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公开(公告)号：CN103594356B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC分类号： H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V场终止型IGBT器件制造。
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公开(公告)号：CN103531620B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN103545830B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310365146.1
申请日：2013-08-20
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司
IPC分类号： H02J3/28
摘要： 本发明涉及一种智能社区能源系统实时优化控制方法，该方法包括：控制模块实时获得发电模块的出力信息和当前电力负荷信息，并判断发电模块的出力总数是否大于负荷，若是，则发电模块向储能模块充电，并将冗余电能输出至主网，若否，则控制模块检测蓄电池的当前荷电状态，若蓄电池满足放电条件，则控制蓄电池增加放电出力，判断当前系统能量是否平衡，若是，判断当前系统是否处于峰荷期，若是，则控制蓄电池的放电出力持续增加，若否，判断燃料电池成本是否大于购电成本，若是，控制模块向主网发送购电请求，主网向系统输入电能，若否，控制模块控制燃料电池出力增加。与现有技术相比，本发明提高各能源的利用效率，同时提高系统的稳定性和经济性。
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公开(公告)号：CN103577878A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310389518.4
申请日：2013-08-30
申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司
IPC分类号： G06N3/12
摘要： 本发明涉及一种基于克隆选择算法的负荷模型参数辨识方法，将待辨识的参数作为抗原，将参数的目标函数作为抗体，以抗体和抗原的亲和度最高为目标，获取一组最优的负荷模型参数。与现有技术相比，本发明的优化性能和鲁棒性强，并且具备良好的并行性、可操作性，同时通过在整个解空间中搜索，以找到更多的最优个体，避免了在进化后期适应度高的个体大量繁殖，充斥整个解空间，导致优化停止在局部最优解上。
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公开(公告)号：CN103531620A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0615 , H01L29/66325
摘要： 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN103400831A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310308903.1
申请日：2013-07-22
摘要： 本发明涉及电力半导体器件技术领域的功率器件及其装配方法，具体涉及一种全压接IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块及其装配方法。该IGBT模块包括至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件和PCB板，所述至少一个IGBT组件、至少一个二极管芯片组件均被压接在PCB板上对应的孔位内，所述PCB板通过PCB板定位块定位，设置于上、下端盖之间；IGBT封装结构为至少一层IGBT组件和二极管组件组合的叠层结构。本发明不用加工凸出电极群，降低加工量，提升加工效率，降低新产品设计成本，同时可降低模块尺寸及重量；整体结构更加简单紧凑、制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好。
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公开(公告)号：CN107834592A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711052718.5
申请日：2017-11-01
摘要： 一种源储荷统一管理的能源路由器的拓扑结构和控制方法，能源路由器的拓扑结构包括能量管理与控制中心、AC/DC变换器、第一DC/DC变换器、第二DC/DC变换器、DC/AC变换器、第三DC/DC变换器、直流母线和五个端口；该装置接交流负荷、直流负荷，直接连接光伏组件或风电等分布式电源的直流输出电压，取消了分布式电源的并网逆变器，能量管理与控制中心负责各个端口的能量管理，对各端口进行功率控制，实现源储荷能源的统一路由管理。能量管理与控制中心接收上级配电网的调度指令，控制能源路由器输给配电网的功率满足调度的要求。
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公开(公告)号：CN103579367B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310553976.7
申请日：2013-11-08
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN103579165B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC分类号： H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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公开(公告)号：CN103531616B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310525176.4
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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