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公开(公告)号：CN112329971A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202010549122.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 国网江苏省电力有限公司经济技术研究院 , 国网江苏省电力有限公司 , 国网经济技术研究院有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种输变电工程投资决策模型的建模方法，包括如下步骤：步骤1）建立输变电工程数据库并划分项目类型；步骤2）建立输变电工程建设决策判别的指标体系；步骤3）采集并处理输变电工程建设决策判别指标数据；步骤4）构建基于随机森林算法的输变电工程建设决策判别模型。有益效果：针对提升输变电工程投资效益的目标，设计了输变电工程投资决策的关键指标体系及内容，基于随机森林技术构建投资决策模型，有助于提升输变电工程投资精准度，支撑电网高质量发展。
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公开(公告)号：CN112103330A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910521437.2
申请日：2019-06-17
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网湖北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: 本发明提出了一种功率器件背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，功率器件背面多峰值缓冲层结构包括：N型半导体衬底材料(100)、功率器件背面的表面界限(101)和设置于N型半导体衬底材料(100)和表面界限(101)之间的缓冲层；缓冲层包括：至少由两次离子注入形成的N型掺杂区域，本发明提供的背面多峰值缓冲层结构、IGBT芯片和FRD芯片，减少了功率器件的加工工艺整体热过程，大大提高了器件可靠性。
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公开(公告)号：CN119516229A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411532867.1
申请日：2024-10-30
IPC: G06V10/762 , G06V10/82 , G06N3/045 , G06Q50/06
Abstract: 本发明属于电力设备检测技术领域，具体公开了一种绝缘子劣化检测方法及相关装置，所述一种绝缘子劣化检测方法，包括：获取绝缘子红外图像；将所述绝缘子红外图像输入预先训练好的劣化检测模型中，输出检测结果；其中，所述劣化检测模型是利用训练数据集训练改进的Faster R‑CNN模型得到的，所述训练数据集包括劣化绝缘子红外图像及对应的劣化标签，所述改进的Faster R‑CNN模型引入了特征金字塔网络，并利用ResNet101骨干网络替换了VGG16特征提取网络。本发明能够提高绝缘子在复杂场景下的检测效率和准确性。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN111244953B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010185077.6
申请日：2020-03-17
Applicant: 国网陕西省电力公司 , 国家电网有限公司 , 北京清大高科系统控制有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于电网未来潮流状态的无功电压自动控制方法，属于电网调度技术领域。本发明方法利用电网实时运行的模型和数据，从整个系统的角度，推算出未来电网潮流的分布状态和变化的趋势，研究未来潮流状态下的电网无功电压运情况，并计算得出最佳的无功电压调整方案，以电压安全和优质为约束，以系统运行经济性为目标，连续闭环的进行电压的实时优化控制。通过连续循环执行本方法,实现电网未来潮流状态连续增长过程中的无功电压自动控制,为电网未来潮流状态下的自动电压控制提共参考和依据,优化无功电压自动控制策略,提高无功电压自动控制水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112653136B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202011469550.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/00
Abstract: 本发明公开了一种电力电子多馈入电力系统关键线路识别方法及系统，所述方法包括：获得电力电子多馈入电力系统的扩展导纳矩阵；其中，获得扩展导纳矩阵基于的信息包括：电力电子多馈入电力系统的馈入容量和网架结构；根据扩展导纳矩阵的特征值，将电力电子多馈入电力系统等效为具有相同小干扰稳定性的多个电力电子单馈入电力系统；其中，扩展导纳矩阵的最小特征值为电力电子多馈入电力系统的广义短路比；结合特征值和特征向量性质获得广义短路比关于各网络线路导纳的灵敏度；依据获得的灵敏度的排序，对电力电子多馈入电力系统关键线路进行识别。本发明在实际工程应用中可以有效减少小干扰稳定性问题的发生。
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公开(公告)号：CN115117770A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111442173.5
申请日：2021-11-30
Applicant: 国网河南省电力公司鹤壁供电公司 , 鹤壁鹤源电力(集团)有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及铠装中置高压开关柜母线验电接地一体化小车，它包括框架单元、触头单元、验电单元、接地单元，框架单元与触头单元、验电单元、接地单元之间的连接方式为可拆卸连接，触头单元与验电单元、接地单元之间电连接；本发明触臂灵活拆除，保证开关柜母线及出线均可实现验电、接地操作；本发明具有结构合理、开关柜验电、接地时间大大缩短、有效避免了人与设备的直接接触，大大提高了工作效率，有力保障了操作人员的安全的优点。
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公开(公告)号：CN113158422A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110276122.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , H02J3/16 , H02J3/18 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种提升大型新能源基地稳定性的同步调相机选址方法。首先分别推导出单机新能源设备并网电路中新能源设备的端口导纳模型和同步调相机的导纳模型，并由此得出建立了含同步调相机的电力电子多馈入系统的交互模型，再通过矩阵摄动理论与未考虑同步调相机的新能源系统对比，证明了加装同步调相机后，系统的最小特征值增大，等效于提高了系统的广义短路比，从而增强了系统的稳定性；最后使用枚举法确定安装同步调相机的选址优化以最大程度地提升大型新能源基地稳定性。
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公开(公告)号：CN113097287A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911333532.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652657A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959594.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。
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