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公开(公告)号：CN100395379C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500-700℃温度范围生长厚度在20-100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900-1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN101122519A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710026124.7
申请日：2007-08-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/105
Abstract: 太阳光紫外线指数监测的微型探测装置，是利用GaN基和AlGaN基微型紫外探测器、芯片尺寸小于2－3mm2，在290nm－400nm波长的包含紫外线A和紫外线B谱线范围的带宽内的响应特性；并由驱动电路对探测器人信号进行放大输出，驱动电路是由放大电路和AD转换和信号处理及显示电路构成，探测器先接放大电路再连接AD转换、信号处理及显示电路。本发明利用微型化GaN基或AlGaN基结构微型紫外探测器对紫外射线具有带隙连续可调，适当的带宽、快的响应速度等特性，通过微型放大集成电路和微型显示输出装置直接、适时显示太阳光紫外线强度。
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公开(公告)号：CN1329955C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410041436.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11-20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。
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公开(公告)号：CN1288680C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200310112720.9
申请日：2003-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 改善氢化物汽相外延制备GaMnN铁磁性薄膜晶体质量的方法，在氢化物气相外延(HVPE)生长GaMnN铁磁性薄膜材料电炉中，包括N2管道和NH3管道、设有金属镓源-HCl-N2管道和金属锰源-HCl管道，对金属锰源-HCl管道，同时添加Ar气，将金属锰源输运至电炉的GaN薄膜材料的生长区；金属Ga的HCl载气，金属Mn的HCl载气量范围3-6sccm，Ar气流量为100-300sccm；金属Ga和Mn所在位置为820-860℃，反应区域温度，即蓝宝石α-Al2O3衬底所在位置的温度；生长时间为8-20min的条件下可以获得完全的GaN和GaMnN合金薄膜。
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公开(公告)号：CN1681088A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510037733.3
申请日：2005-02-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1599033A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041677.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/34
Abstract: 利用In金属纳米点催化合成生长InN纳米点的方法，利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上催化合成生长InN纳米点材料，蓝宝石(0001)衬底放入生长室，预先用MOCVD生长技术在衬底表面形成金属纳米点，生长室温度在330－400℃，只通入金属有机源三甲基铟5－15分钟，在衬底表面淀积一层In金属纳米点；然后利用金属纳米点作为催化剂和成核中心，在In金属纳米点的形成时，同时通入金属有机源三甲基铟和三甲基铟，合成生长InN纳米点材料。
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公开(公告)号：CN1185690C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α-Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α-Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α-Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1381870A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02113080.9
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。
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公开(公告)号：CN116288245A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310328440.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/02
Abstract: 一种实现高效磷掺杂金刚石薄膜制备的装置，包括反应室和气体输入系统，反应室内设有用于掺杂生长的样品托和金刚石衬底，所述样品托呈倾斜状，且所述样品托上设有容纳所述金刚石衬底的凹槽，所述气体输入系统包括第一管路和第二管路，所述第一管路位于所述反应室的顶部，所述第二管路位于所述样品托一侧。所述第二管路可位于所述样品托底部中心，呈圆孔结构；本发明提供的反应室和气体输入系统，能够有效改善磷掺杂金刚石效率低与MPCVD腔室中杂质沾污问题，掺杂效率高，重复性好，质量高，生长速度快，同时样品托倾斜状的设计提升了磷掺杂金刚石薄膜的均匀性，对金刚石的n型掺杂具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114744028A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210368423.3
申请日：2022-04-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/34 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开一种低成本、可控倾角斜台面氧化镍/氧化镓异质结功率二极管的制备方法，通过硬掩模的镂空处磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构；通过调节磁控溅射氧化镍靶材与所述氧化镓晶片的入射角度可以获得有倾斜角度的氧化镍台面，台面倾斜角度与入射角度正相关。相比于光刻制备氧化镍图案的方法，采用硬掩模制备氧化镍图案工艺简单，成本低，而且可以自由控制氧化镍斜台面倾斜角度的大小，同时斜台面的设计增加了器件的击穿电压，对高耐压、大电流氧化镓功率器件的大规模应用具有重要意义。
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