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公开(公告)号：CN115302400A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211194544.7
申请日：2022-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/005 , B24B37/28 , B24B7/22 , B08B3/12
摘要： 本发明涉及一种确定双面研磨中晶片上下表面去除量的方法，选择晶片Ⅰ和晶片Ⅱ；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点和边缘三点，做好标记为；将晶片I和晶片II的A面贴合，将贴合好的晶片进行滚圆处理成为一个同心圆；开启双面研磨机对晶片进行研磨，研磨结束后去除晶片表面的磨料；将晶片Ⅰ和晶片Ⅱ分离；对晶片Ⅰ和晶片Ⅱ进行清洗去除粘贴剂；测量晶片Ⅰ和晶片Ⅱ的厚度，测量点为晶片的中心点、边缘三点，做好标记为；测量点与粘贴前的测量点保持一致，晶片Ⅰ的测量点标记为通过差减法计算晶片表面同一点研磨前后的厚度变化量，得到双面研磨过程中晶片上表面、下表面、边缘的去除量，提高了测量准确度。
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公开(公告)号：CN115302344A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211194548.5
申请日：2022-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： B24B7/22 , B24B49/00 , B24B41/06 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/30 , H01L21/463
摘要： 本发明涉及一种小尺寸软脆晶体材料晶片的研磨方法，将载盘放置到加热台上预热；将至少3片支撑晶片间隔的粘贴到载盘的边缘；将载盘放置到加热台上预热，将数片待加工晶片的A面间隔的粘贴到至少3片所述支撑晶片之间的载盘上；采用研磨液在研磨机上对待加工晶片的B面进行研磨，将待加工晶片B面的厚度研磨至与所述支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗；采用上述方法，将待加工晶片的A面研磨至与边缘支撑晶片厚度一致时，将待加工晶片取下，去蜡清洗，完成待加工晶片的研磨。采用本发明对晶片进行研磨时，同一盘内晶片的厚度偏差≤3μm，晶片的目标厚度控制精度可以达到±5μm，有效的保障了晶片厚度批次的一致性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107991230B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201810016138.9
申请日：2018-01-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N19/00
摘要： 本发明公开了一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法。该方法将生长得到的碳化硅晶锭进行平面磨、滚圆加工；对滚圆后的晶锭进行定向，确定基准轴方向为 方向；沿 方向加工非对称V型槽；晶锭加工制备成晶片；加工后的晶片其V型槽形成夹角θ，形成夹角θ的两条斜边分别设为a和b，且两条斜边的长度满足a≠b；以两条斜边a＜b还是两条斜边a＞b即可判断出所对应的晶片表面为碳面或是硅面。本发明降低了对晶片的损伤，提高了晶片的有效使用面积，降低了成本，高效实现了对晶片碳硅面的判断；同时能省去晶片原有的大定位边，可以减少再生长得到的晶体缺陷，提高晶体品质。
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公开(公告)号：CN109799242A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910168455.7
申请日：2019-03-06
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/95 , G01N21/958 , G01N21/84
摘要： 本发明公开了一种观察透明晶片指定区域微观形貌的快速定位方法。该方法分两种：1、对已知微观形貌的透明晶片特定区域进行定位，并对该位置进行其他研究；2、已知定位坐标，观察透明晶片指定区域微观形貌。该方法所设计的坐标物是由横线、竖线交叉构成的方格，在方格里填写位置编码，方格边长尺寸根据所需观察区域或显微镜观察区域设定；坐标物材质采用打印纸或采用能够定型加工、刻录标识的其它材料制作的承载物。该方法具有通用性，新研发的坐标物可在显微镜下使用，显微镜下观察的位置通过坐标物计算出几何坐标来实现精准定位，减少了工作时间和不必要的工作量，避免了在样品表面标记带来损伤和沾污，对于科研的非标产品更具显著的实用性。
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公开(公告)号：CN106738393B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201611124203.7
申请日：2016-12-08
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本发明设计一种用于CdS单晶体的切割方法，属于半导体材料的加工领域。步骤如下，用平面磨床将CdS晶锭的生长面磨平；用X射线衍射仪对磨平的端面进行定向；对CdS晶锭进行滚圆，然后进行主参考面和副参考面制作；用真空吸附台将CdS晶锭吸附住，晶锭的主参考面朝下；调整电火花切割机切割参数，对晶锭进行切割；切割完成后，依次采用煤油浸泡、热酒精对切割后的晶片进行冲洗，然后将卡具放在温度为80℃的热水中，使胶软化，将晶片取下，进行下一步操作。采用非接触式的电火花切割技术对n型CdS晶锭进行切割，可以大大的提高切割效率、减少碎片的产生。
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公开(公告)号：CN214327974U
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202022927309.9
申请日：2020-12-09
申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要： 本实用新型涉及一种用于多块粘接碳化硅晶锭的装置，包括底座、定位孔、固定杆、带内螺纹盲孔的定位块、基准杆、带内螺纹通孔的滑块、晶锭垫块，晶锭压块、气缸杆连接件，气缸、气缸支撑架；晶锭垫块通过定位孔设置在底座上；两根固定杆和一根基准杆设置在底座上以底座中心为圆心的同一圆周上，相互间夹角120º，圆周半径与所需粘接的晶锭半径相匹配；定位块设置在固定杆上，滑块设置在基准杆上，在滑块的内螺纹通孔内设置顶紧螺钉，晶锭压块设置在气缸的气缸杆连接件的端头；本实用新型能将多块晶锭粘接在一个圆柱体内，保证每块晶锭同轴，解决了由于粘接晶锭晶片晶向不一致而导致切割时间长人工成本高等问题。
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