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公开(公告)号：CN111866414A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010679695.6
申请日：2020-07-15
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H04N5/355
摘要： 本发明提供了高动态图像传感器像素结构及时序控制方法，属于半导体光电方向图像传感器领域。所述的高动态图像传感器像素结构集成了一个钳位光电二极管作为光电探测元件，反向偏置，阳极为p型接地，阴极通过高增益传输晶体管与源极跟随器的输入端FDH点相连。FDH点同时与低增益传输晶体管相连，并与FDL点连接。FDL点分别与复位晶体管、超高动态范围控制二极管相连，复位晶体管与低增益传输晶体管的漏极相连，用于保证FDL点被复位至VPIX电压。选通管与源极跟随器的源极相连，用于将源极跟随器与外部信号读出链相连。超高动态范围控制二极管的阴极与FDL点相连，阳极接在电压VC上。
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公开(公告)号：CN115914872B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211599385.9
申请日：2022-12-12
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H04N25/78 , H04N25/57 , H04N25/616 , H04N25/65
摘要： 本发明提出一种实现像素内CDS的具有高动态范围的CTIA读出电路，属于图像传感器读出电路技术领域。本发明提出的读出电路可以单独操作，根据不同的光源强度结合自选电容技术能够选择合适的积分电容，扩大其动态范围。在光信号较弱的情况下，使用小电容作为积分电容，同时将未使用的大电容作为带宽限制电容，能够有效降低电路噪声。在光信号较强的情况下，使用大电容和小电容并联作为积分电容，能够扩大探测光电流的范围。为了兼容ITR和IWR两种工作模式，本发明在传统的CDS结构中增加一路采样保持电路，能够使得每一帧的周期近似等于信号读出的时间，读出速率大大加快。
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公开(公告)号：CN117527327A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311435934.3
申请日：2023-11-01
申请人： 河北工业大学 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 大连理工大学
IPC分类号： H04L9/40 , H04L9/00 , G06N3/0464 , G06N3/086 , G06F18/213 , G06F18/23213 , G06F18/2415 , G06N3/048
摘要： 本发明属于物联网入侵检测技术领域，提出了一种可信的多目标神经演化入侵检测框架，尽可能保证入侵检测警报数据不被篡改。针对入侵检测警报数据的信息安全保护，通过节点信用评级，设计奖励和惩罚机制来加强节点上传可信警报数据；在入侵检测模型方面，针对基于深度学习的入侵检测模型的自动化设计问题，通过多目标演化算法来演化一些出参数量小并且准确度尽可能高的卷积神经网络结构；并设计新的卷积块结构用于搜索空间，以进一步增强模型特征提取能力；经过神经网络架构搜索会产生多个帕累托解，最终通过提出自适应权重的决策方法决策出最终解。
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公开(公告)号：CN117273168A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311238148.4
申请日：2023-09-25
申请人： 河北工业大学 , 之江实验室 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 大连理工大学
IPC分类号： G06N20/00 , G06N3/0455 , G06N3/08 , G06F21/62
摘要： 本发明提供了一种联邦大模型自适应学习系统。在多目标优化与增量学习结合的基础上，构建多个优化指标，设计自适应的小模型增量学习；针对联邦学习下的数据隐私保护，提出小模型梯度放缩方法，使梯度信息得到充分利用；通过揭示模型泛化能力与采样数据的关联性，提出泛化能力评估函数；针对工业设备运行时面对的性能退化、故障等真实问题，结合泛化能力评估函数，设计多个优化目标，通过多目标演化学习自适应地更新与修复模型，提高大模型在真实工业场景下的可用性。最终实现大、小模型的自适应精准更新，提升模型泛化能力。
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公开(公告)号：CN113162613B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN112420759B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202011243957.0
申请日：2020-11-10
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H01L27/146 , H04N25/76
摘要： 本发明涉及CMOS图像传感器技术领域，提供一种基于仿生视觉的CMOS图像传感器像素结构，包括：彩色信号收集单元、黑白信号收集单元、第三转移晶体管TG3、复位晶体管RST、源极跟随器SF和行选择晶体管RS；所述黑白信号收集单元，包括：第一钳位光电二极管PPD1、第一转移晶体管TG1和第一浮置扩散电容FD1；所述彩色信号收集单元，包括：第二钳位光电二极管PPD2、第二转移晶体管TG2和第二浮置扩散电容FD2。本发明能够在同一CMOS图像传感器中分别获得高灵敏度的黑白图像信号和彩色图像信号。
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公开(公告)号：CN116192065A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211599396.7
申请日：2022-12-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明提出一种防止全差分运算放大器共模闩锁效应的保护电路，属于集成电路设计技术领域。该保护电路包括全差分运算放大器、充电电路、放电电路和闩锁检测电路。该保护电路用来检测全差分运算放大器输出共模电平并在全差分运算放大器处于低电平闩锁时，控制放电电路对输出节点的前一级进行放电将其推离低电平闩锁；在全差分运算放大器处于高电平闩锁时，控制充电电路对输出节点的前一级进行充电将其拉低脱离高电平闩锁；并在电路解除闩锁后使共模闩锁保护电路处于休眠状态，减少能耗损失。同时该保护电路的高低阈值电平对工艺、供电电压、环境温度的波动不敏感，具有鲁棒性。
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公开(公告)号：CN116112020A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310146645.5
申请日：2023-02-21
申请人： 大连理工大学
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 本发明涉及模数转换器技术领域，提供一种具有轨到轨输入范围的逐次逼近型模数转换器及其模数转换方法，包括：模数转换缓冲器部分和模数转换器核心部分。所述模数转换缓冲器部分,包括:前端比较器模块、交换开关模块、NMOS输入运放模块和PMOS输入运放模块。所述模数转换器核心部分包括栅压自举采样开关模块、电容DAC模块、主比较器模块和逐次逼近逻辑控制模块。本发明能在单电压域下实现轨到轨输入范围，降低模数转换器整体功耗。
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公开(公告)号：CN115987249A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211598443.6
申请日：2022-12-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 本发明公开了一种应用于数字抽取滤波器的FIR滤波器，采用级联形式的数字抽取滤波器可以实现更高的阶数。通过使用纯组合逻辑电路的降采样模块，可以避免时序问题，减轻后端的工作量；同时使用存储RAM以及ROM实现乘法器的时分复用形式，从而减少了电路中的乘法器模块，降低了乘法运算所需的面积，同时对每个乘法器采用CSD编码形成CSD乘法器，可以减少乘法运算中乘数中“1”的数量，从而进一步的减少运算消耗及加快运算速度。
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公开(公告)号：CN115984127A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211599415.6
申请日：2022-12-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种基于GPU的实时图像降噪方法，属于图像处理领域。使用opencv读取输入图片，并将图片像素值归一化至[0,255]。将图像数据由主机端传至设备端，将图像数据存入共享内存中,每个线程依次读取共享内存中对应的9个点并将其存入3x3的窗口window中，判断3x3窗口中的椒盐噪声点的数量，采用相应的降噪方法进行处理。将经过设备端处理后的数据传至主机端，并使用opencv读取并显示经过降噪处理后的图像。该方法解决了目前非线性滤波领域存在的滤波耗时长、椒盐噪声与高斯噪声混合起来去除效果差等问题，处理后的图像具有细节信息损失较少、图像清晰度高、纹理特征明显等特点，可实时处理及显示去噪后的图像。
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