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公开(公告)号：CN118566107A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410651635.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 本发明涉及封隔器用密封材料耐超临界CO2气侵腐蚀试验装置及方法，属于材料耐气体侵蚀试验技术领域。解决不满足试验工况条件，试验效率低的问题。包括气体驱动模块、CO2供气模块、超临界CO2增压稳压模块和分压模块，所述气体驱动模块、CO2供气模块均通过超临界CO2增压稳压模块与分压模块建立连接；分压模块包括控制阀、截止阀、测压组件和高压反应釜，控制阀、截止阀、测压组件和高压反应釜顺次连接形成分压模块。本发明满足CO2驱油矿场温度、压差的工况，所需试验工况在该装置的许用温度与压力范围内，提高低渗、超低渗油田采油率需求；本发明可同时控制高压反应釜、可同时调节不同的控制温度与压力，改善现有装置反应釜单一的情况，提高试验效率。
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公开(公告)号：CN114720026A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210348121.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于梯度复合一体化结构的宽线性响应范围的力触觉传感器及其制备方法。本发明传感器由两个柔性衬底/电极分别层压至梯度复合一体化结构复合导电薄膜的上、下方构成。该传感器通过接触电阻响应机制增强导电通路响应机制的方式有效解决了目前触觉传感器无法在大响应范围内保持高灵敏度和线性的问题，实现了宽响应范围、高灵敏度及线性触觉传感器的制备。该传感器的发明将有效解决现阶段智能机器人无法实现多场景精准感知及电路复杂的问题，为实现轻型化、便利化人工智能设备提供有利条件。
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公开(公告)号：CN114657542A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210348132.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 航空发动机在运行状态下，航空燃油流经热部件，温度升高，容易在发动机喷嘴表面金属催化下氧化结焦形成积碳，影响航空发动机使用寿命，严重时甚至会造成航空事故，此外，结焦产生后的除焦过程也面临时间人力成本高昂的问题，本发明为一种应用于航空发动机喷嘴领域金属材料结焦防护涂层技术，具体为一种氮化硼抗结焦涂层及其化学气相沉积制备方法，通过氮化硼涂层可以降低合金材料中金属元素起到的催化结焦作用，实现结焦抑制的目的，同时本工艺具有工艺简单、结焦抑制明显、易于结焦物理清除等优点。
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公开(公告)号：CN112159970A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011087287.8
申请日：2020-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级、高质量的氮化硼/石墨烯异质结薄膜的制备方法；它的制备方法为：步骤一：通过表面催化生长方法，在金属表面制备出连续的六方氮化硼薄膜；步骤二：通过等离子体刻蚀技术，将金属箔片一侧表面处的六方氮化硼薄膜除去；步骤三：将该金属箔片折叠为袋状进行密封；步骤四：将该金属袋置于管式炉中，升高到一定温度并通入高浓度含碳气体，实现碳原子由外表面向内表面的扩散，并在降温过程中析出，在金属与六方氮化硼界面处生成石墨烯；步骤五：将该金属袋剪开并水平铺开，转移至目标衬底表面，即可得到六方氮化硼/石墨烯垂直异质结薄膜。本发明的制备工艺适用性高，工艺参数窗口较宽；相比传统通过外延或扩散方式来制备异质结的方法，本方法有效避免原子间的掺杂现象，同时可获得晶圆级，高质量的垂直氮化硼/石墨烯异质结薄膜。
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公开(公告)号：CN108565301B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201810305675.5
申请日：2018-04-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0272 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法，属于传感器技术领域。本发明探测器包括：衬底，硒化铟纳米片，金纳米阵列和两个金属电极。本发明中所用的光敏感材料为硒化铟，目前硒化铟基光电探测器的工作范围大多集中在紫外波段，其响应度从可见光波段开始严重衰减，使其在长波段无法正常工作。针对此问题，本发明中采用金属表面等离子体共振诱导的方法提高了硒化铟光电探测器在可见光区的量子效率，进而实现了其在紫外‑可见‑近红外的宽谱范围内具有双波段的探测功能。此外，这种新型双波段探测器具有结构简单、尺寸小、易于耦合焦平面读出电路等特点，有益于下一代多功能、多变量检测光探测器的开发。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107376948B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710704646.1
