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公开(公告)号：CN110396675B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910620314.4
申请日：2019-07-10
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/511
摘要： 本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
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公开(公告)号：CN110176366B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910305899.0
申请日：2019-04-16
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明公开了一种电容器薄膜材料的双面等离子体处理系统，包括壳体和等离子体处理装置，该等离子体处理装置有两个等离子体处理单元，且两个等离子体处理单元的等离子发生层方向相反。电机带动电容器薄膜材料依次通过两个等离子体处理单元的等离子体发生层进行处理。本发明在实现处理电容器薄膜双面的同时，并不影响材料本体的电学及机械性能，而且具有设备简单、操作容易、节能环保、处理时间短、面积大且效率高等优点，适合于工业大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN107275113B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710425960.6
申请日：2017-06-08
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明涉及一种双介质射流等离子体制备柔性超级电容器复合电极的方法，包括：将待沉积的碳纳米材料放置于气溶胶发生器内；选定工作气体和高压电源，并调整放电参数和工作气体流速；选定基底材料，放置于等离子体射流管的管口喷嘴下方或一侧；打开高压电源，在等离子体射流管下方或一侧产生等离子体羽，同时设置移动平台的移动路线和移动速度，在基底材料上沉积碳纳米材料；将前驱物放置于气溶胶发生器内，重复步骤2，采用步骤4中移动平台的移动路线，在碳纳米材料上进一步沉积金属氧化物或导电聚合物得到超级电容器复合电极。本发明具有适合范围广、沉积效果好、操作简便以及节能环保等优势，具有具大的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN110396675A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910620314.4
申请日：2019-07-10
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/511
摘要： 本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
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公开(公告)号：CN109541019A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811575006.6
申请日：2018-12-21
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明提供的一种低温、高气压环境下绝缘介质击穿强度实验装置，包括：腔体，具有容纳介质的密封空间；高压电极，固定设于所述密封空间内，与实验电源高压端等电位连接；地电极，对应所述高压电极设置于所述密封空间，通过地极引线接地；调节机构，设置于所述密封空间，包括驱动所述地电极靠近或远离所述高压电极运动的驱动端。将用于调节电极间距的操作机构置于测试腔体内部，实现了无动密封部件。规避了在低温、高气压环境下使用胶圈或金属过度配合的动密封方式所带来的问题，提供了一种能够在低温、高气压环境下使用的绝缘介质击穿强度实验装置。
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公开(公告)号：CN109406889A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811315214.2
申请日：2018-11-06
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： G01R29/12
摘要： 本发明公开一种电场测量装置，包括：信号源，激光器，用于在信号源的作用下产生第一激光信号；第一聚光器件，电场产生设备，用于在信号源的作用下产生介质电场使得第一激光信号发生倍频效应转变为第二激光信号，并产生介质电场的电场信号；分光器件，用于分别将第一激光信号和第二激光信号分配到各自对应的分光支路上；测量设备，用于通过调整第一激光信号或第二激光信号与电场信号的时差得到第一激光信号或第二激光信号位于电场信号的波形区域的不同时刻的介质电场的电场参数，并将电场参数进行显示。本发明利用激光器和电场产生设备在信号源的作用下产生二次谐波测量当前介质电场的电场参数，可以提高测量精度。
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公开(公告)号：CN108998777A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810768361.9
申请日：2018-07-13
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/505
摘要： 本发明公开了一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法，该方法包括：步骤1、搭建复合薄膜沉积系统；步骤2、对沉积样品的表面进行预处理；步骤3、在处理完成的样品表面沉积半导体薄膜；步骤4、对步骤3中的半导体薄膜进行处理，消除残余应力；步骤5、在处理完成的半导体薄膜上沉积绝缘薄膜；步骤6、对步骤5中的绝缘薄膜进行处理，消除残余应力。
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公开(公告)号：CN108611623A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810691590.5
申请日：2018-06-28
申请人： 中国科学院电工研究所
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/02
摘要： 本发明涉及一种抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置及方法，属于等离子体技术领域。所述喷涂镀膜方法包括：将待处理试样清洗并干燥；搭建抑制固体介质材料二次电子产额的喷涂镀膜装置；进行大气压等离子体炬喷涂镀膜实验；进行二次电子产额测试和材料表面物理形貌观测。本发明利用大气压等离子体喷枪产生的等离子体炬，使反应前驱物反应并生成含Ti基团和N基团，在介质表面沉积形成致密均匀的TiN薄膜，具体的，使载气中的前驱物发生分解及聚合反应，在介质表面产生聚合、接枝、交联等作用，使沉积的薄膜形成“微陷阱”结构，降低表面粗糙度，抑制固体介质二次电子产额，提高介质表面绝缘性能。
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公开(公告)号：CN108173534A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810136961.3
申请日：2018-02-09
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明公开了一种双极性传输线型纳秒脉冲发生器，包括：交流电源模块和脉冲模块，工频交流源输出端经输入限流电阻与二极管整流桥输入端相连，二极管整流桥输出端经稳压电容与H桥电路输入端相连，H桥电路输出端与升压变压器输入端相连，升压变压器输出端经输入电阻、第一同轴电缆中心铜线、负载输出阻抗、第二同轴电缆中心铜线接地，第一同轴电缆两端和第二同轴电缆两端共同接地，控制开关一端接至输入电阻和第一同轴电缆之间的节点上，控制开关另一端接地，负载输出阻抗两端输出脉冲。本发明的有益效果：利用交流源作为Blumlein脉冲形成线的激励源，可产生双极性陡前沿窄脉宽纳秒脉冲，结构简单，电路复杂度低，整体易于实现小型化。
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公开(公告)号：CN106185806A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610515050.2
申请日：2016-07-01
申请人： 中国科学院电工研究所
摘要： 本发明涉及一种利用等离子体进行甲烷转化生产氢气、乙烯等高品位能源的装置及方法。一种利用等离子体转化甲烷的装置，包括：反应罩，所述反应罩的顶部设有进气口，所述反应罩的底部设有出气口，所述反应罩内分别设有：上金属底座，所述上金属底座的下方固定有多针电极阵列，且针尖朝下，所述上金属底座的顶部设有上绝缘底座；所述上金属底座通过穿过所述上绝缘底座的金属杆与纳秒脉冲电源的高压端连接；所述上金属底座与上绝缘底座上均分布有多个过气孔；下金属底座，为地电极，所述下金属底座的底部设有下绝缘底座。本发明所述装置改变等离子放电模式，改变甲烷转化效率及产物的选择性。
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