公开(公告)号：CN113541797B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202110835959.7

申请日：2021-07-23

申请人： 北京邮电大学

发明人： 田凤 ,  忻向军 ,  毋桐 ,  张琦 ,  刘博 ,  王瑞春 ,  王光全 ,  田清华 ,  饶岚 ,  王楚宣

IPC分类号： H04B10/25 ,  H04B10/516 ,  H04L27/34

摘要： 本发明公开一种六模光纤的自适应概率成形方法及系统，涉及光纤通信技术领域，包括：获取六模光纤的六个模式的模场；根据六个模式的模场得到六模光纤的模式串扰；确定六模光纤的非简并模之间存在的模式时延；根据模式串扰和模式时延建立六模光纤信道模型；将原始信号输入六模光纤信道模型，得到输出信号；原始信号和输出信号均为六路16QAM信号；对比原始信号和输出信号，得到六模光纤的误码分布；根据六模光纤的误码分布确定原始信号中容易出现误码的信号和不容易出现误码的信号；对原始信号进行反馈调节，降低容易出现误码的信号的概率，提高不容易出现误码的信号的概率。本发明能够降低误码率。

公开(公告)号：CN113381293A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110453120.7

申请日：2021-04-26

申请人： 北京邮电大学

发明人： 何晓颖 ,  忻向军 ,  饶岚 ,  张琦 ,  杨雷静 ,  胡宗海

IPC分类号： H01S5/06 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/00

摘要： 本公开实施例提供了一种贝塞尔光束发射器及贝塞尔光束发射器的制作方法，该贝塞尔光束发射器包括：有源层，有源层包括用于产生光束的发光子层；上分布反射镜层，上分布反射镜层位于有源层的一侧，上分布反射镜层包括偶数数量个第一折射率子层；下分布反射镜层，下分布反射镜层位于有源层的另一侧，下分布反射镜层包括偶数数量个第二折射率子层，第一折射率子层的数量小于第二折射率子层的数量；欧姆接触层，欧姆接触层位于上分布反射镜层的远离有源层的一侧，欧姆接触层用于连接电极；光束转换层，光束转换层位于欧姆接触层远离上分布反射镜层的一侧，有源层产生的光束能够进入光束转换层，光束转换层能够对光束进行转换得到贝塞尔光束。

公开(公告)号：CN107682020B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201711013272.5

申请日：2017-10-26

申请人： 北京邮电大学

发明人： 刘博 ,  忻向军 ,  张丽佳 ,  张琦 ,  王拥军 ,  田清华 ,  饶岚 ,  田凤 ,  徐诗雯

IPC分类号： H03M13/29 ,  H03M13/19

摘要： 本发明实施例提供了一种基于Turbo码的编码、解码方法及装置，基于Turbo码的编码方法包括：获取待编码数据；判断待编码数据的汉明重量是否满足预设的汉明重量调整条件；如果满足，对待编码数据进行取反操作；将取反后的待编码数据的标记位设置为第一数值，其中，该标记位为：用于表示数据是否已进行取反操作的比特位，该第一数值为：用于表示已对数据进行取反操作的值；基于Turbo码，对取反后的待编码数据和取反后的待编码数据的标记位进行编码。通过本发明实施例提供的技术方案，通过简单的取反操作就可以增加待编码数据的汉明重量，进而能够增加编码结果的汉明重量；而不用像现有技术那样，必须通过增加基于Turbo码的编码器的交织长度来增加编码解码结果。

公开(公告)号：CN109217972B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201811309910.2

申请日：2018-11-05

申请人： 北京邮电大学

发明人： 饶岚

IPC分类号： H04J14/04 ,  H04J14/02 ,  H04B10/2581 ,  H04B10/25 ,  G02B6/293

摘要： 本发明公开了一种基于硅基模式转换的片上少模激光产生系统及方法。本发明属于集成光学领域。该系统由硅基波导(1)和光纤系统(2)构成环形谐振腔，其中：硅基波导(1)包括硅波导耦合器(14、15)、少模硅基模式复用器(16)/解复用器(13)、少模硅基波导(12)、少模硅基功率耦合器(14)；光纤系统(2)包括泵浦源(24)、光隔离器(23)、掺铒光纤(26)、单模光纤(22)、光波分复用器(25)、光通道选择器(27)、光耦合器(21)。该系统以半导体激光器为泵浦源、掺铒光纤为增益介质，光纤系统和硅基波导构建环形谐振腔，通过控制硅基模式转换产生少模激光，为构建高密度片上系统提供有效的技术方案。

公开(公告)号：CN102065045A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010508186.3

申请日：2010-10-14

申请人： 北京邮电大学

发明人： 张丽佳 ,  忻向军 ,  张琦 ,  王拥军 ,  马建新 ,  赵同刚 ,  饶岚 ,  尹霄丽 ,  桑新柱 ,  余重秀 ,  王葵如 ,  张晓磊 ,  刘博 ,  张星 ,  原全新 ,  刘皎

IPC分类号： H04L27/22 ,  H04B10/155 ,  H04B10/158

摘要： 本发明涉及一种基于差分八相移键控/反转归零正交调制的光标记交换的方法和系统。通过将光分组数据中的净负荷进行串并转换形成三路信号，并将所述三路信号进行差分预编码后，分别加载至三个相位调制器进行相位调制，生成差分八相移键控信号；将光分组数据中的头信息通过反转归零调制方式加载至所述差分八相移键控信号的振幅上，生成差分八相移键控/反转归零正交调制信号；发送所述差分八相移键控/反转归零正交调制信号。在没有增加任何额外资源消耗的情况下，增大了光分组数据信号的传输速率，提高了网络带宽资源利用率与正交信号的调制消光比，从而提高了网络传输容量与性能。

