为计算的预热部23的温度的处理条件下在半导体晶片W将SiO2膜成膜，进行预热部23的温度调整。此外，当控制部50判别为满足面内均匀性时，对于面间均匀性也以相同的顺序进行加热器11～15的温度调整。
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公开(公告)号：CN1885496A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093135.2
申请日：2006-06-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/67 , H01L21/00
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/24
摘要： 本发明涉及一种半导体处理用成膜方法，其特征在于：首先，在反应室内装载具有形成有自然氧化膜的被处理面的被处理基板，在该工序中，将上述反应室内的温度设定为低于上述自然氧化膜转变成稳定状态的阈值温度的装载温度。然后，利用蚀刻除去上述被处理面上的上述自然氧化膜，在该工序中，向上述反应室内输入含氯但不含氟的蚀刻气体，设定上述反应室内的蚀刻压力，并将温度设定为低于上述阈值温度的蚀刻温度。然后，清洗上述反应室内部，接着，在上述反应室内，利用CVD在上述被处理面上形成薄膜，在该工序中，向上述反应室内输入成膜气体，并将上述反应室内的温度设定为蚀刻温度。
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