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公开(公告)号：CN105489645B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201510960378.0
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L29/739 , H01L23/48 , H01L23/485
摘要： 本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述驱动信号输出层连接所述驱动信号输出端子。本发明提供的驱动线适用于高温工作环境，在驱动回路中引入的杂散电感更低，可改善驱动回路的电流震荡并提升大功率压接式IGBT的开通和关断能力。
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公开(公告)号：CN107315877B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710508574.3
申请日：2017-06-28
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G06F30/20
摘要： 本发明公开一种预测功率器件结温的方法及系统，方法包括：获取被测器件的积分结构函数曲线；根据被测器件的封装形式、封装材料、积分结构函数曲线的起点确定第一芯片层；根据积分结构函数曲线中对应第一芯片层的曲线段的斜率对第一芯片层进行分层，得到各热等效层及对应的热阻值；根据各热等效层及对应的热阻值建立被测器件的芯片层的热等效分层模型，以预测被测器件的结温。本发明对芯片层建立热等效分层模型时，采用的是热等效分层结构，而不是物理性的分层，因此，热等效分层模型可准确表征功率半导体器件中芯片层的热分布特性，该模型能精确预测功率器件的结温，而且建立该热等效分层模型的方法适用于一切功率半导体芯片，便于实施和推广。
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公开(公告)号：CN111224535A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010164044.3
申请日：2020-03-11
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明涉及一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排，包括：高压电容器组、低压电容器组、叠层母排、压接型模块以及压接型模块连接板；高压电容器组包括多个高压电容器，呈环形排布；低压电容器组包括多个低压电容器，呈环形排布；高压电容器组与低压电容器组通过叠层母排串联连接，关于叠层母排镜像对称；压接型模块包括第一压接型模块和第二压接型模块，均与叠层母排连接。本发明中上述电容串联母排避免了路径重叠，从而可以减小功率回路的长度，达到了减小直流母排寄生电感的目的，实现了电容内部杂散电感的抵消，实现了叠层母排与电容器整体的寄生电感优化。
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公开(公告)号：CN105514095B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201510959099.2
申请日：2015-12-18
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/367
摘要： 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。
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公开(公告)号：CN109752638B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910084809.X
申请日：2019-01-29
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流，同时测量IGBT的电流和电压，即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线，达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。
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公开(公告)号：CN109581159B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201811451469.1
申请日：2018-11-30
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明公开了一种绝缘液体液态、气态及气液混合态介电特性测试腔，包括腔桶、设置于所述腔桶顶部的腔盖和设置于所述腔桶底部的支撑架，所述腔桶内部设置有高压电极、测试电极、第一绝缘块、第二绝缘块、第三绝缘块和第四绝缘块；测试电极套设于高压电极外部，二者之间形成环形测试腔，测试腔内用于盛放待测介质，高压电极内部设置用于加热介质的加热源，腔桶内部其余部分由各个绝缘块填充，且腔桶侧壁设置有与测试腔连通的气态测试孔和液态测试孔，腔桶顶部和底部还分别连接调液管和调气管；实现了介电特性测试腔体积的小型化与功能的全面性，能够减小单次试验的最大需液量，并可实现真空，调液，测压，调压，控温，测温，观察的功能。
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公开(公告)号：CN108828272B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810369674.7
申请日：2018-04-24
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括：内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座；内部固定接线装置为一中空圆柱体，设置于外部旋转夹具内部，并且与外部旋转夹具同轴；外部旋转夹具设置于底座上；蜗杆传动装置包括齿轮和蜗杆，蜗杆固定于底座上，齿轮固定于外部旋转夹具的外侧表面底部；内部接线装置包括上部分接线装置和下部分带六边形凸台盖板；外部旋转夹具包括主体结构、器件测试插座以及弹簧探针。该发明能实现在不打开高低温试验箱的情况下通过外部控制对多个封装器件进行测试，降低了实验难度，提升了实验效率。
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公开(公告)号：CN107768328B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201711040631.6
申请日：2017-10-31
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/492 , H01L23/00 , H01L25/07
摘要： 本发明公开了一种实现双面散热和压力均衡的功率器件，该功率器件通过设置具有多个凹池结构的导电触片，将功率器件分为两部分，实现双面散热；通过设置弹簧件与凹池结构的凹陷处机械连接，凹池结构的凸陷处从上至下依次与上钼片、芯片、下钼片、银垫片、凸台以及导电基板连接，实现了将各个弹簧件、芯片相互独立，且当其中一个芯片由于结构或热膨胀等差异所受热应力变大时，其对应弹簧件可通过产生向上的位移减少芯片的受力，其他芯片和弹簧不受影响，改善了芯片受力的平衡度。因此，本发明提供的功率器件，能够解决传统功率器件封装结构由于散热性能不好、内部芯片承受压力不均匀而导致功率器件封装结构可靠性低的问题。
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公开(公告)号：CN107403772B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710845853.9
申请日：2017-09-19
申请人： 华北电力大学
IPC分类号： H01L23/32
摘要： 本发明公开一种简易施压的通用式压接型IGBT夹具。夹具包括：顶板、碟簧、碟簧固定柱、上均压板、下均压板、液压装置定位板、液压装置、底板；顶板与上均压板之间设置有碟簧；碟簧固定柱穿过顶板与碟簧的中心，以固定碟簧；上均压板与下均压板之间放置压接型IGBT器件；下均压板的上表面具有第一定位结构，用于固定压接型IGBT器件；下均压板的下表面与液压装置的上端接触，下均压板的下表面具有第二定位结构，用于固定液压装置中与下均压板的下表面接触的部分；液压装置定位板位于下均压板与底板之间，与液压装置接触，用于固定液压装置；底板位于夹具的底部，底板上设置有液压装置。采用本发明的夹具，有利于人工控制施压，成本更低，操作更便捷。
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公开(公告)号：CN107436402B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710646098.1
申请日：2017-08-01
申请人： 华北电力大学
摘要： 本发明公开一种恒温装置温度的调节方法及系统，调节方法包括：将恒温装置的温度调整为极限结温；当恒温装置的温度稳定在极限结温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加幅值为0.8倍待测器件的耐压值的单脉冲方波电压，使待测器件产生期望漏电流且待测器件的结温不会升高；将恒温装置的温度调整为预设壳温；当恒温装置的温度稳定在预设壳温时，在待测器件的阳极和阴极之间施加电压值为0.8倍待测器件的耐压值的反向偏置电压；根据待测器件的实际漏电流与期望漏电流的差值调整恒温装置的温度，使待测器件的实际漏电流达到期望漏电流。采用本发明提供的调节方法及系统，能够使进行高温反偏实验的待测器件的结温快速准确地达到极限结温。
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