申请日：2017-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/057 , C25B1/04 , C25B11/06
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法，属于电催化材料的制备方法技术领域。一、制备直径为430纳米的单分散二氧化硅实心球；二、将制备得到的二氧化硅小球有规则的组装排列在空气和水的界面上，单分散二氧化硅小球水‑乙醇悬浮液滴加到悬浮在去离子水面上的玻璃片上，单分散二氧化硅小球沿着玻璃片边沿逐渐在水面上有规则的进行排成形成单层阵列，最后二氧化硅小球有序结构阵列被二氧化硅/硅基底接取，反复上述操作；三、采用化学气相沉积技术生长二硒化钼/二氧化硅壳核复合材料有序结构阵列；四、去除内部的二氧化硅模板得到二硒化钼功能材料分等级空心球有序结构阵列。
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公开(公告)号：CN109231192A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811417182.7
申请日：2018-11-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/194 , C01B32/186
Abstract: 一种利用PMMA洁净转移单层石墨烯的方法，涉及一种单层石墨烯的转移方法。本发明要解决现有转移石墨烯方法存在决现有石墨烯在特定基片(如硅片)上生长不稳定的问题以及转移石墨烯方法存在不完整、易卷曲的问题。本发明方法如下：一、在铜箔基底上生长单层石墨烯；二、然后悬涂PMMA胶，然后置于加热板上，加热固化，裁边；三、将铜箔浮在腐蚀液液面上，待铜箔变透明时捞出；四、水中静置；五、重复步骤四的操作，六、用目标基底捞起，用氮气吹干，烘箱中烘烤，至表面变为紫色；七、然后滴加PMMA，静置；八、浸泡于丙酮中，加热，清洗；即完成单层石墨烯的转移。本发明在光电器件等领域具有广阔的前景。
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公开(公告)号：CN108365084A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810067410.6
申请日：2018-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/33
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶二维压电材料的自驱动压力传感器及制备方法，属于传感器技术领域。本发明中金电极直接接触二维压电材料纳米片，聚二甲基硅氧烷柔性衬底提供支撑，银浆用于连接金电极和导线，导线作为外电路测试时的电极。制备方法为：在云母上制备出少层的单晶二维压电材料纳米片；利用聚合物辅助的方法将单晶二维压电材料纳米片转移到柔性衬底上；用碳纤维作为掩模板，利用热蒸发镀膜技术蒸镀金电极；利用银浆和导线引出电极以供测试，完成器件制备。本发明的制备工艺实施简单，避免了使用繁琐复杂的光刻技术；所制备的压电传感器具有柔性，可穿戴，高灵敏度，高稳定性的特点，在监测人体生理信号(脉搏和呼吸)时表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN107817271A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711043470.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N27/00
Abstract: 本发明提供了一种湿度敏感器件的制备方法，属于传感功能器件的制备领域。本发明一种湿度敏感器件的制备方法，步骤如下：步骤一：取30微升Hummer法制备的浓度为3-5mg/mL的氧化石墨烯滴加到金属电极的沟道之间；步骤二：将金属电极在室温下自然晾干；步骤三：在高湿度下，通过对晾干的金属电极施加电压不对称还原金属电极沟道之间的氧化石墨烯，获得氧化石墨烯含氧官能团浓度梯度分布的器件。本发明是一种高灵敏度且不依赖外界电压即可自行工作的非接触式人机交互湿度敏感功能器件制备方法，主要用于湿度信号的检测。
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公开(公告)号：CN107123703A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710479082.6
申请日：2017-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三：用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四：蒸镀一层透明金属电极，完成器件；本发明的制备工艺实施简单，避免了繁琐而复杂的光刻技术的使用；相比传统的平行结构的光电探测器，独立式二硫化锡纳米片为基础的垂直电探测器避免了基底造成的散射与掺杂，增加了光吸收，从而提高了其光电探测性能。
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