-
公开(公告)号：CN104975343B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510304702.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法，它涉及一种提高金刚石籽晶质量的方法。本发明是为了解决现有提高金刚石籽晶质量的方法过程耗时较长、操作相对复杂，并且容易导致籽晶表面质量劣化的问题，方法为：一、金刚石籽晶清洗；二、焊接；三、放置籽晶；四、氢等离子体刻蚀/退火，即完成。本发明氢等离子体刻蚀/退火处理能够在同一仪器中同时去除金刚石籽晶表面上由机械抛光引起的晶体缺陷、表面及亚表面损伤以及金刚石籽晶内部应力和缺陷，提高结晶度，从而获得高质量的籽晶，并极大简化了操作，节约了时间和成本。本发明应用于晶体生长技术领域。
-
公开(公告)号：CN106784044A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611223173.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法，涉及金刚石探测科学与技术领域，尤其涉及一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法。本发明为解决现有金刚石紫外探测器，采用平面电极结构，会有紫外穿透深度范围以内金刚石纵向电场太弱不足以将光生载流子导出的问题，而采用石墨柱电极结构，会有晶界阻碍载流子的输运问题。一种三维结构金刚石紫外探测器，包含光感区和电极结构，光感区为蛇形折叠形状金刚石，电极结构为两组相互交叉的叉指结构凹槽组成，每组叉指结构含有n个电极。一种三维结构金刚石紫外探测器的制备方法：基底的选择；预处理；制备刻蚀掩膜；制备三维电极结构；沉积金属薄膜和后处理。本发明应用于紫外探测领域。
-
公开(公告)号：CN106744931A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611130191.9
申请日：2016-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/61
Abstract: 一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法，本发明涉及金刚石微粉生长技术领域。本发明要解决现有制备人造金刚石成本较高、质量较低、不易分散、工艺不可控、衬底选择受限的问题。方法：一、石墨片的表面处理；二、利用等离子体刻蚀法在石墨上制备金刚石；三、分散金刚石颗粒，即完成等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。本发明用于一种等离子体刻蚀石墨制备金刚石颗粒的方法。
-
公开(公告)号：CN104988578A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510443127.5
申请日：2015-07-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法，本发明涉及优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明要解决现有MWCVD生长系统中等离子体密度对籽晶生长质量的影响，等离子体形态与籽晶接触方式导致侧向生长区域质量较低，以及等离子体中碳源沉积污染舱体等问题。方法：一、清洗；二、焊接；三、放置样品；四、放置等离子体挡板；五、生长前准备工作；六、金刚石生长，即完成利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。本发明用于一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法。
-
公开(公告)号：CN104972189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510459097.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，传统焊接介质熔点过低、与金刚石相容性差或反应严重损伤籽晶，无法满足金刚石优质生长的问题。方法：一、清洗；二、选择焊接介质；三、放置样品；四、真空钎焊，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底真空钎焊方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104947069A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
-
公开(公告)号：CN104878447A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
-
公开(公告)号：CN104775154A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510199722.9
申请日：2015-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有的MWCVD生长系统中籽晶表面温度难以有效调控的问题，本发明所述方法包括步骤如下：金刚石籽晶清洗→焊接→选择隔热丝→制作隔热丝→放置样品→生长前准备工作→金刚石生长。本发明通过制备隔热用隔热丝，确保了金刚石样品表面温度不会因为导热过快而过低，且根据不同工艺参数选择不同规格的隔热丝，实现金刚石样品表面温度可控，使金刚石在所需的温度等工艺参数下进行生长。由于隔热丝的特殊形态，保证了金刚石样片表面水平，与等离子体球均匀接触，保证了温度场及碳源密度的均匀性，使得生长效果更好。
-
公开(公告)号：CN112695382B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011466532.6
申请日：2020-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于网格化结构电极提高金刚石异质外延生长均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石领域，它为了解决金刚石大面积外延生长均匀性差的问题。一、衬底位于样品台的中心处，将网格化电极放置在腔体底座上；二、设备抽真空；三、升温过程；四、开启直流偏压电源，进行偏压增强形核；五、降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长；六、外延金刚石膜光刻图形化加工与生长。本发明在偏压增强形核过程中，通过网格化结构Mo电极能够促使等离子体聚集于网状结构Mo电极表面，等离子体内部的正离子在复合衬底上方聚集形成辉光层，辉光层的均匀性提高也使得金刚石外延形核的均匀性得以提高。
-
公开(公告)号：CN110527973B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910925306.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.027 seconds)
