公开(公告)号：CN110326113A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880013127.3

申请日：2018-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 堀内智 ,  浅井芳启 ,  小笠原功 ,  富永真克 ,  原义仁

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C19/28 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 即维持驱动电路的特性，又使电路规模变小。一种驱动电路，在比基板靠上侧形成有包含栅极电极、半导体膜(HF)、以及第1导通电极(S)和第2导通电极(D)的晶体管(TRc)，具备相比于上述栅极电极形成在下层的第1导电膜(21)和作为上述栅极电极发挥功能的第2导电膜(22)，在上述第1导电膜(21)与上述第2导电膜(22)之间形成有第1电容(C1)。

公开(公告)号：CN110310960A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910210031.2

申请日：2019-03-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田辉幸 ,  原义仁 ,  大东彻 ,  今井元 ,  北川英树 ,  前田昌纪 ,  川崎达也 ,  平田义晴 ,  菊池哲郞 ,  伊藤俊克

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101)，薄膜晶体管包括：栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9)，栅极电极(3)形成在栅极金属层内，且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL，栅极金属层具有层叠构造，该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2)，铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成，添加金属元素包含Al，铜合金中的Al的含有量为2at％以上且为8at％以下。

公开(公告)号：CN109219774A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034133.2

申请日：2017-06-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冨永真克 ,  前野训子 ,  纸谷晋吾 ,  原义仁

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368

Abstract: 提供降低寄生电容且可提高显示品质的有源矩阵基板、具备其的带触摸面板的显示装置以及液晶显示装置。有源矩阵基板(1)具备：多个像素电极(31)；多个对置电极(21)，其与多个像素电极(31)对置设置，并在与多个像素电极(31)之间形成电容；导电层，其相对于多个像素电极(31)而设置于与多个对置电极(21)相反的一侧；第一绝缘层(461)；及第二绝缘层(462)。第一绝缘层(461)配置在像素电极(31)与导电层之间，第二绝缘层(462)配置在像素电极(31)与对置电极(21)之间。导电层与像素电极对置设置，并具有在与像素电极(31)之间形成电容的辅助电容电极部(48)，辅助电容电极部(48)与该辅助电容电极部以外的其他部分(47)分离。

公开(公告)号：CN104823230B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380060544.0

申请日：2013-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。

公开(公告)号：CN103946742B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280056837.7

申请日：2012-11-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中田幸伸 ,  藤田哲生 ,  原义仁

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100)具备：薄膜晶体管(101)；包含第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；形成在层间绝缘层上，具有第一开口部(15p)的第一透明导电层(15)；覆盖第一透明导电层的第一开口部侧的侧面的电介质层(17)；和隔着电介质层与第一透明导电层的至少一部分重叠的第二透明导电层(19a)，电介质层具有第二开口部(17p)，第一绝缘层具有第三开口部(12p)，层间绝缘层和电介质层具有第一接触孔(CH1)，第一接触孔的侧壁包括第二开口部(17p)的侧面和第三开口部(12p)的侧面，第三开口部的侧面的至少一部分与第二开口部的侧面对齐，第二透明导电层在第一接触孔内与漏极电极接触地形成接触部(105)，当从基板的法线方向看时，接触部的至少一部分与栅极配线层重叠。

公开(公告)号：CN104823230A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380060544.0

申请日：2013-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1362 ,  H01L29/786

Abstract: 液晶面板(11)包括：配置在阵列基板(11b)的显示部(AA)的显示部用TFT(17)；配置在非显示部(NAA)的非显示部用TFT(29)；构成非显示部用TFT(29)的第二栅极电极部(29a)；由氧化物半导体膜36构成的第二沟道部(29d)；与第二沟道部(29d)连接的第二源极电极部(29b)；与第二沟道部(29d)连接的第二漏极电极部(29c)；和第一层间绝缘膜(39)，其至少层叠于第二源极电极部(29b)和第二漏极电极部(29c)上，是相对地配置在下层侧且至少含有硅和氧的下层侧第一层间绝缘膜(39a)与相对地配置在上层侧且至少含有硅和氮并且膜厚为35nm～75nm的范围的上层侧第一层间绝缘膜(39b)的层叠结构。

公开(公告)号：CN104662470A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049023.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高西雄大 ,  菊池哲郎 ,  原义仁

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1237

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高防湿性和抗蚀剂涂敷性并且能够抑制液晶分子的取向紊乱的产生的液晶显示器。本发明的液晶显示器包括有机绝缘膜(18)、上述有机绝缘膜(18)上的透明电极(19)和上述透明电极(19)上的层间绝缘膜(20)，上述透明电极(19)具有被实施等离子体处理后的表面，上述有机绝缘膜(18)从上述透明电极(19)的端部(19a)在垂直方向上被削去，在上述端部(19a)下具有台阶部(18a)，上述透明电极(19)不从上述台阶部(18a)向侧方突出，上述台阶部(18a)的高度(h)为20nm以下。

公开(公告)号：CN102667595B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080051103.0

申请日：2010-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田代国广 ,  西脇章刚 ,  藤本英树 ,  原义仁

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F2001/134318

Abstract: 本发明的目的在于提供亮度高、显示品质优异的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置的共用电极（45）包括第一共用电极（45a）和第二共用电极（45b），像素电极（60）包括：第一主干部（61a）；第二主干部（61b）；沿第一方向延伸的多个第一支部（62a）；沿第二方向延伸的多个第二支部（62b）；和沿第三方向延伸的多个第三支部（62c）和沿第四方向延伸的第四支部（62d），在从与TFT基板（10）的面垂直的方向观察像素的情况下，第一共用电极（45a）与第二共用电极（45b）的边界，与像素电极（60）的第一主干部（61a）重叠，且沿与第一主干部（61a）延伸的方向相同的方向延伸。

公开(公告)号：CN104040416A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380005139.9

申请日：2013-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田哲生 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L33/42

Abstract: 半导体装置具备：薄膜晶体管(101)；端子部(102)；包括与漏极电极(11d)的表面接触的第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；在层间绝缘层(14)之上形成的第一透明导电层(15)；第一电介质层(17)；和第二透明导电层(19a)，端子部(102)具备：下部导电层(3t)；配置在栅极绝缘层(5)上的第二半导体层(7t)；下部透明连接层(15t)；和上部透明连接层(19t)，栅极绝缘层(5)和第二半导体层(7t)具有接触孔(CH2)，栅极绝缘层(5)和第二半导体(7t)的接触孔(CH2)侧的侧面对齐，下部透明连接层(15t)在接触孔(CH2)内与下部导电层(3t)接触，上部透明连接层(19t)在接触孔(CH2)的底面和侧壁与下部透明连接层(15t)接触。

公开(公告)号：CN103081079B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201180041864.2

申请日：2011-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 西村淳 ,  中田幸伸 ,  原义仁

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/04 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 半导体装置（1000）包括：具有栅极配线（3a）、源极和漏极配线（13as、13ad）以及岛状的氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管（103）；和具有由与栅极配线（3a）相同的导电膜形成的第一电极（3b）、由与源极配线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一和第二电极之间的介电体层的电容元件（105），栅极绝缘层（5）具有包含与氧化物半导体层（7）接触并且包含氧化物的第一绝缘膜（5A）、和配置于第一绝缘膜的栅极电极一侧并且具有比第一绝缘膜高的介电常数的第二绝缘膜（5B）的叠层结构，介电体层包含第二绝缘膜（5B）而不包含第一绝缘膜（5A）。由此，能够在不使CS电容等电容元件的电容值降低的情况下抑制氧化物半导体层的氧缺损所致的劣化。