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公开(公告)号：CN1701133A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000802.7
申请日：2004-02-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/44
摘要： 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
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公开(公告)号：CN103882408B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
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公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
摘要： 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN103882406A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310711879.6
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
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公开(公告)号：CN114388413A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111176584.4
申请日：2021-10-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/205 , C23C16/455
摘要： 本公开提供一种舟搬入方法和热处理装置，能够在抑制了基底膜的氧化的状态下进行成膜。基于本公开的一个方式的舟搬入方法是用于将保持有基板的舟搬入处理容器内的方法，所述舟搬入方法包括以下工序：向所述处理容器内供给还原性气体；以及在所述处理容器内存在所述还原性气体的状态下将所述舟搬入所处理容器内。
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公开(公告)号：CN103882406B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201310711879.6
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种使用成膜装置的成膜方法。该成膜装置包括第1气体供给部、以及第2气体供给部以及能够载置多个基板的旋转台，其中，该成膜方法包括：第1工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；第2工序，自第1气体供给部供给含有第1元素的第1反应气体并自第2气体供给部供给氧化气体，使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第1元素的第1氧化膜；第3工序，自第1气体供给部和第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转；以及第4工序，自第1气体供给部供给含有第2元素的第2反应气体、自第2气体供给部供给氧化气体并使旋转台旋转，从而在基板上形成含有第2元素的第2氧化膜。
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公开(公告)号：CN103882408A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
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公开(公告)号：CN100402696C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200480000802.7
申请日：2004-02-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/44
摘要： 一种在半导体处理装置(1)中处理被处理基板(10)的方法，在处理容器(2)内一边将第一基板(10)的温度控制在处理温度上一边将处理气体供给所述处理容器内，对所述第一基板进行半导体处理。在所述半导体处理中，在所述处理容器(2)的内面上形成副产物膜。在所述半导体处理后并且从所述处理容器(2)取出所述第一基板(10)后，将改质气体供给所述处理容器内，对所述副产物膜进行改质处理。所述改质处理是以降低所述副产物膜的热反射性的方式进行设定的。在所述改质处理后，在所述处理容器(2)内一边将第二基板(10)的温度控制在所述处理温度上一边将所述处理气体供给所述处理容器内，对所述第二基板进行所述半导体处理。
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