-
公开(公告)号：CN116230527A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310120878.8
申请日：2023-02-02
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/28
摘要： 本发明提供一种双层掩膜改善钛铝腐蚀形貌的方法及器件，包括：在晶圆表面依次沉积金属钛层和金属铝层，并在所述金属铝层上生长预设厚度的氧化膜；在所述金属钛层和金属铝层待腐蚀区域对应的所述氧化膜表面上旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行光刻处理，形成具有预设形状窗口的光刻胶膜；通过所述具有预设形状窗口的光刻胶膜对所述氧化膜进行刻蚀，形成具有预设形状窗口的氧化膜；通过所述具有预设形状窗口的氧化膜和光刻胶膜对金属铝层和金属钛层依次进行腐蚀，得到具有预设形状窗口的金属钛层和金属铝层，并去除所述光刻胶膜和氧化膜，所述金属钛层和金属铝层的窗口边缘形貌为预设形状。可改善金属腐蚀边缘形貌，有效去除氧化膜而不影响芯片性能。
-
公开(公告)号：CN115979757A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211734844.X
申请日：2022-12-31
申请人： 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01N1/28 , H01L23/544 , G01N1/32 , G01N1/44
摘要： 本发明提供一种比接触电阻检测样品的制备方法及比接触电阻检测样品，包括：在清洗后的SiC晶圆表面沉积介质膜；在所述介质膜表面旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行预处理，形成具有预设图案的光刻胶膜，基于所述光刻胶膜对所述介质膜进行腐蚀处理，去除光刻胶膜，形成具有预设图案的介质膜；基于所述介质膜沉积金属层，在预设温度中对金属层进行激光退火处理；通过金属腐蚀液对激光退火后的金属层进行腐蚀处理，得到比接触电阻检测样品。本发明通过在进行光刻处理后的具有预设图案的介质膜上沉积金属层，然后优化了比接触电阻检测样品的制备过程，提升比接触电阻金属区退火均匀性，从而得到较准确的欧姆接触比接触电阻，从而有效的评估激光退火欧姆接触工艺效果。
-
公开(公告)号：CN117393426A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202210790866.1
申请日：2022-07-05
申请人： 国网智能电网研究院有限公司
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/3105 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/16
摘要： 一种碳化硅表面氧化方法，其包含如下步骤：清洗所述碳化硅表面；初始氧化所述碳化硅表面形成第一厚度的初始氧化层；在O2与NOx气氛下对所述碳化硅表面进行含氮主氧化，得到第二厚度的氮化主氧化层；氩氛下，对所得氮化主氧化层退火处理。本发明通过将碳化硅氧化过程分成初始氧化和含氮主氧化减少了碳化硅热氧之后SiO2膜表面的碳原子残留；通过将初始氧化厚度控制在20nm以下提高了界面质量；通过调制含氮主氧化过程中的O2与NOx分压不仅实现了对二氧化硅生长速率的控制，而且N原子还可有效地改善SiC/SiO2界面状态，提高二氧化硅质量；从而实现了在提高沟道迁移率的同时又兼顾了栅氧可靠性以及阈值电压的稳定性。
-
公开(公告)号：CN117096014A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202211687933.3
申请日：2022-12-27
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/04 , H01L21/311
摘要： 一种半导体器件的刻蚀方法，包括如下步骤：晶圆打标号，晶圆清洗，保护层的形成，涂胶工艺，在一定温度和一定真空度下进行低温真空干燥处理，在一定磁场功率和一定射频偏压功率辅助条件下将高压氮气分散到真空干燥处理后的晶圆上，形成光刻胶掩膜步进式光刻机曝光，曝光后显影，刻蚀，去胶，清洁。本发明用于消除光刻胶膜上形成的微波纹，提高光刻胶的致密性和均匀性，达到精准刻蚀的目的。
-
公开(公告)号：CN111505018A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010322087.X
申请日：2020-04-22
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开一种半导体晶圆的检测设备，包括：底座；支撑杆，从所述底座垂直向上延伸；真空吸笔台，垂直于所述支撑杆设置，所述真空吸笔台上横向分布有多个真空吸笔，所述真空吸笔的端部包括用于放置待测晶圆的吸附盘；真空发生器，与所述真空吸笔台相连，用于为所述多个真空吸笔提供真空负压；LED灯，设置在所述支撑杆上方，用于为放置在所述多个真空吸笔上的待测晶圆提供照明。可以一次性同时放置多枚晶圆，从而辅助检测人员快速进行晶圆检测的切换，提高检测效率。本发明的检测设备中还包括LED灯，可以在环境光线不佳的情况下提供补充光源，从而提高晶圆检测的质量。
