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公开(公告)号：CN102854992A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210337423.3
申请日：2012-09-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于压电效应的自发电无线键盘，属于新型能源器件技术领域。其包括底板、置于底板上的面板、安装在面板上的按键，为无线键盘供电的充电电池；其特征在于：在底板和按键之间布置压力发电装置；压力发电装置的输出端连接有一个电力变换装置，电力变换装置的输出端连接至充电电池。本发明不仅能实现了对外来能量的回收，实现能量的充分利用，更可以免去无线键盘更换电池的麻烦，无线键盘对外部电源的依赖性显著减小，这将会为本领域增添一种新型压电能量收集器件的同时给人们的生活带了极大的方便。
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公开(公告)号：CN102557636A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210042176.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法，属于压电陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧得到产物溶于去离子水，用硝酸滴定至pH＝2～3，收集沉淀溶解于草酸得到溶液A；用氨水滴定至pH＝10～11，离心分离获得白色沉淀B；将B溶解于柠檬酸中得溶液C；将Na2CO3和Bi(NO3)3溶于乙酸中，同时加入乙醇胺络合Bi3+离子，加热搅拌形成溶液D；将溶液C与D混合并加入乙醇胺调节pH＝7～9得溶胶E；将E于干燥得到干凝胶F；将干凝胶F于300～350℃下处理得中间产物G；将中间产物G650～850℃下晶化。本发明生产工艺简单、低成本、低能耗、制备的NBN纳米粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN102503400A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110345065.6
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。
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公开(公告)号：CN101818017A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010140748.3
申请日：2010-04-02
Applicant: 北京工业大学
IPC: C09D167/08 , C09D7/12
Abstract: 本发明公开了一种自清洁涂料及其制备方法，涂料包括：醇酸清漆、纳米氧化铝粒子、低表面能疏水助剂、高效油性分散剂AHH和稀释剂，其中醇酸清漆为市售普通清漆，纳米氧化铝粒子粒径13nm-200nm，醇酸清漆与纳米氧化铝粒子的质量比1∶0.05-0.01，疏水助剂与醇酸清漆的质量比10-60∶100，高效油性分散剂含量占到以上总混合物质量的0.1％-0.6％，制备时将上述原料混合搅拌，搅拌速度在2000r/min以上，搅拌时间达到5个小时以上即可，本发明的涂料使用方便，制备的薄膜具有较好的透过率，薄膜呈现茶色，具有美观作用。
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公开(公告)号：CN101369653A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810224494.6
申请日：2008-10-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备锂离子电池正极材料磷酸锂铁粉体的方法，属于电极材料的制备技术领域。现有的磷酸锂铁粉体的制备方法很难防止由Fe2+到Fe3+的转变，使得原料容易在制备过程中氧化变质。本发明方法是将磷酸、七水合硫酸亚铁以及氢氧化锂按摩尔比为1∶1∶3混合后，经过水热、离心、洗涤、烘干后得到锂离子电池正极材料磷酸锂铁粉体。本发明利用水热合成法，应用纯净铁粉的还原作用，在制备磷酸锂铁过程中得到很好的应用效果。在各种防氧化保护措施中，此方法价格低廉，易于操作，环保无污染，是一种制备磷酸锂铁最为理想且经济实用的新路径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100448780C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦-1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°-34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN101007650A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710062870.1
申请日：2007-01-19
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种利用光照使硫化镉薄膜表面亲水的方法属于材料的表面物理化学领域。硫化镉薄膜是一种被广泛应用的光催化材料。由于CdS薄膜在生长过程中，CdS容易形成各种缺陷结构和表面的粗糙不平导致CdS通常处于一种疏水状态。本发明的技术方案是：制备100纳米到500纳米CdS薄膜，保持薄膜表面的干燥，将所制备的CdS薄膜用发出紫外光的灯进行照射，该灯的功率在200瓦－1000瓦之间，并对样品照射3到6小时。本发明处理后的CdS薄膜接触角测试表明实验结果在2°－34°之间，进一步提高硫化镉薄膜以及其与二氧化钛复合之后的光催化效率。
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公开(公告)号：CN1827837A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610002052.8
申请日：2006-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域，涉及一种具有光催化性能的ZnO纳米复合结构薄膜材料的制备方法。现有简单的纳米结构薄膜材料光催化效率低、对尺度要求较苛刻。本发明其特征在于，包括以下步骤：用热气相沉积方法的常规工艺在基底上沉积一层ZnO薄膜，所通氧气流量500～3000sccm，并控制ZnO结晶在100纳米～2微米的尺度范围；向沉积室中充入含氮气体，控制含氮气体流量在50～500sccm范围，基底温度在750℃～1000℃的范围，生长时间控制在2～30分钟。本发明制备的具有p－n结的ZnO纳米复合结构光催化薄膜进行了测试，紫外光照射60分钟的光催化效率在78％以上。该纳米结构薄膜适用于对废水和废气中的有害物质的光催化处理。
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公开(公告)号：CN1760407A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510114853.9
申请日：2005-11-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15％～80％的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。
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公开(公告)号：CN1182571C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03120805.3
申请日：2003-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/288 , H01L21/445 , C25D7/12 , C25D3/38 , C25D5/00
Abstract: 一种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的高压电化学方法，其特征是：在常温常压下，以不含Cu离子的水溶液为初始电解质，以Cu片作阳极，以半导体Si基片作阴极，在200～2000V的高压下进行电沉积10min～2h，在半导体Si基片上获得光滑致密的纳米颗粒Cu膜。这种在半导体Si基片上沉积纳米颗粒Cu膜的电化学方法，简单可靠，反应条件易控，基片选择范围宽，成膜均匀性好，有很好的应用前景。
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