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公开(公告)号：CN119571467A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411615091.X
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一类硫氧化合物晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述一类硫氧化合物晶体材料的化学式为A8Na2M30Q45O5；其中，A选自K、Rb、Cs中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se中的至少一种。该晶体材料的NLO效应是AgGaS2的0.3‑5倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
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公开(公告)号：CN119571466A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411613039.0
申请日：2024-11-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种类金刚石结构晶体材料及其制备方法和作为红外非线性光学材料的应用，属于晶体制备技术领域。所述类金刚石结构晶体材料的结构为三斜相，化学式为AM5Q8；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；M选自Ga、In中的至少一种；Q选自S、Se、Te中的至少一种。该晶体材料的倍频效应是AgGaS2的0.5‑5倍，激光损伤阈值是AgGaS2的1‑50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN118422333A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410578233.3
申请日：2024-05-10
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种含d10过渡金属的超分子化合物晶体及其制备方法与应用，属于红外二阶非线性光学晶体材料领域。所述含d10过渡金属的超分子化合物晶体，化学式为[MⅠ4Pn2][MⅡX4](MⅠ＝Zn,Cd,Hg；Pn＝P,As,Sb；MⅡ＝Zn,Cd,Hg,Mn,Mg,Sn,Pb；X＝Cl,Br,I,Cl/Br,Cl/I,Br/I)。该化合物晶体在磷属化合物中引入卤素，可以大大改善磷属化合物带隙窄的缺点，本申请中的[Cd4P2][ZnCl4]的带隙达到了2.72eV，是目前已报道的镉系磷属化合物中的最大值，同时NLO效应是AgGaS2的0.3‑10倍，激光损伤阈值是AgGaS2的2.5‑4倍，粉末红外透过范围为0.5‑25.0μm，具有优良的红外非线性光学性能，是一种新型的红外非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN117926419A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866408.2
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含锑硫卤晶体材料及其制备方法与作为非线性光学材料和双折射率材料的应用，属于激光技术领域。所述含锑硫卤晶体材料，化学式为SbQX；其中，Q选自S、Se、Te中任一种；X选自Cl、Br、I中任一种。该含锑硫卤晶体材料，NLO效应是同粒径商用AgGaS2的2‑10倍，546nm处其双折射率为0.3‑0.7，是潜在的红外NLO材料。
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公开(公告)号：CN115287764B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202210927240.0
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含铅和镓的单斜无机化合物晶体，所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体的化学式为PbGa4Se7。所述含铅和镓的单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，PC空间群。并进一步公开了该含铅和镓的单斜无机化合物晶体的制备方法和应用。该含铅和镓的单斜无机化合物晶体具有比商用AgGaS2高达2倍的非线性光学(NLO)效应，且激光损伤阈值是AgGaS2的10倍，是非常具有潜力的NLO材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117107359A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310889356.4
申请日：2023-07-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所 , 闽都创新实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶体A5Ga9Q16的制备方法及其作为非线性光学材料应用，其中，A选自K、Rb或Cs；Q选自S或Se。所述无机化合物晶体的结构由四面体GaQ接阴形离4通过共点或共边连成子三框维架[Ga，阳9离Q16子]A5‑+离子填充孔洞；属于单斜晶系，Pc空间群。NLO效应是商用AgGaS2的0.3～3.0倍；激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～30倍。可用于用于激光测距、激光制导或激光雷达。
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公开(公告)号：CN114232100B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202111166980.9
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述的分子式为[K4Cl][MGa9Q16]；M选自Cd、Mn或Fe中的一种；当M为Cd时，Q选自S或Se；当M为Mn或Fe时，Q为S；晶胞参数为α＝68.21(2)～68.76(5)°，β＝74.74(5)～74.92(3)°，γ＝84.93(2)～85.32(4)°，V＝723.64(8)～836.01(5)，Z＝1；所述晶体为非中心对称结构，属于三斜晶系，空间群为P1。
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公开(公告)号：CN114232099B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111166654.8
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用，化学式为[K3Cl][MnGa6S12]。具有非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为P31c。晶胞参数为α＝90.0°，β＝90.0°，γ＝120.0°，V＝638.0～638.1，Z＝1。
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公开(公告)号：CN114574972A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210138652.6
申请日：2022-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含镓正交无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。Q选自硫族元素中的一种。所述含镓无机化合物属于正交晶系，Iba21空间群。进一步公开了制备上述含镓正交无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓无机化合物具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓无机化合物的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN114574971A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111591718.9
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于单斜相Ga2S3单晶的可视CVT晶体生长装置与方法，属于单晶生长技术领域。将含有Ga2S3多晶原料和ICl3的真空密闭容器在控温区内进行恒温加热；晶体生长结束后降温，得到所述单斜相Ga2S3单晶。生长装置中设计的观察视窗，可以实时观察晶体生长情况，并设定稳定的上升程序，使得晶体结晶界面始终处在恒定的温度点上，进而得到了能够符合实用要求的厘米级的高质量大尺寸单斜相Ga2S3单晶，尺寸约为Φ10×20mm。
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