四氯化硅制备三氯氢硅的系统以及多晶硅生产系统

    公开(公告)号:CN206666145U

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201720404195.5

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 四氯化硅制备三氯氢硅的系统以及多晶硅生产系统,属于化工加工领域。四氯化硅制备三氯氢硅的系统,等离子发生器的进入口设置有汇合管道,氢气储罐的排出口和氩气储罐的排出口分别与汇合管道连通,汇合管道设置有第一流量计;四氯化硅储罐的排出口与气化器的进入口与连通,气化器的排出口与反应器的进入口连通,等离子发生器的排出口和反应器的进入口连通;反应器的排出口与冷却储罐的进入口连通。本申请提供的技术方案将多晶硅生产过程中产生的四氯化硅中间产物转化为具备高附加值三氯氢硅,促进了多晶硅产业的进一步发展;多晶硅生产系统中的四氯化硅储罐收集多晶硅生产系统产生的中间产物四氯化硅,将中间产物四氯化硅等离子氢化制备三氯氢硅。

    硅片磨片支撑架及硅片磨片装置

    公开(公告)号:CN206653255U

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201720398214.8

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 一种硅片磨片支撑架及硅片磨片装置,属于多晶硅生产技术领域。支撑架包括支臂及连接于支臂两端且相对设置且两者间具有用于加工硅片的间隙的第一磨片支架及第二磨片支架。第一磨片支架转动连接有上磨片盘和上抛光盘,第二磨片支架转动连接有下磨片盘和下抛光盘。装置包括控制主体、硅片旋转盘、硅片收集盒以及上述支撑架,控制主体包括机架、控制系统及与控制系统电连接的驱动装置。硅片磨片支撑架固定于机架,硅片旋转盘设置于间隙并通过驱动装置进行转动,硅片旋转盘开设有至少一个硅片放置孔,硅片收集盒设置有与硅片放置孔配合的取样口。可进行硅片磨片、抛光等操作,简化工艺、操作简单、加工效果优良、处理效率高。

    一种多晶硅棒破碎装置
    43.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208390125U

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201820533754.7

    申请日:2018-04-16

    Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅棒破碎装置,包括支撑腿,所述支撑腿上端固定连接有第一破碎机体,所述第一破碎机体内部中端设有炉腔,所述炉腔外端连接空腔,所述空腔内上端左右两部均安装有微波发生器,所述微波发生器内端连接有波导管,所述波导管内端设有微波出口,所述空腔内中端左右两部均安装有第一电机。本实用新型通过设置炉腔、盖板、微波发生器、波导管、微波出口、辐射加热板、第一电机、第一转轴、第一钨钴锤、第二电机、第二转轴、第二钨钴锤和喷头,提高了对多晶硅棒的破碎效率,实现了对多晶硅棒充分破碎的目的,且在破碎的过程中不会产生粉尘,避免了粉尘污染环境以及危害人们的身体健康。

    一种48对棒还原炉用喷嘴
    44.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206654735U

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201720299130.9

    申请日:2017-03-24

    Abstract: 本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,以改善现有技术中的多晶硅还原炉用喷嘴喷出的物料气体不均匀,效率较低的技术问题,提供一种48对棒还原炉用喷嘴。本实用新型的实施例中提供的48对棒还原炉用喷嘴,包括喷嘴芯体以及底分布罩。喷嘴芯体设置有两端开放的主进气腔以及至少一个辅助进气腔,在喷嘴芯体的外侧壁上设置有侧孔,侧孔连通辅助进气腔与底分布罩的容纳腔。在工作过程中,物料气一部分经过主进气腔喷出,进入喷嘴芯体的辅助进气腔的物料气,一部分经辅助进气腔直接喷出,一部分经底分布罩喷气孔喷出。采用本实用新型提供的48对棒还原炉用喷嘴,可以实现同时为硅棒上部、中部及底部供料,使得多晶硅硅棒的生长更加均匀、致密。

    一种多晶硅破碎系统
    45.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209205503U

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201821544021.X

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 在本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,公开了一种多晶硅破碎系统。本实用新型的多晶硅破碎系统包括了破碎装置,破碎装置包括用于对多晶硅进行加热的加热腔和用于对加热后的多晶硅进行冷却的冷却腔。冷却腔内具有冷却水可以对多晶硅进行冷却。利用本实用新型的实施例的多晶硅破碎系统,可以对多晶硅进行加热并冷却,使多晶硅因冷却导致的晶间应力而破碎。使用本申请中的多晶硅破碎系统减少了传统破碎方法的反复敲击过程中,破碎设备(比如合金锤、反应器)对多晶硅的接触,因此减少了多晶硅受污染的几率,生产的多晶硅品质得到改善。同时该方法减少了破碎多晶硅使用的人力,节约了成本。

    一种高纯材料破碎辊
    46.
    实用新型

    公开(公告)号:CN208390111U

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201820500384.7

    申请日:2018-04-09

    Abstract: 本实用新型公开了一种高纯材料破碎辊,为柱状辊轴结构,其内层为金属层,在金属层的外面覆盖有一层硬质合金材料层;所述硬质合金材料层由若干弧形块拼接而成,每一弧形块的表面均为光滑面,而两侧均为光滑圆角,从而减少辊对硅料的污染。本实用新型的表面为光滑的弧面结构碳化钨层,可最大限度地降低对硅料的污染;辊表面由碳化钨块拼接而成,碳化钨块可定期更换,保持破碎效果的同时可降低成本;碳化钨块的两端设置为圆角,从而减小应力集中,加强强度,同时减少阻力,避免弧面衔接处受力而崩裂。

    一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构

    公开(公告)号:CN206108910U

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201620715795.9

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构,卡瓣放置在与电极套连接的石墨底座中心位置,电极安装在还原炉的底盘上;硅芯穿过由卡瓣围成的空腔并通过石墨螺帽旋紧固定在石墨底座上;卡瓣为由碳化硅‑石墨复合材料制成的卡瓣;卡瓣由四瓣碳化硅子卡瓣构成。本实用新型的卡瓣通过添加有适量石墨的碳化硅制成,避免高压击穿困难和同一电流下与硅芯接触位置碳化硅卡瓣严重发热而使硅芯熔断,在出炉过程中由于卡瓣与硅棒的弹性模量或热膨胀系数相差很大而很好地分离,使碳化硅卡瓣与硅料的分离效果更好,并充分利用碳化硅的优异性能,使碳化硅卡瓣具有很长的使用寿命,使卡瓣能重复使用,从而降低成本。

Patent Agency Ranking