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公开(公告)号：CN108447753A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810250613.9
申请日：2018-03-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种用于降低电子截获的场发射高精度双栅结构及其安装方法，双栅结构包括阴极基底、陶瓷底板、阴极、第一栅网金属片、第二栅网金属片、阳极板、第一陶瓷柱、第二陶瓷柱和第三陶瓷柱；阳极板设在陶瓷底板上方通过两个第一陶瓷柱连接，第一栅网金属片设在阳极板和陶瓷底板之间通过两个第二陶瓷柱与陶瓷底板连接；第二栅网金属片设在阳极板和第一栅网金属片之间通过两个第三陶瓷柱与陶瓷底板连接；第一栅网金属片和第二栅网金属片十字交叉设置，定位孔之间分别设有定位杆；阴极基底设在陶瓷底板底面中心部，阴极贯穿陶瓷底板与阴极基底连接。本发明能解决图形阴极与栅网孔之间对中难的问题，能大幅度提高栅网的对中问题，提高栅网透过率。
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公开(公告)号：CN108172489A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711433269.9
申请日：2017-12-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种适用于丝印工艺的冷阴极X射线管阴栅极组件，包括栅极底座、阴极底座、陶瓷垫片、冷阴极、栅网和刻有凹槽的栅极法兰，阴极底座固定于栅极底座上，且二者之间设有陶瓷垫片绝缘；冷阴极由导电银浆和场发射材料丝印于阴极底座上而形成；栅极法兰固定于栅极底座上，而栅网点焊在栅极法兰的凹槽内。本发明还公开一种阴栅极组件的制作方法，将阴极底座装配在栅极底座上，栅极底座和阴极底座通过陶瓷垫片绝缘；在室温下采用丝印法先后将导电银浆和场发射材料转移到阴极底座上制成冷阴极；将栅网点焊在栅极法兰的凹槽内后，将栅极法兰和栅极底座通过螺丝固定。此种技术方案可直接使用丝印工艺制备阴极发射材料，同时保证装配精度。
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公开(公告)号：CN104730177B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510151602.1
申请日：2015-04-01
Applicant: 东南大学
IPC: G01N30/08
Abstract: 本发明公开了一种用于高真空环境中多种污染物采集的富集器及使用方法，所述富集器包括置于富集器内部的吸附材料；所述富集器包括外壳壳身和盖于其上的外壳盖组成的内空腔结构，所述吸附材料置于内空腔中，所述外壳壳身的壁面四周分布有若干非直通型孔洞，将多个富集器悬挂或者摆放于真空系统适当位置，吸附材料吸附检测系统产生的挥发物。本发明一方面减少真空系统中可能存在的光、磁等效应对吸附材料影响，另一方面可以阻挡吸附材料在真空环境的泄露，避免污染环境。
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公开(公告)号：CN103645591B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310711607.6
申请日：2013-12-23
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
Abstract: 本发明公开了一种减弱硅基液晶边缘场效应的方法，该硅基液晶的主要结构包括硅衬底、像素电极、复合电极、二氧化硅纳米柱、液晶、铟锡氧化物电极、玻璃基板；在硅基液晶工作时，如对中间像素施加电压，对其相邻像素不施加电压。复合电极（7）实现场增强效应，增强中间像素电场；复合电极（5、9）起到静电屏蔽左右，阻止中间像素电场向相邻像素的扩展；二氧化硅纳米柱6、8）隔断相邻像素的液晶分子的带动作用；从而减弱边缘场效应。
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公开(公告)号：CN103258895B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201310181408.9
申请日：2013-05-16
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种带有底栅控电极的平面电子发射光探测器，利用光的场特性和隧穿电子发射来实现光电转换和光信号探测，其包括衬底（1）、平面型电子发射体（2）、底栅控电极（3）、电子收集极（4）、SiO2绝缘隔离层（5）、真空封装套件（6）和入射窗（7）。入射光由入射窗（7）进入，在入射光的电场分量作用下，具有低逸出功的平面型电子发射体（2）内的费米能级电子发生隧穿效应，在其外表面形成电子云，并在施加在底栅控电极（3）和电子收集极（4）上的偏置电压的作用下向收集极运动，隧穿电流大小与入射光电场分量大小有关,而入射光强与电场分量模的平方成正比,因此实现了有效的光探测。
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公开(公告)号：CN103100539B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310038460.9
申请日：2013-01-31
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种对光学原件表面污染物进行清理的装置及方法，该装置包括真空腔体（5）、设于真空腔体（5）内部的闪光灯光源（1）、气体吹扫头（3）、光学元件（4）、设于真空腔体（5）外部的闪光灯电源（2）、真空机组（6）；闪光灯电源（2）通过穿过真空腔体（5）的电极引线（7）与闪光灯光源（1）相连并为其提供工作电压；闪光灯光源（1）放在需要进行污染物清理的光学元件（4）的内部表面附近，使其工作时发出的光线（10）作用到光学元件（4）需要清理的表面。本发明具备快速进行光学元件表面、真空腔体内表面、材料表面吸附物、污染物的清除，系统结构简单易操作。
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公开(公告)号：CN104319215A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410615905.X
申请日：2014-11-05
Applicant: 东南大学
IPC: H01J29/48
CPC classification number: H01J29/481 , H01J3/021
Abstract: 本发明公开了一种圆形平面阴极与圆台、柱形组合栅孔对应的冷阴极电子枪，包括阴极、栅极、第一阳极和第二阳极，所述阴极包括阴极基板和制作在阴极基板上表面的场发射阴极，所述场发射阴极覆盖住所述圆台状突起结构的上表面圆面部位，形成圆形平面阴极。本发明与传统场发射阴极电子枪技术相比，不仅具有发射面电场均匀分布且容易控制、发射均匀性好，能够有效的避免传统场发射阴极因边缘场过于集中带来的打火、阴极损伤；在栅极和第一阳极的组合控制下，还能够使得发射电子束的运动轨迹的汇聚的趋势更加明显。
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公开(公告)号：CN103021371B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210583727.8
申请日：2012-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明公开了一种硅基液晶微型显示器数字模拟转换器驱动方法，采用两路数字模拟转换器给像素点电容充电，驱动电路中的比较器先对N比特像素点数据做预处理，根据数据的最高位是“1”或“0”，去掉最高位把数据分成2N-1个高灰度等级数据和2N-1个低灰度等级数据。再利用比较器控制DAC电压输出。该方法的数字模拟转换器充电时序特征是，将DAC同步信号与像素点数据进行比较，当同步信号小于等于像素点数据时，数字模拟转换器对像素点电容充电，即从同步信号为0时的低电压开始充电，充到所需的电压为止。该方法通过数字模拟转换器实现像素点电容电荷清零，在清零阶段，所有像素点的像素开关全部打开，同时数字模拟转换器输出电压为0V。
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