公开(公告)号：CN104576280A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201310504954.1

申请日：2013-10-23

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 杜若昕 ,  梁洁 ,  王洪青 ,  刘志强 ,  苏兴才

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01J37/32568 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/6833

摘要： 本发明第一方面提供了一种等离子体处理腔室及其去夹持装置和方法，其中，包括：一腔体；基台，其设置于腔体下方，基片放置于所述基台表面；设置于所述基台内部的若干冷却气体通道，其中通有冷却气体，所述冷却气体通道在所述基台和基片之间设置有一个喷气孔，所述冷却气体能够通过喷气孔将冷却气体喷向基片背面；若干升举顶针，其可移动地设置于基台内部，能够向上顶起基片，静电夹盘，位于所述基台的上部，其最上层设置有一绝缘层，在所述绝缘层中设置有一电极，其中，所述电极分别连接有一直流电源和一交流电源。本发明能够有效解决基片或者静电夹盘上的残余电荷问题导致的去夹持失败问题，且可以解决基片部分去夹持而产生的误判。

公开(公告)号：CN103854995A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210521264.2

申请日：2012-12-06

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 刘志强 ,  王兆祥 ,  杜若昕 ,  黄智林

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67069

摘要： 本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。

公开(公告)号：CN103187264A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110449965.5

申请日：2011-12-28

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王兆祥 ,  杜若昕 ,  刘俊良 ,  刘志强

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明公开了一种在等离子体刻蚀室内刻蚀氧化硅层的方法，将等离子体刻蚀室的下电极连接一射频电源，所述射频电源的频率为小于27兆赫兹，功率小于1000瓦并控制等离子体刻蚀室内反应气体中氟碳化合物和氧化物含量的比例范围为1∶3-10∶1使得等离子体刻蚀室内等离子体浓度较低，再配合对反应气体流速控制，使得光刻胶保护的氧化硅层的刻蚀速率较慢，便于对刻蚀过程的控制；同时采用低频率的射频电源，还可以保证等离子体分布较均匀，从而使得待刻蚀工件均匀度较好。

公开(公告)号：CN202423238U

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201120544041.9

申请日：2011-12-23

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 李俊良 ,  刘志强

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 一种改善晶片处理均匀性的喷淋头，根据原先晶片各个区域处理速率的不同情况，在同一个喷淋头上使用圆柱孔、锥形孔或台阶孔中至少两种气孔结构的组合，优选是使喷淋头上气孔一端的口径一致，在另一端的口径扩大或减小；在需要气体流量大的喷淋头分区上设置口径较大的气孔，来加快晶片上对应区域的处理反应速率；而在喷淋头上需要气体流量小的分区设置口径较小的气孔，来减缓晶片上对应区域的处理反应速率，从而抵消原先由于排气等原因造成等离子体在晶片表面不均匀分布的影响，最终获得对晶片各区域均匀处理的效果。

公开(公告)号：CN202332783U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120510365.0

申请日：2011-12-08

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 王兆祥 ,  李俊良 ,  刘志强 ,  黄智林

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本实用新型公开了一种低刻蚀率等离子体刻蚀室，将作为上电极的气体喷淋头材料设置为石英，由于石英材料的介电常数较小，因而晶片表面的射频耦合较差，从而降低了刻蚀速率；当刻蚀气体中包含碳氟化合物时，由于石英喷淋头会消耗一部分活性组分，因此刻蚀速率也会降低。通过采用石英材料制作气体喷淋头，可以控制较高的碳氟化物流量和较高的射频功率完成低速率的刻蚀，便于精确控制，从而改善刻蚀工艺的可靠性和稳定性。同时，由于石英材料本身的腐蚀速率快于碳化硅和硅，因而不会在气体喷淋头表面发生变黑现象。