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公开(公告)号：CN118039454A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366740.8
申请日：2022-11-01
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司
摘要： 一种提高PECVD生长氧化硅薄膜致密性的方法及碳化硅器件，包括：在衬底晶圆上通过等离子体增强化学的气相沉积方法生长设定厚度的二氧化硅介质层；将所述二氧化硅介质层放置在包含氧气的气体氛围内，在退火温度大于预设温度条件下进行退火处理，形成致密的二氧化硅薄膜。本发明通过在包含氧气的气体氛围内，使退火温度大于预设温度条件下，通过大于预设温度的退火温度、退火时间以及包含氧气的气体氛围内对二氧化硅介质层进行退火，从而可以使二氧化硅介质层中处于畸变位置的一些原子，恢复到正常状态，可以进一步消除冻结的缺陷，发生各种再结晶，从而导致晶粒增大晶界减少，提高二氧化硅薄膜的致密性。
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公开(公告)号：CN117096014A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211687933.3
申请日：2022-12-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN116230527A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310120878.8
申请日：2023-02-02
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件，包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层，并在所述金属铝层上生长预设厚度的氧化膜；在所述金属钛层和金属铝层待腐蚀区域对应的所述氧化膜表面上旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过所述具有预设形状窗口的光刻胶膜对所述氧化膜进行刻蚀，形成具有预设形状窗口的氧化膜；通过所述具有预设形状窗口的氧化膜和光刻胶膜对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，得到具有预设形状窗口的金属钛层和金属铝层，并去除所述光刻胶膜和氧化膜，所述金属钛层和金属铝层的窗口边缘形貌为预设形状。可改善金属腐蚀边缘形貌，有效去除氧化膜而不影响芯片性能。
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公开(公告)号：CN115832052A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211475391.3
申请日：2022-11-23
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种胞内集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括：碳化硅MOSFET器件以及漂移层远离衬底的表面设置的平滑的刻蚀凹槽，凹槽内部填充有肖特基接触金属，刻蚀凹槽的侧壁设有离子注入区，离子注入区顶部填充欧姆接触金属。通过实施本发明，在元胞内形成结势垒肖特基二极管，节约了芯片面积，显著改善器件第三象限特性，实现了低第三象限开启电压，避免了双极退化效应的发生；平滑的刻蚀凹槽结构可以避免电场集中，离子注入能够避免栅极击穿，同时在不改变电流通路的情况下，实现了通过结势垒肖特基二极管结构对裂栅的包裹和保护，降低了栅氧化层电场，增强了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112865046A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110247025.1
申请日：2021-03-05
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供的一种多功能多端口混合式直流断路器及控制方法，该断路器包括：潮流控制模块、多个通流模块、限流模块、耗能模块、开断模块及多个选择模块，其中，潮流控制模块的一端与直流母线接线端口连接，另一端与各通流模块的一端连接，各通流模块的另一端与每条直流线路接线端口连接，直流母线接线端口与直流线路接线端口一一对应设置；各选择模块的一端与其对应的直流线路连接，另一端与限流模块的一端连接；限流模块的另一端分别与耗能模块的一端及开断模块的一端连接；耗能模块的另一端及开断模块的另一端与直流母线连接。通过实施本发明，使得直流断路器设备投资大幅减少，且具备潮流控制能力，有利于推动多端及直流电网的发挥。
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公开(公告)号：CN112865042A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110237003.7
申请日：2021-03-03
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种可控电压源振荡型直流断路器及其应用方法，该可控电压源振荡型直流断路器包括：主通流支路、电流注入支路、电压振荡支路以及能量耗散支路，电流注入支路包括脉冲电容和直流电容，电流注入支路与主通流支路并联连接，电压振荡支路并联在脉冲电容的两端，能量耗散支路与主通流支路并联连接；主通流支路用于导通直流负荷电流，电压振荡支路用于改变脉冲电容的电压极性，电流注入支路用于实现脉冲电容振荡升压及向主通流支路注入反向电流，能量耗散支路用于完成能量耗散吸收与电流清除。通过实施本发明，可以显著降低高压电容容值及减少电力电子器件的数量，大幅降低可控电压源振荡型直流断路器的成本及体积。
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公开(公告)号：CN112067986A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010962883.X
申请日：2020-09-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网冀北电力有限公司
IPC分类号： G01R31/327
摘要： 本发明公开了一种检验直流断路器抵御高低频振荡干扰的装置，通过充电模块在闭合隔离开关K1后，对低频振荡模块进行充电，当检测低频振荡模块的电压满足预设数值时导通晶闸管T，在晶闸管T导通后，低频振荡模块对高频振荡模块充电，当高频振荡模块和低频振荡模块的电压相等时，导通隔离开关K2，将高频振荡模块和低频振荡模块的电流导入直流断路器。本发明提供的检验直流断路器抵御高低频振荡干扰的装置，在开通状态下对高低频振荡模块带来的干扰，设备简单易行、操作方便，满足直流断路器工程化研发及工程应用过程中的试验要求。
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公开(公告)号：CN111276992A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010071325.4
申请日：2020-01-21
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种模块化多电平交流-直流变换系统，包括：一个控制器及多个子模块单元、隔离变压器、直流支撑电容，每个子模块单元的直流侧与一个直流支撑电容并联，直流支撑电容的输出形成变换系统的直流端；每个子模块单元的交流侧连接一个隔离变压器的输出端，隔离变压器的输入端串联形成变换系统的交流端；控制器采集交流侧电流和各子模块单元电容电压，输出所有子模块单元内部功率器件的触发信号，用于交流功率控制、交流输出电压控制、直流支撑电容平均电压控制、直流输出电压控制和子模电容均压控制。本发明提供的系统具备高集成度、紧凑化和低成本等特点，且易于工程实现，可适用于高压大容量和中低压小容量应用场合。
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公开(公告)号：CN111048297A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911425074.9
申请日：2019-12-31
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供一种组合绝缘结构的高压隔离变压器，属于隔离变压器技术领域，包括：底板、绝缘套管、顶板和均压环，所述绝缘套管盘绕形成具有内部安装空间的柱形，所述安装空间内适于布置变压器组件，在所述绝缘套管的管内适于容纳绝缘气体；本发明的高压隔离变压器，采用气体绝缘和固体绝缘结合的形式，其中固体绝缘作为高压隔离的主绝缘，气体绝缘作为提升变压器沿面绝缘特性的辅助绝缘，该结构可灵活扩展至35kV以上电压等级，与常规干式变压器相比，具有更高绝缘强度、低局部放电抑制、低噪声、高散热，可以实现隔离变压器在百千伏及以上直流高压下应用，满足直流电压或交流电压下的长期可靠应用。
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公开(公告)号：CN109981092A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910030591.X
申请日：2019-01-14
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网辽宁省电力有限公司
摘要： 一种全桥模块、全桥模块的混合式直流断路器及应用方法，包括：两个电力电子单元、两个二极管、电阻和电容；两个电力电子单元反向串联构成上桥臂；两个所述二极管共阳极串联或共阴极串联，构成下桥臂；所述电阻和电容并联后，连接于所述上桥臂和下桥臂之间，实现了反向串联器件共用阻尼，减少了无源元件数量，简化了拓扑设计，有利于降低设备体积与成本，通过控制混合式直流断路器的全桥模块，实现了全控型电力电子器件的电位统一，有利于减少高电位控制单元数量，简化控制电气接线，有利于提升设备整体可靠性。
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