-
公开(公告)号：CN110146799A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910353351.3
申请日：2019-04-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法，测试装置包括相互连接的半导体器件参数测试装置和红外热成像装置；半导体器件参数测试装置用于：放置待测芯片，并给待测芯片施加反向电压；红外热成像装置包括红外热成像仪和显示设备，红外热成像仪穿过半导体器件参数测试装置且位于所述待测芯片上方；显示设备与红外热成像仪连接，用于观测测试结果，确定芯片表面漏电位置。基于半导体芯片漏电位置测试装置的方法，是将待测芯片放置于半导体器件参数测试装置上，并开启红外热成像装置；给待测芯片施加反向电压，实时观察待测芯片表面热分布；根据待测芯片表面热分布，确定芯片表面漏电位置。
-
公开(公告)号：CN117491809A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311686587.1
申请日：2023-12-09
申请人： 国网辽宁省电力有限公司阜新供电公司 , 北京丹华昊博电力科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 一种配电网接地故障定位方法、系统及存储介质，该方法在初步故障定位时采用参数迭代的方法精确计算故障距离，不需要浪费大量的时间、人力、物力去进行目测巡线。包括以下步骤：当配电线路发生单相接地故障时，在故障线路离线以后，由信号注入设备向故障线路注入直流电压，并实时监测故障线路电流的响应数据；在注入直流电压后，故障线路上产生电流信号i；计算得到电流信号i的表达式；在信号稳定后，根据检测到的故障线路电流的响应数据，由欧姆定律得出故障线路电阻值；将故障线路电阻值和采样时刻代入所述电流信号i的表达式，再通过参数迭代的方法得出故障线路电感值；通过求得故障线路电感值，计算出故障距离。
-
公开(公告)号：CN114199175A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111343524.7
申请日：2021-11-13
申请人： 国网辽宁省电力有限公司阜新供电公司 , 国家电网有限公司
摘要： 一种L型电力铁附件自动检测装置，包括机架，在机架上安装皮带输送机构，在皮带输送机构上安装前后布置的托架，在机架上由前向后依次安装尺寸检测机构、锌层厚度检测机构和孔位检测机构，该L型电力铁附件自动检测装置还设有工控机，所述尺寸检测机构输出端与工控机对应的信号输入端连接，所述皮带输送机构的控制信号输入端、锌层厚度检测机构的控制信号输入端和孔位检测机构控制信号输入端与工控机对应的控制信号输出端连接。其可加快检测速度，提高检测效率，并降低检测人员劳动强度，降低检测人员疲劳度。
-
公开(公告)号：CN114152567A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010933546.8
申请日：2020-09-08
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： G01N21/01
摘要： 本发明涉及一种显微镜用测试夹具及测试方法，设置于显微镜舱室内，包括：多个夹口，每个夹口上均设有调节装置，各夹口根据不同待测样品截面的大小，具有不同的尺寸和深度，调节装置用于将设置于所述各夹口中的待测样品进行固定，所述方法包括：将待测样品，基于待测样品的截面大小，从测试夹具中选择尺寸和深度对应的夹口，利用调节装置固定待测样品，将测试夹具及待测样品置于显微镜舱室内进行观测，通过在测试夹具上设置多个不同尺寸和深度夹口，有效解决了小样品本身较薄、较小，不容易固定，进而造成观测困难及不准确的技术问题，另外，如果有多个不同尺寸的待测样品，可同时放入测试夹具上的夹口中进行观测，提高了观测效率。
-
公开(公告)号：CN109148590A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811003587.6
申请日：2018-08-30
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L29/66712
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：半导体层；栅极和源极，形成在所述半导体层上方；半导体区域，形成在栅极和源极之间的所述半导体层内，且所述半导体区域具有与所述栅极和/或所述源极交叠的部分；其中，所述半导体区域内的离子掺杂浓度为1E16‑5E21cm‑3，所述半导体区域与所述半导体层的导电类型相同。通过在栅极和源极之间的半导体层内形成半导体区域，该半导体区域具有与栅极和/或源极交叠的部分，其中，交叠部分的面积可以用于改变栅端和/或源端重合处的MOS电容，从而实现对栅控半导体器件的开关时间和开关损耗等开关特性的调制。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.064 秒)
