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公开(公告)号：CN103014847A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587242.6
申请日：2012-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI 结合体的临界厚度，x的取值范围为0～1；在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层，形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体；所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等；且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度；利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口；湿法腐蚀，直至所述埋氧层被腐蚀完全，其余 Ge/InxGa1-xAs/Ge结合体与所述底层硅脱离。本发明所制备的张应变锗具有较低的位错密度，较高的单晶质量；通过该种方法所制备的张应变Ge薄膜具有应变大小任意可调的特点；制备的Ge薄膜应变大，迁移率高。
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公开(公告)号：CN102737963A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210254017.0
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si（0≤x
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公开(公告)号：CN102693900A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210174632.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102683178A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210175117.4
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO2层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、SixGeyCzSn1-x-y-z、III-V族等半导体材料，填充所述孔道并形成半导体层，以获得性能优异的半导体层，在所述半导体层表面键合具有第二SiO2层的第二Si衬底，然后去除所述Si衬底并去除所述SiO2，接着填充PMMA，并在所得结构的下表面键合具有第三SiO2层的第三Si衬底，退火使PMMA膨胀以剥离上述结构，该剥离工艺简单，有利于节约成本，最后进行抛光以完成所述绝缘体上半导体的制备。本发明与现有的半导体技术兼容；通过选择性外延可降低半导体层的缺陷，有利于绝缘体上半导体性能的提高；通过PMMA退火膨胀剥离的工艺简单，有利于节约成本。本发明适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102347267A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110324597.1
申请日：2011-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078044B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110320623.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种介电材料的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一介电材料层及支撑层；将由介电材料层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，介电材料与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使介电材料层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作介电材料层，利用石墨烯与介电材料层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意介电材料层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了介电材料层的可应用范围，减少了介电材料层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低介电材料层的制作成本。
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公开(公告)号：CN116143111A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310072241.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯转移方法，包括：石墨烯生长、应力层沉积、临时键合胶成膜、衬底贴附、剥离、与目标衬底范德华键合、解键合、清洗、应力层刻蚀。本发明可以获得无掺杂、金属痕迹残留、无破损、无褶皱、原子级平坦的石墨烯，可用于规模化生产、半导体兼容的石墨烯，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN109055896B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201810804283.3
申请日：2018-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，所述制备方法包括：步骤1)提供一绝缘衬底；步骤2)于所述绝缘衬底的上表面由下至上依次形成锗层和石墨烯层；以及步骤3)对步骤2)所得结构中的所述锗层进行氧化挥发处理，以去除所述锗层，实现于所述绝缘衬底上直接形成石墨烯层。通过本发明提供的一种在绝缘衬底上直接制备石墨烯的方法，解决了现有采用转移法和催化生长法制备绝缘衬底上石墨烯时存在的诸多问题。
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公开(公告)号：CN109280903B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811245546.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。
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