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公开(公告)号：CN116101984A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211441097.0
申请日：2022-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碲化铋/碲/碳异质结纳米线的制备方法，属于功能纳米材料技术领域。所述方法为：取Bi源前驱体和Te源前驱体加入二次蒸馏水中，得到前驱体分散液；恒温水浴或油浴条件下搅拌30min，加入蔗糖还原剂；继续搅拌30min，调控分散液呈现酸性，进行微波反应；反应结束后，自然冷却至室温取样，离心洗涤，真空干燥即可。本发明合成Bi2Te3/Te/C纳米线处于微米尺度，比表面积约为30m2/g，这归因于蔗糖在微波辅助的酸性环境发生分解形成疏松的碳结构。同时这些碳的存在有效避免了纳米线的团聚从而具有较高的稳定性。因具有较高的比表面积和高的稳定性，Bi2Te3/Te/C纳米线异质结在光电催化、光电探测、储能以及环境污染物治理等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114843106A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210476168.4
申请日：2022-04-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铋氧基异质结的制备方法和铋氧基异质结宽波段光电探测器及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域，所述宽波段光电探测器以Bi2O2Se/BiCuOSe异质结为基体材料，由工作电极、对电极和电解质三部分制备而成。制备步骤如下：首先利用一步水热法通过调控铋源和铜源比例原位合成Bi2O2Se/BiCuOSe异质结；然后将所得产物制备工作电极；最后将工作电极、对电极和电解质连接，得到铋氧基异质结宽波段光电探测器。该器件在紫外、可见、近红外波段都会产生光子吸收和光响应，而且由于异质结的作用具有比Bi2O2Se更大的响应度，同时该器件响应迅速，具有较好的光电探测性能，这对宽波段光电探测器的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114509163A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210011149.4
申请日：2022-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法，属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列，所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先，利用水热法合成ZnO纳米棒；然后，通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜；接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列；最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构，进而构造了光电探测器。
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公开(公告)号：CN112420876B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011412393.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/109
Abstract: 一种从日盲紫外到近红外的宽波段探测器的制备方法，属于光电探测技术领域。本发明的目的是为了解决现有宽光谱探测器存在不同材料之间晶格失配大、质量低、响应速度慢等问题，所述方法为：在蓝宝石衬底上沉积Ga2O3薄膜，薄膜厚度不小于300nm，通过化学气相沉积法在蓝宝石基底上制备厚度为3nm‑6nm的二维拓扑绝缘体材料，将所述二维拓扑绝缘体材料通过湿法转移的方法转移至Ga2O3上表面，Ga2O3和二维拓扑绝缘体材料之间形成范德华异质结；利用电子束沉积的方法在二维拓扑绝缘体材料表面依次沉积Ti电极和Au电极。本发明采用范德华异质结，通过转移的方法形成异质结，而不是外延方法，克服了Ga2O3和Bi2Se3之间晶格失配而导致质量下降等问题。
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公开(公告)号：CN113921286A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111152229.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法，所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构，在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中，ZnO为二维纳米片结构，均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极，通过热封膜将其与对电极连接，并在中间注入聚硫电解质或去离子水，分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测，且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料，并基于其分别制备了高性能的光电探测器，拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113804294A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111081383.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种铋氧硒纳米片自供能光电探测器的制备方法，所述方法采用水热法制备Bi2O2Se纳米片，并以旋涂Bi2O2Se纳米片的FTO导电玻璃为工作电极，将其与对电极通过热封膜连接，在内部空腔注入电解液制备自供能光电探测器。本发明利用水热法制备Bi2O2Se纳米片，操作简便，成本低，过程可控；Bi2O2Se纳米片的尺寸可通过反应温度和PVP含量来调控。本发明制备的Bi2O2Se纳米片自供能光电探测器的响应速度快、响应度高，而且在紫外‑可见‑红外都有较大的光电流响应，在探测范围方面，要显著优于窄波段光电探测器。
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公开(公告)号：CN113284975A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110580050.1
申请日：2021-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，整个材料体系的电导率增大，从而实现器件在中长波红外波段的响应，材料制备工艺简单，便于工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN112973742A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110184942.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高效光解水制氢低维铋化物/还原二氧化钛复合材料及其制备方法。该方法以TiO2‑X介孔纳米球为基体材料，在常温下将BiOI负载在TiO2‑X介孔纳米球，方法简单有效，复合材料具有较强的稳定性。经过硼氢化钠还原后的二氧化钛纳米球因含有氧空位，从而协助BiOI增强了其在可见光区域的此外，BiOI/TiO2‑X复合材料的吸收从紫外区域扩展到可见光区域，提高了太阳光的利用率，复合后形成了PN结内建电场使得载流子传输具有定向性，从而增强了电子空穴的传输，对能源利用领域具有重要意义。
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公开(公告)号：CN106206868A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610587257.0
申请日：2016-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L33/005 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L33/002
Abstract: 本发明公开了一种高效率发光的纳米ZnO/AlN异质结的制备方法，其步骤如下：一、将衬底浸入浓硫酸和双氧水混合溶液中，在80～100℃保温5～15min，去除表面氧化物，然后分别在丙酮、去离子水以及乙醇溶液中各超声清洗5～15min，浸泡在乙醇中待用；二、通过磁控溅射技术在衬底上制备氧化锌种子层；三、通过化学溶液法在溅射有氧化锌种子层的衬底上生长氧化锌纳米阵列；四、通过磁控溅射技术在氧化锌纳米阵列上溅射氮化铝薄膜，形成ZnO/AlN异质结。本发明获得了低成本高效发光的ZnO/AlN异质结，其光致发光性能十分显著，可为ZnO低维结构材料在高量子效率光电器件方面，特别是高效蓝光LED的应用方面提供有效的技术支撑。
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公开(公告)号：CN105222993A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510616294.5
申请日：2015-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种大芯径光纤传输损耗系数的测定方法，其步骤如下：一、制备一根长度为100m～1000m大芯径光纤标准跳线；二、将跳线两端分别接入普通通讯光纤万用表光源端和光功率计端，首先测量出100m～1000m光纤的输出功率，在保持注入条件不变的情况下，在离注入端为2m的部位测出输出功率，以此输出功率作为输入功率；三、将步骤二测出的输出功率和输入功率带入下述修正方程求出光纤的传输损耗和传输损耗系数。本发明采用普通通讯光纤万用表首次通过修订参数对大芯径光纤传输损耗系数进行测定。本发明具有操作方便，设备简单，灵活性强等优势，适用于实验室以及野外光纤通信维修对大芯径光纤传输损耗的测定。
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