一种SiC-MOSFET的驱动电路
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111900969A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/081

    摘要: 本发明公开了一种SiC-MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC-MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC-MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC-MOSFET连接,用于通过防止SiC-MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC-MOSFET误动作和SiC-MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC-MOSFET的稳定关断。

    一种SiC-MOSFET的驱动电路
    50.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111900969B

    公开(公告)日:2023-12-19

    申请号:CN201910369797.5

    申请日:2019-05-05

    IPC分类号: H03K17/687 H03K17/081

    摘要: 本发明公开了一种SiC‑MOSFET的驱动电路,包括:隔离电路、电流放大模块、逻辑模块和保护电路;所述隔离电路的输入端与输入信号连接,用于对输入信号进行信号隔离;所述逻辑模块的输出端分别与电流放大模块和保护电路连接,用于对电流放大模块和保护电路的工作状态进行逻辑控制;电流放大模块的输入端与逻辑模块连接输出端连接,放大模块的输出端与SiC‑MOSFET连接,用于对通过逻辑电路输入的信号进行放大并转换为满足SiC‑MOSFET需求的驱动电流;所述保护电路与SiC‑MOSFET连接,用于通过防止SiC‑MOSFET的栅源极之间产生的高电压脉冲导致SiC‑MOSFET误动作和SiC‑MOSFET在关断时的漏极电压突增,以实现SiC‑MOSFET的稳定关断。