公开(公告)号：CN102035789A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010593687.6

申请日：2010-12-09

申请人： 北京邮电大学

发明人： 忻向军 ,  刘博 ,  张琦 ,  王拥军 ,  尹霄丽 ,  赵同刚 ,  马建新 ,  饶岚 ,  张晓磊 ,  张丽佳 ,  关昕 ,  郝宇霆 ,  陈雨露 ,  原全新 ,  刘皎

IPC分类号： H04L27/26 ,  H04Q11/00

摘要： 本发明提供了一种光正交频分复用(OFDM)动态分配无源接入网系统及其方法，该系统中信号发送单元包含的光多载波产生单元产生的多载波输入到动态OFDM产生单元，进而传送到链路单元中，信号在链路单元中进行偏振复用，光纤信道传输和偏振解复用；信号匹配接收单元利用信号探测模块获得携带信息的射频信号，再经信号解调处理单元解调出用户所需的信息。采用本发明的方法和系统，能够实现光OFDM接入的子载波动态分配，其中系统所采用的SWDA算法能够动态的调整OFDM符号中各个子载波的分布，实现低复杂度框架协议下的优化接入网络。

公开(公告)号：CN117805161A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311846853.2

申请日：2023-12-29

申请人： 北京邮电大学 ,  广东工业大学

发明人： 张琦 ,  李元锋 ,  秦王文 ,  饶岚 ,  吴福根 ,  田凤 ,  岳墨海 ,  滕云 ,  田清华 ,  王拥军 ,  杨雷静

IPC分类号： G01N23/223 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

摘要： 本发明公开了一种X射线荧光光谱的元素识别方法、系统及设备，涉及X射线荧光光谱分析领域，方法包括：获取X射线荧光光谱；对所述荧光光谱进行预处理；搭建神经网络模型；所述神经网络模型包括：注意力网络和BP‑神经网络；利用遗传算法优化所述注意力网络和BP‑神经网络；基于所述预处理后的荧光光谱对经遗传算法优化后的注意力网络和BP‑神经网络进行训练；将预处理后的荧光光谱输入至训练后的注意力网络得到数据集不同通道对于元素识别的加权重要性参数；将所述加权重要性参数输入至训练好的BP‑神经网络中，得到元素识别出的种类。本发明中的上述方法能够提高预测的准确率并有效抑制背景噪声对光谱元素识别的影响。

公开(公告)号：CN115763592A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211111996.4

申请日：2022-09-13

申请人： 北京邮电大学

发明人： 何晓颖 ,  曹博文 ,  饶岚 ,  张琦 ,  忻向军

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开基于二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结与离子介质层结合的光电突触器件及制备方法。该光电类突触器件包括：衬底，源极，漏极，栅极，沟道层，栅介质层。所述源极与所述漏极均设置在所述衬底上；所述沟道层由二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结构成，设置在所述源极与所述漏极上；所述栅介质层内存在可移动离子，覆盖在所述沟道层上，确保所述栅极与所述沟道层之间的连接；所述栅极与所述栅介质接触，且远离所述源极、所述漏极和所述沟道层。本发明利用二维过渡金属硫化物/石墨烯异质结对于光的高响应幅度、宽响应带宽以及超快响应速度，结合栅介质层离子迁移产生的双电层效应，实现器件在电信号或光信号的刺激下均可产生突触电流，进一步的，实现光、电协同刺激的多种突触行为。

公开(公告)号：CN115472712A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202110775019.3

申请日：2021-07-08

申请人： 北京邮电大学

发明人： 杨雷静 ,  李昊 ,  忻向军 ,  张琦 ,  饶岚 ,  孙莉萍 ,  王宁 ,  王拥军 ,  田清华 ,  田凤

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/08 ,  H01L31/113

摘要： 本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。

公开(公告)号：CN113296293A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110562864.2

申请日：2021-05-21

申请人： 北京邮电大学

发明人： 饶岚 ,  忻向军 ,  何晓颖 ,  张琦 ,  杨雷静 ,  田清华 ,  刘人豪 ,  田凤 ,  刘博

IPC分类号： G02F1/01

摘要： 本发明公开发明了一种基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器结构。本发明属于集成光子与硅基光子学领域。该调制器由上往下依次包括超薄盖层、双层石墨烯层、竖槽型光波导、衬底层。其中，竖槽型光波导由硅基波导和狭缝构成。本发明中采用非对称的波导结构设计，将竖槽型光波导厚度减薄的同时引入超薄盖层置于双层石墨烯的上层，可以更好地将光场限制在狭缝上的双层石墨烯层中，有效地提高光场与石墨烯的相互作用，从而提高器件调制效率。超薄盖层为一层硅波导，在制作上只需在双层石墨烯上生长一层硅，而不需要后续的波导结构工艺，因而大大的简化了器件的制作工艺。本发明提出的基于超薄盖层的竖槽型石墨烯光调制器具有调制速率高、结构紧凑、与CMOS兼容工艺简单等优点，可广泛应用于批量化、高速高密度硅基光电子集成系统中。